Schalttransienten auf Ground in MOSFET Schaltung

[Daniel C. (dani_c)]

Hallo,

ich habe ein Problem mit meiner Schaltung. Wie in Bild P1.jpg zu sehen 
habe ich Schalttransienten auf meinem Groundsignal (Blau), die jedoch 
ungewollt sind.


In der Schaltung soll ein MOSFET ein Spannungsimpuls einer beliebigen 
länge (ca. 50ns- 1us) mit der Amplitunde 250V (also von -250V auf 0V) 
generieren. Das macht er auch wie in P1.jpg (Lila) zu sehen. Durch 
verkürzung der Leiterbahnlänge auf der Platine konnte ich schon eine 
Reduktion von 500mV P_k-P_K auf 140mV hinbekommen(neues Ergebniss im 
Messfenster der Bildes P1.jpg zu sehen (unten links)). Die 
Oszillationsfrequenz des transienten Signals betragt 33,333 Mhz. 
Natürlich benutze ich auch angemessene Messmethoden (Tastkopf 10:1 mit 
Massefeder).


Ich dachte auch daran einen Snubber zu benutzen (RC Glied parallel zum 
MOSFET), jedoch oszilliert ja nur GND (Blau) und nicht mein Schaltsignal 
(Lila).


Habt ihr vl eine Lösung wie ich diese weiter reduzieren könnte? im Paper 
(Side-On Photomultiplier Gating System for Thomson Scattering and 
Laser-Excited Atomic Fluorescence Spectroscopy) aus dem ich die 
Schaltung habe wurde gesagt das die Schalttransienten nur eine Amplitude 
<50mV hatten.


Danke!

[HildeK (Gast)]

Daniel C. schrieb:
> Natürlich benutze ich auch angemessene Messmethoden (Tastkopf 10:1 mit
> Massefeder).

Daniel C. schrieb:
> jedoch oszilliert ja nur GND (Blau) und nicht mein Schaltsignal
> (Lila).

Die beiden Aussagen passen nicht ganz zusammen. Wenn du angemessen 
misst, dann wird zwischen GND und GND nichts zu messen sein :-)!
Aber vermutlich liegt das einfach an der Auflösung beider Kanäle: einer 
mit 90V/div, der andere mit 20mV/div. Ich rechne da schon mit direkter 
Einstrahlung in den Tastkopf bei dem empfindlichen Signal, selbst wenn 
die Masseanbindung perfekt ist.

[Dieter (Gast)]

Ferritdaempfungsperle am Beinchen probieren. Bei SMD etwas schwierig.

[Dieter (Gast)]

Zeig Dein Layout.

[Daniel C. (dani_c)]

Danke für die idee, die Perle müsste ich glaube dann aber mit dem 
Gatewiderstand ersetzen oder?

Im Bild ist mein Layout für die Schaltung zu sehen. Sie ist 3x5cm groß 
und der große Widerstand (50W weil 1A durch 250Ohmen bei Impulslänge 
200ns und einer Frequenz von 10kHz) neben der Platine ist auf der 
Rückseite der Platine angebracht und mit so kurz wie möglichen Leitungen 
(rot eingezeichnet) mit den jeweiligen anderen Bauteilen verbunden.

[Jens G. (jensig)]

>Im Bild ist mein Layout für die Schaltung zu sehen. Sie ist 3x5cm groß

Ja, und wo ist nun dein Oszi-Tastkopf angeschlossen? Ich sehe ja noch 
nicht mal extra Masseanschlüsse. Masse besteht wohl aus der oberen 
Cu-Fläche einer zweiseitigen Platine.
Von dem dicken R war aber bisher keine Rede. Warum verheimlichst Du 
sowas.
Der dicke R wird nämlich sicherlich ein ein Drahtwiderstand sein, und 
sowas hat schon reichlich Induktivität. Also gibt's kräftige 
Transienten.
Foto von deinem Meßaufbau wäre da sicherlich auch von Vorteil.