Guten Tag, ich habe ein kleines Projekt, bei dem ich die statische Entladung von einer Person demonstrieren möchte. Dabei soll ein Mos-Fet (in diesem Fall 2N7000) zerstört werden, der beispielsweise als Schalter für eine LED fungiert. Theoretisch müsste man sich ja nur über den Mos-Fet entladen, da die Spannung die Gate Isolations-Schicht zerstören sollte... oder liege ich da Falsch? Anbei eine kleine Skizze zu meinen Überlegungen und das Datenblatt von dem Mos-Fet. Vielen Dank im Voraus
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NRCZJ schrieb: > Anbei eine kleine Skizze zu meinen Überlegungen D3 wird deinen Versuch vereiteln. Lass sie weg. Achso, die LED braucht natürlich einen Vorwiderstand. Ist ja keine Glühlampe. Wofür sollte D1 gut sein?
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D1 ist auch für die Katz. Da gehört eher ein Widerstand hin.
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Meine erste Idee vor ein paar Tagen sah so aus (Bild). Ich wollte noch, dass die LED blinkt, aber es zu Testzwecken erst einmal ganz einfach halten. Bin leider noch auf Reisen und wollte wissen, ob das Grundkonzept stimmen könnte, bevor ich mir zu viele Hoffnungen mache.
Da hat deine LED zumindest einen Vorwiderstand :), aber die Diode am Gate des FETs hast du auch dort schon drin. Laut Schaltbild ist das eine Schottky-Diode. Diese haben eine relativ geringe Spannungsfestigkeit, sodass sie die gefährliche Ladung recht gut ableiten wird, sodass das Gate des FETs keine zu hohe Spannung bekommt. Die Blinkerei wird nicht viel bringen. Lass es lieber bei einer einfachen LED. Damit kannst du dann auch prima die Hochohmigkeit des FET-Eingangs demonstrieren: lade dich nur „ein bisschen“ auf und tippe das Gate an, dann geht die LED an (je nach Polarität der Ladung natürlich). Fasse Gate und Masse zugleich an, und sie geht wieder aus.
Nimm lieber einen JFET als so einen Kleinsignal-Mosfet für bis zu +-20Vgs. Die JFETs sind da deutlich empfindlicher. Vor allem die, die für höhere Frequenzen konzipiert wurden.
Gerd E. schrieb: > Die JFETs sind da deutlich empfindlicher. JFETs gegen ESD? Die haben doch 'ne normale Diode im Eingang, warum sollte die empfindlicher sein als die paar Atomlagen dünne Gateoxidschicht eines MOSFETs?
Der FET wird in dieser Schaltung niemals kaputtgehen. Warum? Weil alle Bauteile nur dann kaputtgehen, wenn sie es nicht dürfen und niemals, wenn sie kaputtgehen sollen.
Jörg W. schrieb: > JFETs gegen ESD? Die haben doch 'ne normale Diode im Eingang, Ganz normal ist die nicht, sondern eine echte Mimose. Ich habe jedenfalls schon einige BF245 kaputtgemacht, einen Power-Mosfet (der 2N7000 ist auch einer) noch nie. Es kommt nicht auf die Spannung an, mit der man geladen ist, sondern ob die Energie ausreicht, die Gate-Kapazität auf eine gefährliche Spannung aufzuladen. BF245: 3pF 2N7000: 60pF Ich rechne mit einem neuen Thread mit dem Titel: >Der Mosfet geht nicht kaputt, was soll ich tun?<
NRCZJ schrieb: > Theoretisch müsste man sich ja nur über den Mos-Fet entladen, da die > Spannung die Gate Isolations-Schicht zerstören sollte... oder liege ich > da Falsch? Die Frage, die ich mir stelle ist folgende: Wie verhält sich denn eigentlich ein durch ESD zerstörter MOSFET? Dauerisolierend oder dauerleitend? Und: Woran würde man den Defekt in Deiner Schaltung bemerken? Wenn Du eine LED MOSFET-gesteuert blinken lassen würdest, täte man den Defekt bemerken.
M.A. S. schrieb: > Wie verhält sich denn eigentlich ein durch ESD zerstörter MOSFET? > Dauerisolierend oder dauerleitend? Leitend
der schreckliche Sven schrieb: > einen Power-Mosfet > (der 2N7000 ist auch einer) Mit 'nem Dauerstrom von 200mA? Nicht in meiner Welt... der schreckliche Sven schrieb: > 2N7000: 60pF Ein Mensch hat gegen Erde eine Kapazität in der Größenordnung von mehreren hundert pF. D.h., dass nach dem Umladen auf 60pF immer noch deutlich mehr als die Hälfte der ursprünbglichen Spannung vorhanden ist, was mehr als genug zu Anrichten von Schäden wäre.
Wenn du alle Dioden außer der LED weglässt und einen Vorwiderstand einfügst - hast Du ein Chance. Aber der Minuspol muss Kontakt zu Erde haben während die Person von Erde isoliert und aufgeladen ist (Gummisohlen, Gummimmatte) Wenn nun die aufgeladene Person den Finger in Richtung Kontaktfläche bringt und ein Funke fliegt - ist die Chance eines Defekts gegeben. (Stichwort: Potentialdifferenz - Daumenwert 1kV pro Millimeter Funkenflug) Es wäre aber schlauer eine 9 V - Batterie zu nehmen und einen Taster+Vorwiderstand zum Gate zu schalten. Damit kannst Du die Funktionalität zum Vorher / Nachher Test machen... Vorher: LED leuchtet wenn Taste gedrückt. (Du benötigst auch noch einen Pulldown am Gate zur Entladung des Gate - Daher Vorschlag: Vorwiderstand Taster 1K, Pulldown 47k) Nachher: Tastendruck spielt keine Rolle (LED leuchtet dauernd oder gar nicht mehr....) Gruß Thilo
Mit einem Piezozündelement, wie es z.B. in Feuerzeugen u. Gasanzündern vorhanden ist, solltest du den MOSFET zuverlässig killen können :-)
Ben B. schrieb: > Der FET wird in dieser Schaltung niemals kaputtgehen. Warum? Weil alle > Bauteile nur dann kaputtgehen, wenn sie es nicht dürfen und niemals, > wenn sie kaputtgehen sollen. Auch bekannt als "Vorführeffekt". Schade daß dich ein paar humorbefreite Spaßbremsen abgewertet haben.
Ich weiß ja nicht, was der Sinn der Demonstration sein soll: Dass speziell MOSFETs durch ESD zerstört werden können oder dass allgemein Bauteile zerstört werden können. Falls letzteres der Fall ist, könnte die Schaltung sehr viel einfacher sein: eine (hinreichend empfindliche) LED mit Vorwiderstand, versorgt mit einer Batterie. Bei einer Produktvorstellungsveranstaltung (ich meine es wäre von Vishay gewesen) hat sich einer den Spaß gemacht und reihenweise weiße LEDs per ESD dauerhaft abgeschaltet. (Der Sinn bestand darin, zu zeigen, dass man dieses mit geeigneter Schutzbeschaltung verhindern kann.) Zurück im Büro wollte ich das dann nachstellen (ich habe für derlei Versuche eine Arme-Leute-ESD-Pistole, die mittels eines Piezzo funktioniert) und nahm einen großen Sack von LEDs, die ich nicht einsetzten mag, weil mir deren Farbe absolut missfällt (dieses häßliche möchtegern-Grün, dass mehr ins gelbliche geht, ich nenne die Farbe gerne 'spinat-fahl', zudem leuchten die auch noch recht dunkel). Und was soll ich Euch sagen? Diese Mistdinger waren nicht mal dazu gut, sie gingen einfach nicht kaputt. Eine weiße oder blaue LED dagegen: ein Schuss genügt...
M.A. S. schrieb: > Und was soll ich Euch sagen? Diese Mistdinger waren nicht mal dazu gut, > sie gingen einfach nicht kaputt. Eine weiße oder blaue LED dagegen: ein > Schuss genügt... Tja, InGaN vs. GaAs... Viele weiße HighPower-LEDs haben deshalb einen ESD-Schutz eingebaut. Ein bekannter europäischer Hersteller nimmt dazu eine kleine rote LED, die antiparallel geschaltet wird. Zenerdioden müsste man zukaufen :-)
soul e. schrieb: > Ein bekannter europäischer Hersteller nimmt dazu eine kleine rote LED, > die antiparallel geschaltet wird. Sieht man die eigentlich leuchten? ;-)
Jörg W. schrieb: > Sieht man die eigentlich leuchten? ;-) Müsste man ja eigentlich, wenn man sie verpolt. Edit: wobei: wenn die weißen Leitstungs-LEDs sind und die roten nur für geringen Strom ausgelegt sind und das ganze in der für den Normalbetrieb der weißen ausgelegten Umgebung angeschlossen wird, könnte das rote Leuchten recht kurz ausfallen...
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Beim Verpolen leuchtet sie, und bei ESD-Beschuss blitzt es. So haben wir das ja rausgefunden. Der Student kam etwas irritiert vom ESD-Test wieder und meinte, die Bonddrähte hätten geglüht...
soul e. schrieb: > Der Student kam etwas irritiert vom > ESD-Test wieder und meinte, die Bonddrähte hätten geglüht... YMMD M.A. S. schrieb: > Wie verhält sich denn eigentlich ein durch ESD zerstörter MOSFET? > Dauerisolierend oder dauerleitend? Kann man nicht vorhersagen, und Kennlinie ändert sich bei einem "angeknackstem" 2n7000 nachträglich täglich. BTDT 9V-Block an 2n7000 als Spannungsfolger ("pimp my 10MOhm DMM" lange Geschichte, egal), zweck erfüllt. Danach Missbrauch als Spielzeug (ausserdem wollte auch ich es wissen): LED (mit Rv natürlich) im Source-Kreis. Am Gate herumgetragen (teppichboden) tolle Ergebnisse, blinkt lustig. Unkaputtbar. Nächster Schritt zur Zesrstörung: PE am langen Draht angeklemmt. Rumlaufen: Unkaputtbar. Einmal hüpfen: KAPUTT! LED blieb an, selbst mit Brücke von Gate nach 0V. Also Kurzschluss D-S. Feierabend! Einen Tag später (um Missverständnissen vorzubeugen: 9V-Block erneut angeclipst, war nicht die ganze Nacht connected): LED aus! Selbst mit 10k Pullup (gegen +9V) am Gate nicht mehr anzubekommen. D-S offen. Danach: Mit 0Ohm gehts, offensichtlich kurzzeitig 10mA? übers Gate geflossen (weiss der Geier welchen Rv ich an der LED hatte, damals nicht dokumentiert, der Klumpen war ja nurnoch zum Spielen)....und danach ging das Teil anscheinend wieder irgendwie! (Blinken beim Teppichlauf) Lange ists her, war wahrscheinlich im Winter, dh trockene Luft durch Heizung. Jetzt bin ich Neugierig, und finde das alte Teil sogar jetzt wieder LOL. TEST: funzt :D Blinkt beim laufen. TEST2 Daumen als Spannungsteiler auf dem Batt-connector, andere Hand am Gate, "minimale" Helligkeit einstellen, Gate loslassen. Diese Helligkeit steht schon mehr als zehn Minuten stabil. FAZIT: Einen defekten Mosfet kann man reparieren! STAUN! > Und: Woran würde man den Defekt in Deiner Schaltung bemerken? "bemerken" hier als Stichwort aufgegriffen: Eine einfache Testschaltung ist 9V-Block mit 6K8Ohm als RV (aka 1mA Konstantstromgeber für arme Leute) und Messen der Uds bei Ugs=Uds, also Gate mit Drain verbinden (normalerweise 0Ohm, hier zum Testen gerne mit 100MOhm) und den MF als "zweipol" bestromen. Besser, aber aufwändiger: HF-verhalten testen. Einzige wirkliche Lösung: einen einmal kaputten nie wieder produktiv einsetzen. Aber als Spielzeug.... Genug OT. @TO NRCZJ Bau das Ding als Sourcefolger, nicht als Schalter (also Drain an +9V, an Source die Led mit Rv gegen 0V), dann kann man zumindest einfache "Daumen-spannungsteiler-tests" völlig ohne weiteres Messwerkzeug mit den eigenen Sinnen durchführen. Auf die Zerstörungswirkung der Gate-Isolation bei Elektrostatik hat das keinen Einfluss. HTH
2 Cent schrieb: > LED blieb an, selbst mit Brücke von > Gate nach 0V. Also Kurzschluss D-S. Feierabend! Weil es nie ein Durchlegieren war, und auch kein irreversibler Durchschlag (Energiegehalt/Zeit zu gering), sondern wohl der Effekt, das gequälte Teil kurzzeitig in einen selbstleitenden Typ verwandelt zu haben... und das ist dann reversibel? Etwas, also so ein ganz klein wenig verwirrend, ist das schon. :) 2 Cent schrieb: > FAZIT: Einen defekten Mosfet kann man reparieren! STAUN! Harrrghh... ich muß da mal eigene Tests anleiern. Und dabei wenigstens mit ein bißchen Genauigkeit versuchen. Die ganzen ESD Modelle sind zum Teil recht eng spezifiziert. Aber ich will ja gar nicht zerstören, ich will selbstleitende FETs bauen... Evtl. eine Stromquelle bis in den µA Bereich einstellbar, aber welche Compliance, damit man jedes denkbare Gate schafft? Nieder- ohmig (hoher erlaubter Strom) würde es vielleicht schon knapp über den Datenblatt-Specs kaputtgehen, aber ich will ja eher "vorsichtig degradieren". Mal sehen. Hast mir Flausen in den Kopf gesetzt, 2Cent! ;-)
NRCZJ schrieb: > Dabei soll ein Mos-Fet (in diesem Fall 2N7000) zerstört werden, > der beispielsweise als Schalter für eine LED fungiert. Und das einzige "Messgerät", das diese "Zerstörung" dokumentieren kann, soll ebenso diese LED sein. So wird das nix. Denn "zerstört" heißt hier nicht, dass der FET nicht mehr binär schaltet (das ist ja der Extremfall), sondern dass einfach irgendwelche anderen Daten aus dem Datenblatt nicht mehr eingehalten werden. Es kann also sein, dass einfach nur die Ugsth nicht mehr den Daten im Datenblatt entspricht. Das nachzuweisen erfordert aber deutlich detailiertere Messmittel alls nur eine simple LED. NRCZJ schrieb: > wollte wissen, ob das Grundkonzept stimmen könnte Du baust da eine Art Zufallsgenerator, denn es wird nicht reproduzierbar das passieren, was du sehen willst.
Man könnte das gewünschte Verhalten auch mit einem kleinen µC versteckt simulieren. Dadurch hält sich auch der FET-Verbrauch in Grenzen.
Vielen dank für die Zahlreichen Antworten! Ich werde mal die Liste einfach abarbeiten: Ben B. schrieb: > Der FET wird in dieser Schaltung niemals kaputtgehen. Die Dinger gehen ja teilweise schon kaputt wenn man sie in die Hand nimmt... Deswegen wollte ich sie ja verwenden. M.A. S. schrieb: > Die Frage, die ich mir stelle ist folgende: > > Wie verhält sich denn eigentlich ein durch ESD zerstörter MOSFET? > Dauerisolierend oder dauerleitend? > > Und: Woran würde man den Defekt in Deiner Schaltung bemerken? > > Wenn Du eine LED MOSFET-gesteuert blinken lassen würdest, täte man den > Defekt bemerken. Genau das war meine erste Idee! Natürlich habe ich eben meinen fundamentalen Fehler entdeckt! In meiner Skizze funktioniert der FET nur als Schalter und wird nicht vom Blinksignal gesteuert... M.A. S. schrieb: > Ein Mensch hat gegen Erde eine Kapazität in der Größenordnung von > mehreren hundert pF. D.h., dass nach dem Umladen auf 60pF immer noch > deutlich mehr als die Hälfte der ursprünbglichen Spannung vorhanden ist, > was mehr als genug zu Anrichten von Schäden wäre. War auch so meine Hoffnung. THaala schrieb: > Wenn du alle Dioden außer der LED weglässt und einen Vorwiderstand > einfügst - hast Du ein Chance. > > Aber der Minuspol muss Kontakt zu Erde haben während die Person von Erde > isoliert und aufgeladen ist (Gummisohlen, Gummimmatte) So viel habe ich auch schon verstanden zum Thema, ich werde es ende der Woche mal ausprobieren. Mit schalter zum testen und ohne irgendwelche Dioden. Gerald B. schrieb: > Mit einem Piezozündelement, wie es z.B. in Feuerzeugen u. Gasanzündern > vorhanden ist, solltest du den MOSFET zuverlässig killen können :-) Wäre ne super Methode zum schnellen Testen ohne mit Kunstfaser Kleidung durch die Wohnung zu rennen. XD Ich kann mich erinnern mal einen Elektroschocker (So ein Spaßteil zum Freunde ärgern) mit einem Piezoelement in ner Kaugummipackung gebaut zu haben M.A. S. schrieb: > Ich weiß ja nicht, was der Sinn der Demonstration sein soll: > Dass speziell MOSFETs durch ESD zerstört werden können oder dass > allgemein Bauteile zerstört werden können. Es soll demonstriert werden, das nur die Statische-Aufladung, die eine Person im Alltag unbewusst erreichen kann ohne Probleme ausreicht um ein Halbleiterbauelement zu zerstören. M.A. S. schrieb: > Falls letzteres der Fall ist, könnte die Schaltung sehr viel einfacher > sein: > eine (hinreichend empfindliche) LED mit Vorwiderstand, versorgt mit > einer Batterie. Ja wär auch eine gute Idee, aber ich habe eine kleine Schachtel mit bestimmt 150 2N7000 (keine Ahnung wo die her kommen...) und verwende diese eigentlich für nichts! soul e. schrieb: > Viele weiße HighPower-LEDs haben deshalb einen ESD-Schutz eingebaut. Ein > bekannter europäischer Hersteller nimmt dazu eine kleine rote LED Das ist ja mal sehr Interessant, da kann man bestimmt auch lustiges mit anstellen ;) 2 Cent schrieb: > Bau das Ding als Sourcefolger, nicht als Schalter (also Drain an +9V, an > Source die Led mit Rv gegen 0V), dann kann man zumindest einfache > "Daumen-spannungsteiler-tests" völlig ohne weiteres Messwerkzeug mit den > eigenen Sinnen durchführen. Auf die Zerstörungswirkung der > Gate-Isolation bei Elektrostatik hat das keinen Einfluss. Werde ich auch ausprobieren! Danke Hierfür Lothar M. schrieb: > Du baust da eine Art Zufallsgenerator, denn es wird nicht reproduzierbar > das passieren, was du sehen willst. Okay, das Risiko werde ich eingehen. Ich denke den weg zu gehen tatsächlich den FET als ,,Schalter" für die LED zu verwenden, aber mit Blinksignal ans Gate, sodass, falls er selbst-leitend wird, Die LED nicht mehr Blinkt könnte funktionieren. Ich werde es einfach mal ausprobieren.
NRCZJ hoffte: >Es soll demonstriert werden, das nur die Statische-Aufladung, die eine >Person im Alltag unbewusst erreichen kann ohne Probleme ausreicht um ein >Halbleiterbauelement zu zerstören. Ich habe seit mehr als 45 Jahren mit allen möglichen Halbleiterbauelementen in den unmöglichsten Situationen hantiert. Das Einzige, was je durch statische Aufladungen "gestorben" ist, war ein SM104 aus DDR-Produktion. Entweder bin ich ein Ausnahmetalent (dämlich grins), oder es ist wirklich sehr, sehr schwer, heutige Bauelemente auf diese Weise zu erledigen.
NRCZJ schrieb: > Es soll demonstriert werden, das nur die Statische-Aufladung, die eine > Person im Alltag unbewusst erreichen kann ohne Probleme ausreicht um ein > Halbleiterbauelement zu zerstören. So schnell geht das nicht! Mit rumrennen auf dem Teppich und die Testschaltung in der Hand halten ist das nicht. Wenn schon, muß ein Teil des FET mit Erde (Heizung o.ä.) verbunden sein. Durch Ladungen kann man auch nur das Gate aufladen, wo der FET dann durchgeschalten bleibt. Das ist aber normal und er macht, was er tun soll. Das wurde ja oben auch schon erwähnt. Diese beiden Zustände sollte deine Testschaltung aber unterscheiden können.
Ratgeber schrieb: > Das > Einzige, was je durch statische Aufladungen "gestorben" ist, war ein > SM104 aus DDR-Produktion. Die haben ja auch gar keine Schutzschaltung.
Ratgeber schrieb: > Ich habe seit mehr als 45 Jahren mit allen möglichen > Halbleiterbauelementen in den unmöglichsten Situationen hantiert. Das > Einzige, was je durch statische Aufladungen "gestorben" ist, war ein > SM104 aus DDR-Produktion. Nun ja. Es wurde schon geschrieben: ein Bauteil muss nach einer ESD nicht sofort vollständig funktionsunfähig sein. Oft ist es 'nur' degradiert, d.h. seine Parameter sind nicht mehr die Sollparameter. Oft ist es auch dahingehend vorgeschädigt, dass es irgendwann (z.B. bei einer Belastungsspitze, die normalerweise in die Spezifikation fiele) ausfällt. Ich vergleiche das gerne mit einer Kette: die ESD muss das betroffene Glied nicht vollständig zerstören, sägt es aber an. Der nächste, der dran zieht, hat das ganze dann in der Hand... Was ICs angeht: viele haben eine gewisse Schutzbeschaltung, die sicherstellt, dass das Teil nicht schon beim Auspacken stirbt.
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michael_ schrieb: > Ratgeber schrieb: >> Das >> Einzige, was je durch statische Aufladungen "gestorben" ist, war ein >> SM104 aus DDR-Produktion. > > Die haben ja auch gar keine Schutzschaltung. Yep, aber beim 2N7000 ist auch keine Schutzschaltung angegeben. Insofern könnte das schon passen. SM104 dürfte allerdings eine deutlich geringere Cgs gehabt haben.
Umgekehrt. Alle MOS Bauteile haben Schutzbeschaltung! Falls sehr selten, sieht man das an der Verpackung und der Hersteller macht das auch sehr deutlich. Außer dem SM103/104/102 und dem SMY60 sind mir nicht wieder solche Bauteile begegnet.
michael_ schrieb: > Alle MOS Bauteile haben Schutzbeschaltung! Sagt wer? Das Datenblatt jedenfalls nicht. Prinzipiell sollte sich das ermitteln lassen, ob es eine gibt: die Schutzbeschaltung besteht ja aus antiseriellen Z-Dioden, da sollte sich eine Z-Spannung nachweisen lassen, wenn man eine allmählich ansteigende Gleichspannung mit Vorwiderstand anlegt. Habe aber gerade keinen 2N7000 zur Hand, höchstens 2N7002. Bei den ICs (die es in der Tat alle haben) steht sowas dagegen im Datenblatt.
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michael_ schrieb: > Alle MOS Bauteile haben Schutzbeschaltung! Als der 2N7000 entworfen wurde, war das noch nicht der Fall, und aus Kompatibilitätsgründen kann man auch nicht einfach so eine einbauen. Moderne MOSFETs sind besser (und das gilt auch für die diversen 2N7000-Klone).
michael_ schrieb: > Außer dem SM103/104/102 und dem SMY60 sind mir nicht wieder solche > Bauteile begegnet. Ich hatte damals 5 Stück SM103 gekauft, nur 2 hatten das Einlöten überlebt und dann nicht viel länger. Heutige MOSFETs sind aber ähnlich robust wie BJTs.
Jörg W. schrieb: > michael_ schrieb: >> Alle MOS Bauteile haben Schutzbeschaltung! > > Sagt wer? Das Datenblatt jedenfalls nicht. > > Prinzipiell sollte sich das ermitteln lassen, ob es eine gibt: die > Schutzbeschaltung besteht ja aus antiseriellen Z-Dioden, da sollte sich > eine Z-Spannung nachweisen lassen, wenn man eine allmählich ansteigende > Gleichspannung mit Vorwiderstand anlegt. Das ist Grundwissen. Schon deine Aumesserrei überlebt dein Baustein (SM103) nicht. Siehe: Peter D. schrieb: > Ich hatte damals 5 Stück SM103 gekauft, nur 2 hatten das Einlöten > überlebt und dann nicht viel länger. Wenn deine 2N7002 keinen Kurzschlußschutz in Form von Leitfolie/Metallfolie o.ä. haben, ist garantiert ein Schutz drin.
michael_ schrieb: > Wenn deine 2N7002 keinen Kurzschlußschutz in Form von > Leitfolie/Metallfolie o.ä. haben, ist garantiert ein Schutz drin. Sie haben einen in Form eines ESD-ableitenden Gurtes … es sind SOT-23.
Zwischen den SM103 und 2N7000 liegen Welten. Der SM103 wurde so etwa 1965 geboren, der 2N7000 etwa 1995 (FAIRCHILD).
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Ich wollte mich nochmal zurückmelden! Es hat funktioniert (Schaltbild im Anhang)! Ich möchte mich noch vielmals bei euch für die vielen Vorschläge bedanken. Für den schnellen Wechsel der FETs habe ich einen TO-5 Prüfsockel verwendet. (Gibt es im 5er-Tütchen bei RS)
NRCZJ schrieb: > Ich wollte mich nochmal zurückmelden! > > Es hat funktioniert (Schaltbild im Anhang)! > Sogar mit BC547 als umgetauften PNP-Transistoren? Erstaunlich. :)
Und womit "zertrümmerst" du nun den FET? Was hat sich da als zuverlässig erwiesen? Ich weiß nur, wie man zuverlässig netzbetriebene Radios auf der Baustelle zum Schweigen bringt. Mal die entsprechende Zuleitung die Null wegnehmen und kurzzeitig auf ne andere Phase klemmen. Hilft zuverlässig bei 8/5 Heavy Metal Beschallung mit permanent übersteuerter Endstufe :-)))
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Ratgeber schrieb: > Sogar mit BC547 als umgetauften PNP-Transistoren? Erstaunlich. > :) Es sind BC 557 `:D da hab ich mich wohl vertan. Gerald B. schrieb: > Und womit "zertrümmerst" du nun den FET? Was hat sich da als zuverlässig > erwiesen? Vorher schön im Bürostuhl umherrubbeln. (Habe ein sehr eigenartigen Stoff-Bezug drauf) und dann möglichst schnell über die Kontaktfläche Anfassen, bevor man sich wieder entlädt. Am besten mit Gummisohlen. Als Erdung habe ich den Schutzkontakt von der Steckdose missbraucht. Man muss sich aber schon ordentlich aufladen, sonst wird es nix. Habe mal ein Bild angefügt, so wie das Gerät jetzt aussieht. Mal die entsprechende Zuleitung die Null wegnehmen und kurzzeitig auf ne andere Phase klemmen. Hilft zuverlässig bei 8/5 Heavy Metal Beschallung mit permanent übersteuerter Endstufe :-))) Das Glaub ich gerne XD
NRCZJ schrieb: > Es sind BC 557 Die leben aber auch ganz schön gefährlich. Bei 9V werden die erlaubten 5V V_EBO deutlich überschritten.
NRCZJ schrieb: >Vorher schön im Bürostuhl umherrubbeln. (Habe ein sehr eigenartigen >Stoff-Bezug drauf) und dann möglichst schnell über die Kontaktfläche >Anfassen, bevor man sich wieder entlädt. Am besten mit Gummisohlen. Zitat Spider Murphy Gang: Irgendwer hat mein' Cadillac gestohl'n Und ich steh' da wie ar Depp Auf meine Gummisohl'n :)
https://www.mikrocontroller.net/attachment/379670/Schematic_New-Project-v3_Sheet-1_20181018131154.png dein Massesymbol am FET lässt auf den ersten Blick Verwirrung aufkommen...
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