Gast
#5592140
Hallo zusammen, als "Anfänger" würde ich hier gerne ein paar Tipps zur Implementierung folgender Aufgabe erhalten. Aufgabe: Induktive Lasten mit ca. 15-20mH und 200..700 Ohm Serienwiderstand (Zeitkonstante ca.25µs) sollen Bipolar angesteuert werden können. Dabei sollen beliebige Stromprofile (gesteuert, nicht geregelt) abgefahren werden können. dt: 1ms dY: 8bit U = 24V Die Ströme bleiben also unter einem Ampere, sind also überschaubar. Lösungsideen/Stand Die Ströme sind zwar nicht hoch, bei 24V kommt aber doch eine Menge abwärme zusammen, sodass eine lineare Endstufe nicht in Frage kommt - auch aus Footprintgründen, entwärmung etc. Das ganze muss je kanal mit <4x4cm für die Endstufen/Treiber auskommen. Also wird es wohl eine Vollbrücke / H-Brücke werden. Wenn ich richtig rechne benötige ich für 1ms update interval und eine Auflösung von 8 Bit 1e-3s/256 -> ca 3.9µs Daraus würde ich als Anforderung ableiten: Wenn ich auch 1..5 LSB bei der PWM vernünftig darstellen will sollte die Schaltzeit der Brücke <500ns...1µs sein. Wenn ich auf die Genauigkeit der kleinen PWM-Stufen im Speziellen und generell der PMW-Linearität keinen besonders großen Wert lege könnte ich mit Schaltzeiten im Bereich von 1..1.5µs leben? (dafür habe ich eine Lösung mit N/PMOS Brücke die mir aber nicht gefällt.) Fragen: Wie beurteilt ihr den Lösungsansatz? Gibt es dafür geeignte vollintegrierte Brücken? Besonders viel Strom ist es ja nicht? Falls diskret, welchen Mosfet-Treiber würdet ihr verwenden? Kennt jemand zufällig Treiber die eine Brücke aus P/NMOS treiben können? Also Highside mit PMOS Grüße und Merci