Frage NPN Transistor

[NPNF (Gast)]

Hallo,

Ich hätte eine Frage bezüglich NPN Transistoren. Im Anhang ist eine 
Schaltung mit zwei markierten Positionen.

Warum liegen direkt an der Basis 0,6V an und vor dem Basisvorwiderstand 
ist fast GND Potential? Laut meinem Verständnis sollte kein 
Strom/Spannung von der Basis ausgehen - wenn man jetzt von einem 
Ersatzschaltbild ausgeht, wäre zwischen Basis und Collector sowie Basis 
und Emitter ja eine Diode.

Kann mir bitte jemand dieses Verhalten vom Transistor kurz erklären?

[hinz (Gast)]

NPNF schrieb:
> Warum liegen direkt an der Basis 0,6V an und vor dem Basisvorwiderstand
> ist fast GND Potential?

Nicht gleichzeitig!

[Lothar M. (Firma: Titel) (lkmiller) (Moderator)]

NPNF schrieb:
> Warum liegen direkt an der Basis 0,6V an und vor dem Basisvorwiderstand
> ist fast GND Potential?
Hast du das gemessen?
Dann hast du einen Messfehler drin, oder die CB-Strecke vom Q?B hat 
einen Kurzschluss.
Oder du hast die Schlatung nicht so aufgebaut, wie es der Schaltplan 
darstellt.

[NPNF (Gast)]

Ja, mehrfach gemessen, auch an mehreren Transistoren weil diese 
Schaltung mehrmals vorkommt.
Aufgebaut ist alles - DRC vom Altium Designer sagt keine Probleme und 
auf dem PCB ist alles korrekt bestückt.

Also gehst du eher von einem defekten Transistor aus?

[HildeK (Gast)]

NPNF schrieb:
> Kann mir bitte jemand dieses Verhalten vom Transistor kurz erklären?

Das ist nur dadurch zu erklären, dass das Messobjekt
- nicht so verschaltet ist, wie gezeichnet
- kalte Lötstellen drin sind (C von Q?A nicht angeschlossen)

Die 20mV am Kollektor von QA wären schon sehr niedrig, erwartet hätte 
ich so 50-150mV.

[Andrew T. (marsufant)]

NPNF schrieb:
> Kann mir bitte jemand dieses Verhalten vom Transistor kurz erklären?

Da Du Deine Schaltung (in der Du diese Werte gemessen) anders aufgebaut 
hast als Du es hier zeigst. Oder die Meßpunkte vertauscht hast (0,6V an 
Basis Q?A gemessen, aber an Q?B eingezeichnet),
ist es schlicht eine fehlerhafte Messung.

Der identische Aufbau bei mir zeigt die erwarteten Ergebnisse:
0.025 V an C von Q?A und an Basis von Q?B

[NPNF (Gast)]

@HildeK:
Ich kann mir eine kalte Lötstelle vorstellen aber könntest du erklären, 
wie dieses Verhalten durch eine kalte Lötstelle entsteht?

[hinz (Gast)]

Wenn bei Q?B Kollektor und Emitter vertauscht sind, dann klappt das 
sogar gleichzeitig.

[Lothar M. (Firma: Titel) (lkmiller) (Moderator)]

NPNF schrieb:
> und auf dem PCB ist alles korrekt bestückt.
Zeig doch mal ein oder zwei Fotos davon...

[NPNF (Gast)]

Das sollte bei dem Package kompliziert werden Collector und Emitter zu 
vertauschen. Bei dem SOT666 kann man das Dual-Package jeweils um 180° 
drehen - man verwendet dann intern eben nur den anderen Transistor.

[HildeK (Gast)]

NPNF schrieb:
> Ich kann mir eine kalte Lötstelle vorstellen aber könntest du erklären,
> wie dieses Verhalten durch eine kalte Lötstelle entsteht?

Kalte Lötstelle heißt nicht unbedingt 100% Unterbrechung. Könnte ja noch 
eine hochohmige Restverbindung da sein - und du misst direkt am C-Pin.

War ja nur ein Erklärungsversuch. Ich weiß nichts über die Art des 
Aufbaus, Steckbrett z.B. oder was auch immer. "Altium" bekam ich erst 
nach meiner Antwort zu Gesicht.

[HildeK (Gast)]

NPNF schrieb:
> Das sollte bei dem Package kompliziert werden Collector und Emitter zu
> vertauschen. Bei dem SOT666 kann man das Dual-Package jeweils um 180°
> drehen - man verwendet dann intern eben nur den anderen Transistor.

Man kann aber das Datenblatt mit dem Altium-Footprint nochmals 
vergleichen ...
Wäre nicht zum ersten Mal schief gegangen.