Gast
#5401917
Hallo, folgende Situation: Ich habe einen Eingangsschutz realisiert, der so aussieht, wie im Anhang. Nun wollte ich die Schaltung testen, indem ich einen Load-Dump simuliere. Die Simulation in LT-Spice war erfolgreich. Danach wollte ich die Schaltung in der "realen Welt" testen und habe festgestellt, dass ich natürlich kein passendes Gerät zur Verfügung habe, um das Signal abzubilden. (Load-Dump Bild im Anhang) Aus der Not heraus habe ich mir überlegt, dass ich einen Funktionsgenerator nehme. Der Aufbau sieht folgendermaßen aus (siehe Anhang). Ich weiß, dass der Aufbau mehr schlecht als recht ist. Dennoch hat es einigermaßen funktioniert. Ich habe ein 1ms Rechtecksignal ausgewählt, um die Schaltung zu testen. Dabei wurde die Diode recht warm, was ja auch zu erwarten war (mehrere Durchläufe im 3s Takt). Die Spannung wurde von 58V auf ca. 36.2V begrenzt (Netzgerät kann aber nur 3A liefern). Eventuell wäre die Diode sogar kaputtgegangen, wenn das Netzgerät mehr Strom liefern könnte. Aber darum geht es mir nicht. Ich würde gerne wissen, wieso der Spannungsverlauf so aussieht? Wieso sinkt die Spannung nicht sofort (bzw. Schneller) auf 0V an, sondern braucht mehr als 30ms? Im Bild ist sogar zu sehen, dass es 1ms auf High war und danach langsam abfällt Datenblätter: NMOS in der Gate-Treiber-Schaltung: https://www.onsemi.com/pub/Collateral/NTD5867NL-D.PDF Gate Treiber MCP1416: http://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/20002092G.pdf



