Gast
#5522283
Hallo Leute, folgendes "Problem" bzw. Verständnisfrage: Ich habe eine Schaltung mit einer Versorgungsspannung von 36 Volt die mit einem P-Channel Mosfet geschaltet werden soll. Zum Sperren kann ich einfach die 36 Volt ans Gate legen, das ist mir klar. Um den FET nun durchzuschalten kann ich das Gate ja nicht einfach auf Ground legen, da ich sonst die Absolute Maximum Ratings bzgl. V(GS) um mehrere Volt überschreite (+-25V bei den meisten FETs und es wären in dem Falle ja - 36V). Ist das soweit richtig? Wie löse ich das nun schaltungstechnisch möglichst elegant und vor allem effizient? Ich muss ja dann so gesehen den Ground meines Treibers auf gut 16V halten um auf - 20V V(GS) zu kommen. High Current OpAmp wäre meine erste Idee gewesen, aber passende OpAmps sind viel zu teuer. Nächste Idee wäre ein Schaltregler mit entsprechender Ausgangskapazität um die Ladung des Gates aufzunehmen. Nachteil hier ist der hohe Bauteilaufwand und ständige Verlustleistung durch einen Lastwiderstand um die Spannung unten zu halten. Wie macht man das üblicherweise? Oder ist meine Annahme bzgl. V(GS) einfach nur falsch? Ich bin auf eure Antworten gespannt. :)

