Kurze MOSFET Verständnisfrage

[Hans P. (Gast)]

Hi,

habe Verständnisfragen zu MOSFETs. Zwischen dem Signal am Gate und dem 
Signal am Source anschluss entsteht eine Spannungsdifferenz.

1. Entsteht diese dadurch, dass die Gatekapazitäten geladen werden?

2. Welche Kenngröße ist für diese Differenz verantwortlich?
Woraum müsste ich bei der Wahl meines MOSFETs achten, um diese Differenz 
zu minimieren?

Vielen Dank schonmal

Gruß

[MiMa (Gast)]

Hallo,

tut doch was es soll?

Einige Punkte für Verbesserungen hätte ich dennoch:
-Gate mit 0V/12V schalten
-R1 weglassen
-Reihenfolge von R2 und Mos tauschen, damit der Mosfet mit Source auf 
GND liegt

Hans P. schrieb:
> Entsteht diese dadurch, dass die Gatekapazitäten geladen werden?

Nein. Das Gate ist "isoliert" zu Source und Drain. Deshalb kannst du da 
eine Differenz erzeugen.

[hinz (Gast)]

Hans P. schrieb:
> 2. Welche Kenngröße ist für diese Differenz verantwortlich?

Die Thresholdspannung.


> Woraum müsste ich bei der Wahl meines MOSFETs achten, um diese Differenz
> zu minimieren?

Keine Drainschaltung verwenden, sondern Souceschaltung.

[Elektrofan (Gast)]

1.) Nein.
2.) R2 sowie Strom durch R2.

[DCDC (Gast)]

Hallo,

der Mosfet wird hier in einer Art Drain Schaltung betrieben. Anders als 
bei der Kollektorschaltung von Bipolartransistoren, bei der Basis und 
Emitter um ca. 0,7V auseinanderliegen benötigt man hier beim N-Kanalfet 
eine Spannung UGS = UGSth + gfs*ID als Differenz - das erklärt denn 
UNterschied bei positiven Spannungen. Bei negativen Spannung kann der 
Transistor nicht mehr als ausgeschaltet sein, wodurch dort die Spannung 
auf 0V begrenzt ist.

Aber vermutlich willst Du denn Mosfet eher als Schalter betreiben?

Gruß DC/DC