1Gbit-ETH: Layout bzgl. Gehäuse-GND/GND

OP #5366649
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Hallo liebes Forum,

ich bin gerade dabei ein Board mit 1Gbit-ETH zu routen 
(MAC<=>PHY<=>Übertrager<=>RJ45). In einigen AppNotes findet man die 
Empfehlung, das Routing zwischen Übertrager und RJ45 mit Gehäuse-GND zu 
unterfüttern, also die Referenzlage nicht mit GND sondern mit 
Gehäuse-GND zu verbinden. Zumindest verstehe ich die AppNotes so ;) 
(siehe Anhang).

Dazu zwei Fragen:
-Die differentiellen Paare müssen ja auch vom Übertrager zum RJ45 mit 
100 Ohm (diff.) bzw. 50 Ohm (single ended) geroutet werden. Ändert sich 
nicht die Impedanz, wenn ich nun anstatt GND, Gehäuse-GND auf der 
Referenzlage habe?

-Was mache ich, wenn ich z.B. zwei Lagen GND auf der Platine habe, muss 
ich die dann beide für die Strecke Übertrager<=>RJ45 aussparen und dort 
mit Gehäuse-GND verbinden?

Danke schonmal!
Angehängte Dateien:
Gast #5366977
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Zu dem Thema mal so ein Gedanke:
Nach Deiner Buchse kommen bis zu 100m geknicktes, gestauchtes, evtl. 
ungeschirmtes Ethernetkabel, bei dem der Wellenwiderstand alles andere 
als konstant ist.
Und Du machst Dir ernsthaft Gedanken über eine minimale mögliche 
Impedanzänderung bei den 10mm zwischen Trafo und Buchse?

Mach's einfach wie in der AppNote und gut isses...

BTW: Woher sollte die Impedanzänderung kommen? Nur weil die Referenz 
anders heißt?

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