Hallo, ich möchte gern einen Power-MOSFET mit dem MOSFET-Treiber TI UCD7100 schalten. Dieser besitzt eine Strommessfunktion. Bei der Überschreitung einer Stromschwelle, die über den Pin "ILIM" eingestellt werden kann, wird das Gate auf Low geschaltet. Bei der Strommessung wird die Spannung zwischen CS (Current Sense) und AGND gemessen und mit dem Wert von ILIM verglichen. Sobald die Spannung CS also größer als die eingestellte Spannung ILIM, wird abgeschaltet. (So habe ich das verstanden) Mein Problem ist: Im normalen Betrieb wird das Ganze gut gehen, da CS bei korrekter Auslegung kleiner ist als ILIM. Sobald aber das Gate auf Low geschaltet wird, liegen an CS jedoch die vollen 30 V an. Dies würde wahrscheinlich den Treiber zerstören. Ich komme leider auf keine Idee, wie ich dieses Problem lösen könnte. Habt ihr Ideen ? Ich bin leider noch neu, ich bitte formale Fehler in der Zeichnung zu entschuldigen.
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Eigentlich schaltet man den Treiber mit ab. So machen wir das. Ich bin dafür aber nicht zuständig und kenne die Schaltungsdetails nicht. Kann ich dir aber am Montag besorgen.
Üblicherweise benutzt man nicht den MOSFET selbst als Sense-Resistor sondern setzt einen dedizierten Widerstand zwischen MOSFET und GND ...
foobar schrieb: > Üblicherweise benutzt man nicht den MOSFET selbst als > Sense-Resistor > sondern setzt einen dedizierten Widerstand zwischen MOSFET und GND ... Richtig, dies würde mein Problem Lösen. Aus Effizienzgründen möchte ich jedoch, falls es irgendwie geht, das Ganze über den Spannungsabfall des MOSFETs lösen.
letsbegin schrieb: > Richtig, dies würde mein Problem Lösen. Aus Effizienzgründen möchte ich > jedoch, falls es irgendwie geht, das Ganze über den Spannungsabfall des > MOSFETs lösen. Ohne näher darüber nachgedacht zu haben: Könnte man das Prinzip "desaturation detection" anwenden, so wie es bei IGBTs der Fall ist? http://www.ti.com/lit/ug/tiduc70a/tiduc70a.pdf Kapitel: 2.1.5 Viel Erfolg. EDIT: Heißt, pack Dioden zwischen Drain und Gatetreiber.
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letsbegin schrieb: > Aus Effizienzgründen möchte ich > jedoch, falls es irgendwie geht, das Ganze über den Spannungsabfall des > MOSFETs lösen. Wenn ich das richtig sehe, kann man den Current Limit Eingang bei 0,25V auslösen lassen. Bei 30V Versorgung sind das weniger als 1% Verlust. Was für eine Raketentechnik soll das denn werden daß du dir diese ca. 0,8% Verlust nicht leisten kannst? Klingt für mich eher nach einem eingebildetem Problem.
> Aus Effizienzgründen möchte ich jedoch, falls es irgendwie geht, > das Ganze über den Spannungsabfall des MOSFETs lösen. Dummerweise ist der Spannungabfall aber im ausgeschalteten Zustand maximal und verhindert dadurch das Einschalten. Meinst du, das bekommst du mit weniger als einem Widerstand zurechtgebogen?
Um welchen Strom geht es denn überhaupt? Davon abgesehen, daß ich bezweifle, daß Du einen J-FET als Hochstrom-Schalter benutzen willst. Je höher der Strom, desto kleiner kann und muß der Shunt-R sein. Natürlich ergibt das gewisse (kleine) Verluste, aber wenn Du damit unglücklich bist, aber auch keine komplexere Schaltung (transformatorischer Stromwandler, Hallsensor, ...) hinzufügen willst, wirst Du Dich mit diesem Konzept schwer tun.
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Wenn du mal einen halbwegs aufmerksamen Blick ins Datenblatt geworfen hättest, wüsstest Du dass deine Schaltung komplett verkehrt ist.
letsbegin schrieb: > Hallo, > > ich möchte gern einen Power-MOSFET mit dem MOSFET-Treiber TI UCD7100 > schalten. > > Dieser besitzt eine Strommessfunktion. Bei der Überschreitung einer > Stromschwelle, die über den Pin "ILIM" eingestellt werden kann, wird das > Gate auf Low geschaltet. Bei der Strommessung wird die Spannung zwischen > CS (Current Sense) und AGND gemessen und mit dem Wert von ILIM > verglichen. Sobald die Spannung CS also größer als die eingestellte > Spannung ILIM, wird abgeschaltet. (So habe ich das verstanden) > > Mein Problem ist: Im normalen Betrieb wird das Ganze gut gehen, Nein. es zerlegt den armen Treiber SOFORT nach dem Einschalten. > da CS > bei korrekter Auslegung kleiner ist als ILIM. Sobald aber das Gate auf > Low geschaltet wird, liegen an CS jedoch die vollen 30 V an. Dies würde > wahrscheinlich den Treiber zerstören. Richtig. > > Ich komme leider auf keine Idee, wie ich dieses Problem lösen könnte. > Habt ihr Ideen ? Ich bin leider noch neu, ich bitte formale Fehler in > der Zeichnung zu entschuldigen. Das sind keine formalen sondern grundsätzliche Fehler. Magnetus hat es schon erwähnt: halte Dich ans Datenblatt und LESE es vorher bevor Du solchen Unsinn wie vorgeschlagen machst. Denn wenn du das so machst wie gehabt dann kommst Du gleich wieder und jammerst das Dir der Chip ständig stirbt. MiWi
Für Deinen Fall wurde in der Vergangenheit der sogenannte SensFET (auch als MOSFET) entwickelt. Zum Beispiel: NXP Semiconductors, AN10322, Current sensing power MOSFETs
https://www.infineon.com/dgdl/ir25750lpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ca1d0e16f7 Und fast jeder fet kann als shunt eingesetzt werden ist halt unlinear wegen Temperatur...
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