Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Leistungshalbleiter parallel


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von MiMa (Gast)


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Hallo
Man liest ja öfter, dass Leistungshalbleiter intern aus vielen parallel 
geschalteten Einzelmodulen bestehen.
Nirgendwo kann ich aber eine Zahl finden wie viele es ungefähr sind. 5? 
50? 500?

Kann mir jemand von euch weiterhelfen?
Im speziellen würden mich große IGBT Chips (600V/300A) interessieren.

Grüsse

von ● Des I. (Firma: FULL PALATINSK) (desinfector) Benutzerseite


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Gegenfrage, welche Anwendung schwebt Dir vor?

von hinz (Gast)


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Die einzelnen Zellen sind 10-50µm groß, und so ein Die kann bis zu 15x15 
mm^2 groß sein.

von Stefan R. (1975rstefan)


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Siemens SIPMOS...

von MiMa (Gast)


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● J-A V. schrieb:
> Gegenfrage, welche Anwendung schwebt Dir vor?

Hm wenn es nur 100 Stück gewesen wären, ein stark reduzierter 
Linearbetrieb der trotz fehlender Symetrierung von einer Zelle getragen 
hätte werden können.
Nicht die Hauptanwendung aber hätte somit noch eine nützliche 
Zusatzfunktion übernehmen können.


hinz schrieb:
> Die einzelnen Zellen sind 10-50µm groß, und so ein Die kann bis zu 15x15
> mm^2 groß sein.

Das sind ja Milliarden von Einzelzellen. :-O
Damit habe ich nicht gerechnet aber vielen Dank!

von MiMa (Gast)


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MiMa schrieb:
> Das sind ja Milliarden von Einzelzellen. :-O

Edit: Natürlich nicht Milliarden. Im Eifer des Gefechts vertippt

von Michael B. (laberkopp)


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MiMa schrieb:
> Im speziellen würden mich große IGBT Chips (600V/300A) interessieren.

Hättest du das nicht dazugesagt, hätte man nur sagen können "es kommt 
darauf an".

Solche IGBTs werden normalerweise im Trench+FieldStop Verfahren gebaut, 
da sind die Zellen einfach quer über den Chip laufende Gräben die je 
nach Technologiefortschritt so 10um Abstand haben. Bei einer Chipbreite 
von 5mm also tatsächlich ca. 500.

von MiMa (Gast)


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Michael B. schrieb:
> MiMa schrieb:
>> Im speziellen würden mich große IGBT Chips (600V/300A) interessieren.
>
> Hättest du das nicht dazugesagt, hätte man nur sagen können "es kommt
> darauf an".

Habe es aber dazu gesagt, weil ich mir sonst genau so eine Antwort 
erwartet hätte ;-)


Michael B. schrieb:
> Solche IGBTs werden normalerweise im Trench+FieldStop Verfahren gebaut,
> da sind die Zellen einfach quer über den Chip laufende Gräben die je
> nach Technologiefortschritt so 10um Abstand haben. Bei einer Chipbreite
> von 5mm also tatsächlich ca. 500.

Hm.. 10u Chip - 10u Abstand - 10u Chip. Habe ich dich richtig 
verstanden? Das ergäbe dann doch 250/Reihe?

von MiMa (Gast)


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hinz schrieb:
> 10-50µm

10-50µm sind rein von der Fläche her große Unterschiede. Kann man 
hierbei auch pauschal sagen für welche Art von Halbleiter bzw. IGBT 10µm 
und für welche 50µm verwendet werden?

von hinz (Gast)


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MiMa schrieb:

> Hm.. 10u Chip - 10u Abstand - 10u Chip. Habe ich dich richtig
> verstanden? Das ergäbe dann doch 250/Reihe?

Nein, er meint 10µm Raster.

von hinz (Gast)


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MiMa schrieb:
> hinz schrieb:
>> 10-50µm
>
> 10-50µm sind rein von der Fläche her große Unterschiede. Kann man
> hierbei auch pauschal sagen für welche Art von Halbleiter bzw. IGBT 10µm
> und für welche 50µm verwendet werden?

Schnellere erfordern kleinere Strukturen.

von MiMa (Gast)


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hinz schrieb:
> MiMa schrieb:
>> hinz schrieb:
>>> 10-50µm
>>
>> 10-50µm sind rein von der Fläche her große Unterschiede. Kann man
>> hierbei auch pauschal sagen für welche Art von Halbleiter bzw. IGBT 10µm
>> und für welche 50µm verwendet werden?
>
> Schnellere erfordern kleinere Strukturen.

..und grössere Strukturen bieten Vorteile bei: ? :-)

von Michael B. (laberkopp)


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MiMa schrieb:
> 10u Chip - 10u Abstand - 10u Chip. Habe ich dich richtig
> verstanden?

Nein.
1
     |<---10um--->|
2
---    ----------    ----
3
   \  /          \  /
4
    \/            \/

: Bearbeitet durch User
von hinz (Gast)


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MiMa schrieb:
> hinz schrieb:
>> MiMa schrieb:
>>> hinz schrieb:
>>>> 10-50µm
>>>
>>> 10-50µm sind rein von der Fläche her große Unterschiede. Kann man
>>> hierbei auch pauschal sagen für welche Art von Halbleiter bzw. IGBT 10µm
>>> und für welche 50µm verwendet werden?
>>
>> Schnellere erfordern kleinere Strukturen.
>
> ..und grössere Strukturen bieten Vorteile bei: ? :-)

Billiger in der Herstellung.

von Veit D. (devil-elec)


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>>>> 10-50µm sind rein von der Fläche her große Unterschiede. Kann man
>>>> hierbei auch pauschal sagen für welche Art von Halbleiter bzw. IGBT 10µm
>>>> und für welche 50µm verwendet werden?
>>>
>>> Schnellere erfordern kleinere Strukturen.
>>
>> ..und grössere Strukturen bieten Vorteile bei: ? :-)
>
> Billiger in der Herstellung.

So gesehen falsch. Es ist sicherlich einfacher in der Herstellung aber 
gewiss nicht billiger sondern eher teurer.
wenige Dies pro Wafer > Stückkosten hoch
viele Dies pro Wafer  > Stückkosten niedrig

Am Ende kommt es noch auf das Produkt an ob es relativ gesehen teuer 
oder eher günstig ist.

von hinz (Gast)


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Veit D. schrieb:

>>> ..und grössere Strukturen bieten Vorteile bei: ? :-)
>>
>> Billiger in der Herstellung.
>
> So gesehen falsch. Es ist sicherlich einfacher in der Herstellung aber
> gewiss nicht billiger sondern eher teurer.
> wenige Dies pro Wafer > Stückkosten hoch
> viele Dies pro Wafer  > Stückkosten niedrig
>
> Am Ende kommt es noch auf das Produkt an ob es relativ gesehen teuer
> oder eher günstig ist.

Du hast das falsch verstanden. Bei gleicher Die-Fläche sind gröbere 
Strukturen billiger.

von MiMa (Gast)


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hinz schrieb:
> Billiger in der Herstellung.

Perfekt danke. Alle Fragen beantwortet.
Vielen Dank euch :-)

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