Hallo, ich würde gerne mit nur einem Taster, sowohl ein- als auch ausschalten, sowie einen einfachen "mode" Button realisieren. Ich arbeite mit einem Bluetooth SoC mit einem ARM Cortex M4F, zusätzlich muss ich auf stromsparen achten, da es batteriebetrieben ist. Das Problem ist, mein verwendeter Buck Converter von TI hat einen Enable Pin, das heißt dieser braucht ein High (1.1V ist der High Threshold) um die 2,5V für den µC bzw. die Peripherie zu erzeugen. Im Anhang ein "Prinzipschaltbild" Das Hauptproblem ist meines Erachtens, dass ich bei drücken des Tasters die Batteriespannung (3V - 5,5V) an den µC schalten muss, absolute maximum Ratings für die GPIO sind Vcc + 0.3V also 2.8V maximal. Einfach nur die Diode gegen Vcc ist vermutlich etwas gewagt oder? Hat jemand eine bessere Idee, wie man diesem Problem begegnen kann?
Hallo, > Karl schrieb: > ich würde gerne mit nur einem Taster, sowohl ein- als auch ausschalten, Du hast in der Schaltung einen Taster mit Wechslerkontakt, ist das in Praxis auch tatsächlich so? Kannst du für die Sache noch einen zweiten GPIO-Pin spendieren? Dann hätte ich eine gute Lösung, wo du mit einem Taster ein und ausschalten und damit auch noch weitere Funktionen realisieren kannst. > Hat jemand eine bessere Idee, wie man diesem Problem begegnen kann? Ja, ich würde zuerst mal einen p-FET in der +Us-Leitung setzen und die ganze Sache mit einer Selbsthalteschaltung versehen. Der Taster soll in gedrückter Pos. die SV einschalten, der uC muß diese dann mit einem Ausgang halten, solange gewünscht. Mit dem zweiten GPIO-Pin kann der Öffnerkontakt des Tasters überwacht werden. Je nachdem welches Tastmuster du drückst, kannst du darauf Aktionen starten, z.B. auch die Selbsthalteschaltung wieder löschen. Das ganze braucht nur einen FET und ca. 3...4 Widerstände. Der Rest ist Software. Gruß Öletronika
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Guten Abend, vor ein paar Tagen hatten wir das Thema schon, ich habe es so gemacht: http://www.f-w-eppers.homepage.t-online.de/OnOffSW/OnOff.gif gemacht, allerdings in bipolar, läßt sich übersetzen in FET, der Taster kann weiterhin z.B. für Modus... verwendet werden, bei langem Drücken wird mein Gerät ausgeschaltet. mfG ffje
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Karl schrieb: > Im Anhang ein "Prinzipschaltbild" C1 und D3 sind sogar überflüssig wenn R2 hochohmig genug ist, entprellt wird in Software. Aber an EN kann ein pull down nötig sein.
Frank E. schrieb: > läßt sich übersetzen in FET "in FET" lässt es sich dann mit Doppeltransistor, Doppeldiode und einem Pull-Up Widerstand aufbauen. Den Doppeltransistor gibt es auch extra für diesen Zweck gemacht z.B. von Vishay den Si1865DL im SC70-6 Gehäuse.
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