Halbbruecke Verlustleistung im Plot, Verständnisproblem

Peter F. Gast #5601635
Lesenswert?
• ▲
▼ 
Hallo Elektronikfreunde,

ich habe zum Spaß schnell eine Halbbruecke mit induktiver Last und 
aktivem Freilauf sowie großer Totzeit simuliert.
R10 liegt im Pfad des Highside-Transistors, R11 im Pfad des 
Lowside-Transistors. Im Mittel fließen im Kreis der Induktivität etwa 5 
A.

Dabei treten jedoch in den Schaltmomenteb an den Transistoren extrem 
hohe Verlustleistungen auf, die ich in der Höhe und im zeitlichen 
Verlauf nicht ganz verstehe.


Der graue Plot ist die Verlustleistung des Lowside-Transistors.

Wie kann es sein, dass beim Einschalten der Bodydiode als auch beim 
leitend werden durch den aktiven Freilauf keine nennenswerten 
Schaltverluste auftreten?
Die Bodydiode verfügt ja auch über Einschaltverluste.


Zudem ist mir nicht ganz klar, warum genau beim Einschalten des 
Highside-Transistors auch Einschaltverluste beim Lowside-Transistor 
auftreten.

Sind das etwa die Umladeverluste der Bodydiode des Lowside-Transistors?

Und warum gibt es diese Stromspitzen nur beim Einschalten der Highside?

Viele Grüße
Peter
Angehängte Dateien:
Antwort Zitieren Bearbeiten Thread verschieben Thread sperren Anmeldepflicht aktivieren Anpinnen Thread löschen Thread mit anderem zusammenführen Beitrag melden
Rev_Rec Gast #5601789
Lesenswert?
• ▲
▼ 
Hallo,

das sind Reverse Recovery Verluste in der leitenden Body Diode.
Das ist kaum vermeidbar (evtl. Linderung im praktischen Aufbau durch 
Snubber)
ext. Dioden bringen bei heutigen Mosfets eigtl. nichts mehr.
Antwort Zitieren Bearbeiten Löschen Beitrag melden
Ralf Gast #5601797
Lesenswert?
• ▲
▼ 
Vielleicht liegt es in der adaptiven Deadtime-Regelung bzw. der internen 
Implementierung.

Probiere mal einen total "dummen" Gatetreiber und mache die deadtime mal 
manuell bzw passe sie an.

BTW: Warum hast du 500V als supply für die Brücke? Laut spec nur bis 
60V?
Antwort Zitieren Bearbeiten Löschen Beitrag melden
Peter F Gast #5602043
Lesenswert?
• ▲
▼ 
Auf die Spannung habe ich ehrlich gesagt garnicht mehr geachtet, weil 
ich in LT Spice noch nie Probleme damit hatte, bis auf bei Dioden.

#-------------------------------------------------------------

Ich habe die Spannung jetzt auf 50 V herunter und den Lowside-Mosfet 
durch eine Diode (D1) ersetzt.

Wenn ich das ganze richtig verstehe, kann ich doch beim Highside-Mosfet 
quasi ein ohmsches Verhalten annehmen, trotz der Induktivität?
Der Strom wird ja über die Diode D1 weiter getrieben

Wie kommt es dann, dass die Einschaltverluste trotz quasi konstantem 
Strom so viel höher sind als die Ausschaltverluste?

#-------------------------------------------------------------

Danach habe ich nochmal den Lowside-Mosfet eingebaut
Nachdem ich die Spannung auf 50 V reduziert habe, sehe ich jetzt auch 
Schaltverluste beim Ausschalten des LS-Mosfets.

Wenn ich mit den üblichen Formeln nachrechne, komme ich auf vollkommen 
andere Werte. :(

#--------------------------------------------------------------

Mein Gedankenfehler liegt wohl auch bei der Berechnung.

Beim leitendwerden der Diode müssen doch die selbe Menge an 
Ladungsträger umgeladen werden, also sollten doch die Schaltverluste bei 
der Diode sowohl beim Ein-, als auch beim Ausschalten gleich sein?


Was berücksichtige ich noch alles nicht?
Angehängte Dateien:
Antwort Zitieren Bearbeiten Löschen Beitrag melden
Thread beobachten

Antwort schreiben

Bitte melde dich an, um einen Beitrag zu schreiben.

Bestehender Account

oder

Mit Google-Account einloggen

Noch kein Account?

Die Registrierung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.

Jetzt registrieren