Interessent schrieb:
> Mach das bei MOSFETs überhaupt Sinn diese zu beschalten?
Nein. Beim FET ist die V_DS vergleichsweise stark variabel. (Kann ein
Vorteil oder ein Nachteil sein.) Der Kanal ist im durchgeschalteten
Zustand praktisch ein "fester" Widerstand, beim IGBT hat man
bekanntlicherweise eher Diodencharakteristik.
Beider Bauteiltypen "Vorwärtsspannungen" verändern sich ein wenig mit
der Temperatur. Beim IGBT ist bei höherer Temperatur (bei angenommen
konstantem Strom) je nach Typ sowohl höhere als auch niedrigere V_CE
möglich, beim FET steigt der R_DS(ON) ganz allgemein mit der Temperatur
an.
Ein zusätzlicher Effekt ist beim IGBT, daß mit steigendem Strom (bei
angenommen konstanter Temp.) die V_CE leicht ansteigt. Aber: Bei "desat"
steigt die V_CE plötzlich um ein größeres Stück an, über die leichte
Variation der V_CE bei verschiedenen Strömen hinaus. Daraufhin wird
(zwangs-) abgeschaltet.
Da bei FETs die V_DS aber im Großen und Ganzen dem ohmschen Gesetz folgt
(und damit V_DS = I² x R_DS(ON) ist), kann man keine "desat" Überwachung
realisieren.
Das Ganze ergänzt / verstärkt perfekt die Überlegenheit von IGBTs ggbr.
FETs bzgl. Kurzschlußfestigkeit. Dafür ist praktisch nur mit FETs
besonders hohe "Light Load Efficiency" möglich.
Die Wahl "IGBT oder FET" trifft sich je nach Anwendung fast von alleine.
Alle Eigenschaften gleich bewertet wären nur relativ selten beide gleich
sinnvoll. Doch die Wahl trifft freilich der Entwickler. (Der auch für
die Folgen verantwortlich ist.)
