Leistungshalbleiter parallel

Die einzelnen Zellen sind 10-50µm groß, und so ein Die kann bis zu 15x15 
mm^2 groß sein.

Siemens SIPMOS...

● J-A V. schrieb:
> Gegenfrage, welche Anwendung schwebt Dir vor?

Hm wenn es nur 100 Stück gewesen wären, ein stark reduzierter 
Linearbetrieb der trotz fehlender Symetrierung von einer Zelle getragen 
hätte werden können.
Nicht die Hauptanwendung aber hätte somit noch eine nützliche 
Zusatzfunktion übernehmen können.


hinz schrieb:
> Die einzelnen Zellen sind 10-50µm groß, und so ein Die kann bis zu 15x15
> mm^2 groß sein.

Das sind ja Milliarden von Einzelzellen. :-O
Damit habe ich nicht gerechnet aber vielen Dank!

MiMa schrieb:
> Das sind ja Milliarden von Einzelzellen. :-O

Edit: Natürlich nicht Milliarden. Im Eifer des Gefechts vertippt

Michael B. schrieb:
> MiMa schrieb:
>> Im speziellen würden mich große IGBT Chips (600V/300A) interessieren.
>
> Hättest du das nicht dazugesagt, hätte man nur sagen können "es kommt
> darauf an".

Habe es aber dazu gesagt, weil ich mir sonst genau so eine Antwort 
erwartet hätte ;-)


Michael B. schrieb:
> Solche IGBTs werden normalerweise im Trench+FieldStop Verfahren gebaut,
> da sind die Zellen einfach quer über den Chip laufende Gräben die je
> nach Technologiefortschritt so 10um Abstand haben. Bei einer Chipbreite
> von 5mm also tatsächlich ca. 500.

Hm.. 10u Chip - 10u Abstand - 10u Chip. Habe ich dich richtig 
verstanden? Das ergäbe dann doch 250/Reihe?

hinz schrieb:
> 10-50µm

10-50µm sind rein von der Fläche her große Unterschiede. Kann man 
hierbei auch pauschal sagen für welche Art von Halbleiter bzw. IGBT 10µm 
und für welche 50µm verwendet werden?

MiMa schrieb:

> Hm.. 10u Chip - 10u Abstand - 10u Chip. Habe ich dich richtig
> verstanden? Das ergäbe dann doch 250/Reihe?

Nein, er meint 10µm Raster.

MiMa schrieb:
> hinz schrieb:
>> 10-50µm
>
> 10-50µm sind rein von der Fläche her große Unterschiede. Kann man
> hierbei auch pauschal sagen für welche Art von Halbleiter bzw. IGBT 10µm
> und für welche 50µm verwendet werden?

Schnellere erfordern kleinere Strukturen.

hinz schrieb:
> MiMa schrieb:
>> hinz schrieb:
>>> 10-50µm
>>
>> 10-50µm sind rein von der Fläche her große Unterschiede. Kann man
>> hierbei auch pauschal sagen für welche Art von Halbleiter bzw. IGBT 10µm
>> und für welche 50µm verwendet werden?
>
> Schnellere erfordern kleinere Strukturen.

..und grössere Strukturen bieten Vorteile bei: ? :-)

MiMa schrieb:
> hinz schrieb:
>> MiMa schrieb:
>>> hinz schrieb:
>>>> 10-50µm
>>>
>>> 10-50µm sind rein von der Fläche her große Unterschiede. Kann man
>>> hierbei auch pauschal sagen für welche Art von Halbleiter bzw. IGBT 10µm
>>> und für welche 50µm verwendet werden?
>>
>> Schnellere erfordern kleinere Strukturen.
>
> ..und grössere Strukturen bieten Vorteile bei: ? :-)

Billiger in der Herstellung.

Veit D. schrieb:

>>> ..und grössere Strukturen bieten Vorteile bei: ? :-)
>>
>> Billiger in der Herstellung.
>
> So gesehen falsch. Es ist sicherlich einfacher in der Herstellung aber
> gewiss nicht billiger sondern eher teurer.
> wenige Dies pro Wafer > Stückkosten hoch
> viele Dies pro Wafer  > Stückkosten niedrig
>
> Am Ende kommt es noch auf das Produkt an ob es relativ gesehen teuer
> oder eher günstig ist.

Du hast das falsch verstanden. Bei gleicher Die-Fläche sind gröbere 
Strukturen billiger.

hinz schrieb:
> Billiger in der Herstellung.

Perfekt danke. Alle Fragen beantwortet.
Vielen Dank euch :-)