JFET-Ersatzschaltbild

JFET Gast #5498927
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Hallo,

bin gerade dabei mich mit JFETS zu beschäftigen und habe eine Frage zu 
dem dazugehörigen Ersatzschaltbild (siehe Link unten).

Grundsätzlich hat unser Prof alle Transistoren (BJT, MOSFET, JFET) als 
gesteuerte Stromquellen modelliert. Bei dem Bipolartransistor wurde zur 
Modellierung des Earlyeffektes ein Widerstand parallel zur CE-Strecke 
eingefügt.

Bei dem JFET gibt es diesen Widerstand auch, dient er dort zu 
Modellierung des Earlyeffektes* bei Feldeffektransistoren?
(*richtiger Begriff ist wohl Kanallängenmodulation)

Besonders verwirrend ist, dass unser Prof den Strom durch diesen 
Widerstand 'i_ds' titelt. Mein Unterbewusstsein verbindet das dann 
sofort mit dem Gesamt-Drainstrom :(.

Vielen Dank!




https://de.wikipedia.org/wiki/Sperrschicht-Feldeffekttransistor#/media/File:JFET_Ersatzsch.svg
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M.A. S. #5498940
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JFET schrieb:
> Besonders verwirrend ist, dass unser Prof den Strom durch diesen
> Widerstand 'i_ds' titelt.
Manchmal unterlaufen Professoren auch einfach Irrtümer.   ;)

Ich würde raten, Ihn anzusprechen, entweder direkt nach der Vorlesung 
oder in seiner Sprechstunde (die für solche Dinge da ist).

Wenn Du Dich nicht an den Professor selber herantraust (was eigentlich 
Unsinn wäre): gibt es zu der Vorlesung Übungen, Labore, Tutorien, die 
von studentischen Hilfskräften (Tutoren) oder wissenschaftlichen 
Mitarbeitern (Assis) abgehalten werden, an die Du Dich wenden könntest?
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JFET Gast #5498971
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Joe F. schrieb:
> Und was war jetzt nochmal die Frage....?

JFET schrieb:
> Bei dem JFET gibt es diesen Widerstand auch, dient er dort zu
> Modellierung des Earlyeffektes* bei Feldeffektransistoren?
> (*richtiger Begriff ist wohl Kanallängenmodulation)



Natürlich könnte ich den Prof anschreiben, aber ich dachte diese Frage 
wäre so einfach das ein Forum schneller wäre. :(
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Helmut S. #5499048
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JFET schrieb:
> Joe F. schrieb:
>> Und was war jetzt nochmal die Frage....?
>
> JFET schrieb:
>> Bei dem JFET gibt es diesen Widerstand auch, dient er dort zu
>> Modellierung des Earlyeffektes* bei Feldeffektransistoren?
>> (*richtiger Begriff ist wohl Kanallängenmodulation)
>
>
>
> Natürlich könnte ich den Prof anschreiben, aber ich dachte diese Frage
> wäre so einfach das ein Forum schneller wäre. :(

Tipp: Einfach mal im Tietze-Schenk Halbleitertechnik nachschauen um sich 
eine Meinung zu bilden.
Dort ist Id die Summe der beiden Ströme
Id = ugs*S +uds/rds
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oldeurope O. Gast #5499066
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JFET schrieb:
> Grundsätzlich hat unser Prof alle Transistoren (BJT, MOSFET, JFET) als
> gesteuerte Stromquellen modelliert. Bei dem Bipolartransistor wurde zur
> Modellierung des Earlyeffektes ein Widerstand parallel zur CE-Strecke
> eingefügt.
>
> Bei dem JFET gibt es diesen Widerstand auch, dient er dort zu
> Modellierung des Earlyeffektes* bei Feldeffektransistoren?
> (*richtiger Begriff ist wohl Kanallängenmodulation)

"Technischer Durchgriff" D* ist die allgemeine Bezeichnung für
den Effekt.

LG
old.
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