Hallo, ich habe einen BLDC Motortreiber mit DRV8323 (GateDriver IC) gebaut. Im Anhang ein Schaltvorgang von Low Side on nach High Side on. Blau: Low Side Gate spannung Gelb: Phasenspannung Motor Grün: High Side Gate Spannung Orange: Strom Low side (An 1mOhm Shunt widerstand) Man sieht dass ganz ganze beim Einschalten der High Side und hochziehen der Strangspannung sehr stark schwingt. Ich kann mir aber nicht vorstellen, dass am 1mOhm (milliohm) shunt 20V Peak anliegen. Das wären 20000A. Ist das ein Messfehler? Die Schwingung sind so ungefähr 100Mhz. Das ist wohl die Windungsinduktivität mit der Kapazität der Schaltung. Ich habe schon viel probiert mit Ändern der Schaltgeschwindigkeit und Dead time. Es ändert aber nicht viel an der Sache. Wenn ich einen Kondensator von der Phasen nach Masse lege ändert sich die Frequenz der Schwingung. Aber es schwingt um einiges länger nach. Wahrscheinlich kann ich die Schwingung nur mit einem Snubber dämpfen oder? Die Auslegung des Snubbers verstehe ich aber nicht so ganz. Wie groß sollte der Widerstand und wie groß der Kondensator sein? Gibt es andere Möglichkeiten diese Schwingungen zu verringern bzw. zu elliminieren?
Daniel S. schrieb: > Die Schwingung sind so ungefähr 100Mhz. Das ist wohl die > Windungsinduktivität mit der Kapazität der Schaltung. Ich vermute mal, das deine Verkabelung bzw. das Layout eines der Probleme ist. Das sieht so aus, als hättest du da viel zu lange und dünne Drähtchen und auch der Massebezug deines Oszis ist verbesserungsfähig. Wenns kein Geheimnis ist, poste mal Bilder deines Aufbaus.
Daniel S. schrieb: > Ist das ein Messfehler? So ist es Daniel S. schrieb: > Gibt es > andere Möglichkeiten diese Schwingungen zu verringern bzw. zu > elliminieren? Wie misst du denn derzeit?
Daniel S. schrieb: > Ist das ein Messfehler? Teils teils vermutlich. Es ist nicht 1mOhm, sondern 1uH (oder gar Nanohenry) also das Layout der Platine und die Leitung zu Scope, womöglich mit langer Massekrokoklemme angeklemmt statt direkt Koax-SMA Messpunkt auf der Platine. Daniel S. schrieb: > Wahrscheinlich kann ich die Schwingung nur mit einem Snubber dämpfen Nein, durch guten Aufbau. Hohe Ströme, schnell gechsaltet, wollen niederinduktivsten Aufbau.
Hi, danke für die Antworten. Ich habe alle Masseleitungen entfernt und am Tastkopf für den Shunt eine Massefeder benutzt. Es sieht jetzt etwas besser aus aber immer noch nicht ideal :-) Siehe Anhang Kann man das überhaupt richtig messen? Wie würde der Aufbau dann aussehen?
Ich habe jetzt ein koaxkabel zum Oszi geführt. Die Massen vom Koax auf die Shunt masse und vom Shunt zum innenleiter einen 50Ohm widerstand. Das oszi dann auf 50Ohm abschluss gestellt. Wieder eine Nummer besser aber ob das die richtige Messung ist?
Hi, naja es wird immer besser mit dem Messen. Mein Layout würde ich ungern hier posten. Es ist aber alles recht klein. Es wurde schon versucht die Versorgung auf durchgehenden Masseflächen zu gewährleisten. Kondensatoren nahe an die Mosfets. Alles möglichst kurze verbindungen. Hier nochmal ein Bild einer Messung. Vom Shunt zum Oszi mit Koax. Rest tastköpfe Gelb: Shunt (1mOhm) Grün: HS gate spannung Orange: Phasenspannung Blau: LS Gate spannung Das Bild wurde unter Last gemacht (ca 60A Phasenstrom wen LS on). Was ich komisch finde ist der Anstieg der Shuntspannung wenn der LS Transitor leitend wird. Ist das wieder ein Messfehler? Wenn ich weniger Last am Motor habe, dann ist dieser Anstieg bedeutend kleiner.
Daniel S. schrieb: > Gelb: Shunt (1mOhm) > Grün: HS gate spannung > Orange: Phasenspannung > Blau: LS Gate spannung Ja, du hast einen shoot thru, also dein low Side leitet schon bevor der high Side abgeschaltet hat. Diese kurze Stromspitze führt natürlich zu massivem Klingeln.
:
Bearbeitet durch User
Hi, dachte ich auch erst. Aber die High side ist doch schon lange auf low (differenz grün und orange) wenn die Low side gate spannung ansteigt. Edit: hab grad nochmal ne Messung mit massiv langer dead time (>500ns) gemacht und es ändert sich nichts am Bild
:
Bearbeitet durch User
Hallo nochmal, der Strom den man sieht wann man die high side einschaltet und die Phasenspannung nach oben zieht ist der Strom der benötigt wird die Drain-Source Kapazität umzuladen (plus alle anderen Kapazitäten die da noch so dran hängen). Je langsamer man das tut, je kleiner ist der Peakstrom (dafür aber länger) und um so kleiner ist das Klingeln
Um zu beurteilen wann welcher FET leitend ist, würde ich einfach direkt die die Drain-Source-Spannungen messen. Aber mir sieht das auch nicht nach Shoot-Through aus. Die ~200ns Totzeit in der Gate-Ansteuerung sollten schon reichen.
Was für Schalter hast du und wie hoch ist deine Zwischenkreisspannung? Wie hoch sind die Gatewiderstände (high und low side, Ein- und Ausschalten)? Die riesige Stromspitze kann vor allem durch das Reverse Recovery der Bodydiode zustande kommen. Die gezeigten Kurvenverläufe zeigen die harte Schaltflanke - wie sieht denn die weiche Flanke aus?
Hi, also die Mosfets sind BSC039N06NS. Die Versorgung ist 24V aus einem LiPo akku (6s). Wie gesagt ist ein DRV8323 von TI als Treiber. Das ist ein integrierter Treiber welcher über SPI parametrisiert werden kann. So kann man für HS und LS jeweils den Gatestrom für steigende und fallende Flanke einstellen. Der Bereich geht bis 2A fürs Ausschalten und bis 1A fürs Einschalten der Mosfets. Ich bin mir nun auch sicher, dass die Stromspitzen die man am Shunt sieht vom Recovery Strom rühren. Verstärkt durch den Aufbau der Messung. Ich habe jetzt einen 50Ohm widerstand am Shunt und danach eine Koaxleitung ans Oszi gemacht. Dort auf 50Ohm Abschluss gestellt. Das Klingeln danach wird eine Mischung aus Messaufbau und Induktivität des PCBs sein. Mich würde halt interessieren wie man soetwas möglichst genau vermisst und dann diese Effekte verringert. Auch würde mich noch interessieren warum die Reverse Recovery bei hohem Laststrom höher ist als bei geringem Laststrom. Liegt das daran, dass bei hohem Strom mehr Ladungen im innern der Diode verschoben werden müssen?
Daniel S. schrieb: > Auch würde mich noch interessieren warum die Reverse Recovery bei hohem > Laststrom höher ist als bei geringem Laststrom. Liegt das daran, dass > bei hohem Strom mehr Ladungen im innern der Diode verschoben werden > müssen? Richtig. Die Reverse Recovery Ladung ist eigentlich proportional zum Strom. Praktisch spielen dabei jedoch eine ganze Reihe weiterer Einflüsse eine Rolle, ganz besonders die Temperatur und die Abschaltgeschwindigkeit. Mach doch noch eine Aufnahme von der weichen Flanke. Reverse Recovery hast du nur beim harten Schalten, bei der weichen Flanke müsste der Strompeak verschwinden. Daniel S. schrieb: > Mich würde halt interessieren wie man soetwas möglichst genau vermisst > und dann diese Effekte verringert. Was möchtest du denn genau messen? Je nach dem was du messen willst kann das sehr schwierig bis total unmöglich sein, man kann da auch einiges falsch machen und sich über komische Ergebnisse wundern.
Bitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.