Hallo, ich hab ein Problem bzw. eine Verständnissfrage. Warum hat mein Transistorsignal am Kollektor zwei Schaltplateaus? Ich hab mir gedacht das es vl vom Millereffekt stammen könnte, jedoch verstehe ich die ganze Sache noch nicht so richtig. In meiner Anwendung schalte ich mit einem +3,4V Rechteck der Länge 100ns mit einer Frequenz von 10kHz den Transistor Q101 um ein -9V Impuls zu bekommen. Der Kondensator C105 dient hier zum entkoppeln der 3,4V Spannung von der -9V Spannung. Achso das Eingansrechteck beginnt bei der sinkenden Flanke des Signals und endet nach dem ersten Plateau. Das zweite negativere Plateau ist nicht mehr innerhalb des Eingangsrechteck
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Daniel C. schrieb: > Warum hat mein Transistorsignal am Kollektor zwei Schaltplateaus? Das ist die Zeit, die es brauchtm die Basis auszuräumen, nach deinem Einschaltimpuls, und da so lange eine niedrigere Spannung an der Basis anliegt als zuvor, fliesst der Strom rückwärts über die 10nF statt über den Emitterwiderstand, damit sinkt die Spannung über den Emitterwiderstand was zu einer höheren BE-Spannung führt. Simuliere einfach mal 100 Impulse nacheinander, in 20ns Zyklus.
Daniel C. schrieb: > Achso das Eingansrechteck beginnt bei der sinkenden Flanke des Signals > und endet nach dem ersten Plateau. Das zweite negativere Plateau ist > nicht mehr innerhalb des Eingangsrechteck Lass dir doch mal den Basisstrom anzeigen... > Das zweite negativere Plateau ist nicht mehr innerhalb des > Eingangsrechteck Und viel kurioser ist, dass dort die Spannung negativer als deine Versorgung ist. Somit kommt diese Spannung woanders her. Der einzige Weg für eine zusätzliche Spannung ist die V3 über den C105. Das sind dann auch /genau die -10,4V-7V = -3,4V > um ein -9V Impuls zu bekommen. Den kannst du nie bekommen, selbst wenn der Transistor mit 0 Ohm durchschalten würde. du kannst entsprechend dem Spannungsteiler R2/R3 dort bestenfalls 8V bekommen. Und dann ziehst du da noch die Ucesat ab, und voila: die Schaltung bringt genau die möglichen 7V.
Dürfte an C 105 liegen. Bei den Rechteckflanken entstehen am Kondensator ein + und - Spannungsspike mit entladender e-Funktion. Man sagt dazu auch Verschiebeladung. Diese Spikes muss man entsprechend vorzeichenbehaftet rechnerisch beim Basistrom des Transistors mit berücksichtigen. Man muss das in Ströme umdenken, weil Ströme den Transistor steuern.
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Also den +Spike ist gut erkennbar, der -Spike ist aber im vergleich zum positiven fast doppelt so hoch oder ist das der zweite negative ausschlag, dann würden beide gleich groß sein.
Raymund Hofmann schrieb: > Basisstrom zu hoch. Sehe ich auch so. Bringt einen Spannungsabfall an R2, der das Plateau bildet. R2=0 und das Plateau ist weg. (Habe es aber noch nicht simuliert.) LG old.
Lothar M. schrieb: > Und viel kurioser ist, dass dort die Spannung negativer als deine > Versorgung ist. Somit kommt diese Spannung woanders her. Nee. Wenn Du Dir mal genau anguckst, wie der TO die Versorgungsspannung angeklemmt hat, siehst Du, warum das so wirr aussieht: Er hat den Pluspol seiner Versorgungsquelle auf Masse gelegt.
Es würde uns (und hauptsächlich dir) durchaus helfen, wenn du die V3 auch einblenden würdest... M.A. S. schrieb: > Er hat den Pluspol seiner Versorgungsquelle auf Masse gelegt. Schon klar. Aber allein aus er Versorgung mit -9V, die zudem über den Spannungsteiler R2/Uce/R3 gehen, können ohne weiteres Zutun niemals -10,5V werden...
C105 in Verbindung mit der Diodenstrecke Basis-Emitter. Ohne R20 waere es sogar moeglich, das nach ein paar Spikes das Signal am Ausgang immer schwaecher bis fast nichts mehr, veraendert.
> Basisstrom zu hoch. > Dürfte an C 105 liegen. > Wenn Du Dir mal genau anguckst, wie der TO die > Versorgungsspannung angeklemmt hat Alles richtig. Ich glaube, das sollte ein Aufmerksamkeits-Test werden, keine ernst gemeinte Frage.
In der Schaltung gibt es überhaupt gar keine Basisstrombegrenzung. Der Transistor kann nicht in NULL Zeit abschalten wie oben schon erwähnt. Wärend dieser Abschaltzeit sind Basis und Emitter immer noch quasi leitend verbunden, über C105 wird dann die negative Flanke des Steuersignals ohne Strombegrenzung auf den Emitterwiderstand geblasen und voila, der Emitter des Transistors wird sogar negativer als die 9V. Bei Dioden nennt man dass (Reverse) Recovery Time. Die sind bei Polaritätswechsel auch nicht sofort (zu) oder offen. Wenn du das Signal nicht verlängern willst, brauchst du einen schnelleren Transistor mit der Schaltung. Oder eine bessere Schaltung.
Stefanus F. schrieb: > Ich glaube, das sollte ein Aufmerksamkeits-Test werden, keine ernst > gemeinte Frage. Das ist interessant, ich simuliere gerade. Michael B. schrieb: > Das ist die Zeit, die es brauchtm die Basis auszuräumen, nach deinem > Einschaltimpuls, und da so lange eine niedrigere Spannung an der Basis > anliegt als zuvor, fliesst der Strom rückwärts über die 10nF statt über > den Emitterwiderstand, Gute Antwort. :-) LG old.
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Danke für die vielen Antworten, ich hab jetzt meinen C105 so angepasst das die Entladung viel kürzer geworden ist (von 0,1u auf 0,0003u) und den Emitterwiderstand kleiner gemacht um die Peakhöhe der entladung zu verkleinern.
Andreas M. schrieb: > brauchst du einen schnelleren Transistor mit der Schaltung. Oder eine > bessere Schaltung. Zweiteres... Was uns zur Frage führt: was soll denn das überhaupt werden? Woher kommt die V3 in der Realität und wofür brauchst du da -9V Pegel am Ausgang? Daniel C. schrieb: > ich hab jetzt meinen C105 so angepasst Viel Erfolg, das kannst du dann auch in jeder realen Schaltung so machen: am C105 so lange im pF Bereich herumbasteln, bis es irgendwie passt. Nur solltest du dann auch die Temperatur deiner Schaltung konstant halten...
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Hi, die Schaltung ist immer noch nicht "schön". Emitter-> Widerstand ist zwecklos. Grüße
das ist die erste Stufe meines Push-pull Treibers um einen Mosfet im nanosekundenbereich zu Schalten. Dieser macht dann einen -250V Impuls damit ich einen Photomultiplier gaten kann um kurze Fluoreszenzsignale zu messen. Hab schon eine Prototyplatine gemacht aber die ist noch verbesserungswürdig.
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Lass den C105 mal auf 10nF und Schalte 100 Ohm in Reihe. R2 kannst Du überbrücken. LG old.
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Dann wird aus dem 100ns Eingangsimpuls ein ca doppelt so langer
Daniel C. schrieb: > Dann wird aus dem 100ns Eingangsimpuls ein ca doppelt so langer Das mit dem anderen Transistor hast du schon beachtet? Merke: in dieser Bastelschaltung hast du so viele Abhängigkeiten, dass du nie eine Zeit garantieren kannst. Und schon gar nicht, wenn du die Schaltung noch ein zweites Mal aufbaust... > Dann wird aus dem 100ns Eingangsimpuls ein ca doppelt so langer Bau doch mal die andere Schaltung mit der Diode nach.
Wenn Du schnell werden willst, darf der Transistor nicht in Sättigung gehen. Der muss im Linear-Betrieb und als Verstärker arbeiten. Vorschlag: Steuersignal mit 50/50 Spannungsteiler gegen Masse. Mittelabgriff Spannungsteiler an Basis von PNP(!) Transistor. Emitter PNP Transistor per Widerstand an 3.4V (Ich vermute deine Schaltung läuft mit 3.3V) Kollektorwiderstand des Transistors gegen -9V (Für den Anfang). Abgriff des Signals am Kollektor. Spannungsteiler, Emitter und Kollektorwiderstand können(müssen) dann evtl so berechnet werden, dass Du im Off Zustand unter V_gsth(min) des Mosfets bleibst. [Edit: Zu doof zum Rechnen]
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Andreas M. schrieb: > Der muss im Linear-Betrieb und als Verstärker arbeiten. Pling (D.h.: Der Groschen ist gefallen.) Jetzt verstehe ich dani's Schaltung und erkenne den Zweck von R2. LG old.
Hi, Daniel C. schrieb: > das ist die erste Stufe meines Push-pull Treibers um einen Mosfet im es wäre ganz gut diese Schaltung zu sehen. Ich vermute mal, dass das nicht zusammenpassen wird, und wir fangen von vorn an. Grüße
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