Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik N-FET: Frage zu pulsed drain current


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von Andi S. (Gast)


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Guten Abend,

ich hätte mal eine Frage.
Bisher habe ich mich bei der Auswahl von Mosfets immer an der "Continous 
Drain Current" orientiert, weil die Einschaltdauer so ziemlich immer 
eine Variable war.

Nun habe ich einen Fall, wo alle 20 Sekunden ein Mosfet für 200ms 
durchschalten soll.

Es gibt Fets, die sind schön klein (SOT-23)und würden super passen.
Deren Continous Current liegt bei 1.5A, Pulsed Drain Current hingegen 
bei 7A.

Ich schalte 5A bei 30V...

Was meint ihr - kann man einen Mosfet mit pulsed-drain-current von 7.0A 
hier sicher einsetzen? Oder ist das eher so zu deuten, dass man das MAL 
machen kann, sich bei einer gewissen Regelmäßigkeit aber Verschleiß 
einstellt...

Danke für Tips

von DCDC (Gast)


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Hi,

bei 200ms Einschaltzeit hat der MOSFET vermutlich die internen 
Wärmekapazitäten fast aufgeladen und man kann nicht mehr soviel mehr als 
den Dauerstrom fließen lassen. Stichwort ist Zth Kurve im Datenblatt und 
die SOA für Pulsbetrieb.

Gruß DC/DC

von Andi S. (Gast)


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Vielen Dank für den Hinweis.
Die Kennlinie hatte ich doch glatt übersehen.

Schade - dann nehm' ich doch DPAK oder SO8, falls ich welche finde.

Dankeschön ;)

von U. M. (oeletronika)


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Hallo,
> Andi S. schrieb:
> Bisher habe ich mich bei der Auswahl von Mosfets immer an der "Continous
> Drain Current" orientiert, weil die Einschaltdauer so ziemlich immer
> eine Variable war.
Wenn der FET auch bei etwas längerer Pulszeit nicht gleich abfliegt, ist 
das sicher besser. Die 7A sind sicher nur für paar hundert us angegeben, 
oder?
> Nun habe ich einen Fall, wo alle 20 Sekunden ein Mosfet für 200ms
> durchschalten soll.
> Es gibt Fets, die sind schön klein (SOT-23)und würden super passen.
> Deren Continous Current liegt bei 1.5A, Pulsed Drain Current hingegen
> bei 7A.
Beipiel:
http://www.vishay.com/docs/62960/si2392ads.pdf
Der hat zwar einen Puls Currend bis 8A (für max. 300us, siehe Max. 
Ratings)
aber der On-Widerstand geht bis knapp an 0,2 Ohm.
Dann ist die Verlustleitung aber fast 5W. Das würde deutlich über dem 
zulässigen Wert liegen (siehe Kennlinie "Single Pulse Power"  auf S.4).

Aber es gibt auch Typen in SOT23 mit deutlich kleinerem R_DSon, z.B.
https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=35714&prodName=SSM3K341R

Kannst du DFN-Gehäuse verabeiten? Dann ist die Auswahl viel größer.
Auch SOT89 wäre noch recht klein.

Kannst dir auch mit der parametrischen Suche z.B. bei Digikey was raus 
suchen.
https://www.digikey.de/products/de/discrete-semiconductor-products/transistors-fets-mosfets-single/278
Gruß Öletronika

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