Da sich ja das Gate wie ein Kondensator verhält, fließt ja bei t=0s I=U0/R Ampere. Das Gate (IRF540) wird mit etwa 12V versorgt und durch einen 2110 gesteuert. Bei einem Widerstand von 20 Ohm fließen etwa 0,6 Ampere. Nun ergibt sich eine Leistung von 0,6^2*20=7,2 Watt. Da diese Leistung jedoch nur für ein paar Augenblicke anliegt, würde ich keinen Widerstand auswählen der 7 Watt verträgt. Wie viel Watt sollte ich c.a. wählen, gibts da sowas wie ne Faustformel? Danke im Voraus.
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Samuel P. schrieb: > Wie viel Watt sollte ich c.a. wählen, gibts da sowas wie ne Faustformel? Milliwatt... Wei oft schaltest du? Was ist diene PWM-Frequenz?
Samuel P. schrieb: > Da diese Leistung jedoch nur für ein paar Augenblicke anliegt, würde ich > keinen Widerstand auswählen der 7 Watt verträgt. Wie viel Watt sollte > ich c.a. wählen, gibts da sowas wie ne Faustformel? Hi, die Pulsbelastung ist wichtig für die Auslegung des Gate Widerstandes. Einige Widerstände sind für Puls Anwendungen geeignet, die hohe Puls Belastungen aushalten können. Gruß, Edit: Schau dir mal die CRCW - HP Serie von Vishay an.
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Also MELF-Widerstände: https://www.vishay.com/docs/28870/pulseloadsmdlimit.pdf Al3ko -. schrieb: > Edit: > Schau dir mal die CRCW - HP Serie von Vishay an. Lustich, genau die "Thick Film Chip Resistors", die im verlinkten PDF am schlechtesten abschneiden... :-)
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Der Umladestrom ist hauptsächlich von der Spannung an der Last abhängig. Bis 24V nehme ich keinen Gatewiderstand. Bei 400V sieht die Sache schon anders aus. In einem 1000W Netzteil habe ich 47Ω/0,25W genommen, die werden nichtmal warm.
Lothar M. schrieb: > Lustich, genau die "Thick Film Chip Resistors", die im verlinkten PDF am > schlechtesten abschneiden... :-) Das stimmt - guter Einwand. den Artikel habe ich auch gelesen. Es kommt mE bei Vergleich auf das Gesamtbild an ? Von der (Puls) Leistung her schneiden die MELF besser ab. Hinsichtlich der par. Induktivität und auch Baugröße (falls für Ein und Ausschalten über separate Widerstände) sind die Thick Film Widerstände wesentlich besser. Ist in seiner Anwendung ist das aber vielleicht nicht das entscheidende Kriterium. Und auch die max Leistung ist nicht das eigentliche Problem, um auf MELF zu schließen. Ich habe IGBT Module mit fast 30A peak Strömen ins geschaltet. Da muss man dann sicherlich ein wenig vorsichtiger sein, was den Gate Widerstand betrifft (wobei wir auch dort dieselbe Serie verwendet haben). Gruß,
Peter D. schrieb: > Der Umladestrom ist hauptsächlich von der Spannung an der Last abhängig. Inwiefern?
Samuel P. schrieb: > Da diese > Leistung jedoch nur für ein paar Augenblicke anliegt, würde ich keinen > Widerstand auswählen der 7 Watt verträgt. Wie viel Watt sollte ich c.a. > wählen, gibts da sowas wie ne Faustformel? Man könnte eine Differentialgleichung aufstellen. Hab ich mal früher gemacht, um zu sehen, wie ein Serienterminierungswiderstand bei wenigen 10pF Lastkapazität über der Frequenz belastet wird. Inzwischen habe ich vergessen, wie das geht :-). Da die Flankensteilheit des Ansteuersignals auch mit eingeht, blieb das unberücksichtigt und der w.c. ist ein ideal steiles Signal. Man kann aber auch LTSpice bemühen. Dort ist es einfach, sich die Leistung und auch die Arbeit am Widerstand ausgeben zu lassen und das auch in Abhängigkeit von der Flankensteilheit anschauen.
Hi, die Leistung kannst einfach berechnen beim Auf- und Entladen von 0V auf eine Spannung U, falls Du weißt, wie groß die gesamte Gateladung QG ist und die Schaltfrequenz fs, dann gilt:
dies ist die mittlere Leistung (Wirkleistung) im Gatewiderstand. Aber das ist nur ein Teil, der Rest ist die zulässige max. Momentanleistung (Impulsbelastbarkeit), diese Information kriegst Du höchstens im Datenblatt des Herstellers. Gruß DC/DC
... Anmerkung zur Formel/Korrektur, das ist der Maximalwert, den die mittlere Leistung annimmt. Tatsächlich wird ein Teil im Treiber und ein anderer im "internen Gatewiderstand" des FETs umgesetzt.
Al3ko -. schrieb: > Inwiefern? Die Drain Gate Kapazitaet liefert auch eine Einfluss. Da ist es schon bemerkbar ob da 10 oder 1000 V schnell oder langsam geschalten werden.
Samuel P. schrieb: > Da sich ja das Gate wie ein Kondensator verhält, fließt ja bei t=0s > I=U0/R Ampere. Das Gate (IRF540) wird mit etwa 12V versorgt und durch > einen 2110 gesteuert. Bei einem Widerstand von 20 Ohm fließen etwa 0,6 > Ampere. Warum nimmst du einen 2A Treiber und bremst ihn auf 0,6A runter. Willst du den FET ein wenig vorglühen? MfG Klaus
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