Hallo zusammen!
Das ich mochte gerne folgenden OptoCoupler benutzen um einen MOSFET zu
schalten. Jetzt ist mir aber gerade noch der Gedanke gekommen, dass ich
von der Diode am Opto ja noch einen Vorwiderstand benötige...
Laut Datenblatt ist die Vr 1.15v mit 10ma. Mein Arduino gibt 3.3V aus.
Also muss ich noch einen Widerstand in reihe zur LED schalten die mir
die restlichen 2.15V abnimmt mit 10mA. Ist das korrekt oder habe ich
hier einen Denkfehler?
Ich will Später eine größere Last über den MOSFET per PWM schalten
können... Spannung ist ca. 42V. (Der Mostet ist noch nicht der richtige!
Da suche ich mir noch einen passenden aus!)
Noch eine andere Frage, ist das mit dem Opto eigentlich zu viel des
guten oder empfehlenswert? Ich denke das ganze würde ja uber den MOSFET
direkt auch klappen oder?
gruesse Stefan
> Ist das korrekt oder habe ich hier einen Denkfehler?
Ich habe kein Lust fuer dich das Datenblatt zu lesen, aber mir kommen
10mA etwas viel vor. In der Regel sollten 1-2mA reichen.
> Ich will Später eine größere Last über den MOSFET per PWM schalten> können...
Dann hoffen wir mal das deine PWM nicht so schnell ist. Optorkoppler
setzen soetwas gewisse Grenzen.
> Noch eine andere Frage, ist das mit dem Opto eigentlich zu viel des> guten oder empfehlenswert? Ich denke das ganze würde ja uber den MOSFET> direkt auch klappen oder?
Woher sollen wir wissen ob du Potentialtrennung brauchst und wie gut sie
sein muss. wenn du keine Trennung brauchst ist es natuerlich klueger
auch keine zu verwenden.
Olaf
StefanMe schrieb:> OptoCoupler
Nenne das Ding einfach "Optokoppler". Das versteht hier jeder und klingt
in einem deutschen Text nicht so gekünstelt.
> Jetzt ist mir aber gerade noch der Gedanke gekommen, dass ich> von der Diode am Opto ja noch einen Vorwiderstand benötige...
Wie wahr, aber welches Ziel verfolgst du überhaupt mit dem Optokoppler?
Zeig mal einen Schaltplan von der Ansteuerung, nicht so ein
bruchstückhaftes Fragment.
> Ist das korrekt oder habe ich hier einen Denkfehler?
Im Prinzip richtig, kommt allerdings drauf an, was das für ein FET wird,
wie oft du schalten willst und wie hoch der zu schaltende Strom ist.
> Ich denke das ganze würde ja uber den MOSFET direkt auch klappen oder?
Das kommt drauf an, wie hoch dein VCC ist und ob die 3.3V vom Arduino
reichen, um den FET ausreichend durchzuschalten. Ein vernünftiger
Transistor oder ein MOSFET-Treiber wären eine andere Möglichkeit.
Olaf schrieb:> In der Regel sollten 1-2mA reichen.
Das kommt wohl drauf an, wie schnell die Gate-Kapazität umgeladen werden
muss.
Hallo,
anbei nochmal die ganze Shematic. Ich moechte ueber meinen Arduino eine
12v Spannung schalten um Lichter an und aus zu machen. Strom liegt hier
bei 1-2A.
Ich denk inzwischen auch, dass hier ein MOSFET vollkommen ausreichen
sollte. Ich benutze IRF3708, der bei 2,8V durch schaltet.
gruesse,
Stefan
StefanMe schrieb:> Ich benutze IRF3708, der bei 2,8V durch schaltet.
D.h. bei VCC = 5V liegen an der Last max 2,2V an.
Und die LED Schutzwiderstände fehlen immer noch.
Um den Minus-Pol zu schalten, musst du einen NPN Transistor oder N-Kanal
MOSFET verwenden.
Um den Plus-Pol zu schalten, musst du einen PNP Transistor oder P-Kanal
MOSFET verwenden.
Du hast fälschlicherweise einen N-Kanal MOSFET zum Schalten des Plus-Pol
verwendet. Du legst über den Optokoppler annähernd 5V an das Gate an.
Der Transistor beginnt zu leiten, wenn die Spannung an Source ca. 1,5V
niedriger ist. Also kommen an Source (und einen Ausgangsklemmen) maximal
3,5V heraus. Für einen höheren Strom ist mehr Spannung nötig, darum wird
die Spannung unter Last noch weiter absacken. Dabei wird der Transistor
heiß.
H.Joachim S. schrieb:> So ist es.
Vermutlich nicht.
Der MOSFET ist ggf. ausreichend, nicht aber dessen Beschaltung.
An P1 bzw. P2 soll die Last angeschlossen werden? Dann werden dort bei
eingeschalteten MOSFETs keine 2V anliegen. Es ist ein Sourcefolger, kein
High-Side-Switch.
@StefanMe: Du solltest den nMOSFET gegen GND schalten lassen und die
Last zwischen Drain und der hohen Spannung legen.
Dann braucht man auch keine Optokoppler, was aber auch schon im obigen
Schaltbild der Fall ist, denn du hast VCC sowohl am Prozessor als auch
am Optokoppler-Ausgang. Also auch da gab es keine galvanische Trennung.
So gesehen kannst du auch nach meinem Vorschlag die GNDs der HV und des
µCs zusammenschalten und den FET direkt ansteuern.
Oder, du musst beide Kreise vollkommen trennen. Dann sieht die Schaltung
aber deutlich anders aus.
Schau in
http://stefanfrings.de/mikrocontroller_buch/Einstieg%20in%20die%20Elektronik%20mit%20Mikrocontrollern%20-%20Band%202.pdf
Kapitel 2.2. und 3.4.4. Da sind die Grundlagen kurz und knapp
beschrieben.
Der Optokoppler ist sinnloser Overhead. Er bewirkt in deinem Fall nichts
gutes.
An den Taster solltest du einen Pull-Up Widerstand mit 2,2kΩ
anschließen, damit er nicht auf elektromagnetische Störfelder reagiert.
C4 sollte 100nF haben und möglichst nahe an die VCC und GND Anschlüsse
des Mikrocontrollers platziert werden.
Bist du sicher, dass C3 die richtige Kapazität hat? Ich bin an dieser
Stelle wesentlich größere Werte gewohnt.
Bist du sicher, dass der Buzzer den Ausgang des Mikrocontrollers nicht
überlastet? Normalerweise kommt ein Transistor dazwischen.
Oh Wow, vielen Dank erstmal fuer die ganze Hilfe!
Ich habe ein paar Sachen raus gelöscht und überarbeitet.
Also, der Optokoppler ist raus geflogen. Der Mosfet wurde geändert auf
den, den ich später benutzen möchte. Ein IRF3708 (habe ich breites
zuhause).
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf3708.pdf
Dieser schaltet bei 2.4V komplett durch wenn ich richtig liege.
Grundsätzlich habe ich einen Fehler gemacht und als VCC 5,5 Volt
angegeben. Ich mochte jedoch 3,3 Volt für alles benutzen. Der Cortex M0
chip arbeitet mit 3.3V.
Als Gate-Widerstand benutze ich 510Ohm um den Strom gering zu halten.
Ich benötige noch zusätzlich einen Abschaltwiderstand wenn ich das
richtig gelesen habe, aber ich weis leider nicht wie ich den definiere.
C3 habe ich falsch deklariert. Der liegt jetzt bei 1000uF. C4 bei 100nF
Ein N-Kanal-Mosfet ist zum Schalten der High-Side die völlig falsche
Wahl. Dabei wird der Mosfet im linearen Bereich betrieben und an der
Source wird bei einer Schaltspannung von 3V nicht arg viel mehr als 1V
herauskommen.
StefanMe schrieb:> Ein IRF3708 (habe ich breites zuhause).> http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf3708.pdf> Dieser schaltet bei 2.4V komplett durch wenn ich richtig liege.
Woher hast du diese Zahl? Die Kennlinien fangen da überhaupt erst bei
2,7V an.
> Dieser schaltet bei 2.4V komplett durch wenn ich richtig liege.
Er schaltet komplett durch, wenn das Gate um 2,4V positiver ist als
die Source. Zeichne diese Spannung mal in deinem Schaltplan ein: ans
Gate 3,3V und zwischen Gate und Source 2,4V. Verbleiben an der Source
also noch 0,9V...
cooler Schaltplan...
schau mal welche Spannung da an den GPIOs anliegen könnte? Wo bekommst
du Vcc her für den Proz. und wer nimmt einen MosFet so gegen die
positive Versorgungsspannung.. schreibe extra nicht Vcc da das nicht
stimmt im Plan
StefanMe schrieb:> Ein IRF3708 (habe ich breites> zuhause).
Der ist ok.
Lothar M. schrieb:> Die Kennlinien fangen da überhaupt erst bei> 2,7V an.
Ich sehe im DB bei 2.8V UGS einen maximalen Strom von 7.5A bei RDS_on
von max. 29mΩ. Das passt doch, er will 1-2A schalten.
StefanMe schrieb:> Als Gate-Widerstand benutze ich 510Ohm um den Strom gering zu halten.
Für PWM eher zu groß, der kann auch 0Ω haben.
> Ich benötige noch zusätzlich einen Abschaltwiderstand wenn ich das> richtig gelesen habe, aber ich weis leider nicht wie ich den definiere.
Von Gate nach Source waren ja schon mehrfach ca. 10k genannt worden.
Weniger braucht mehr Strom aus dem Prozessor, mehr wäre ev.
problematisch, wenn der Ausgang fehlerhafterweise ein Eingang mit
aktiven Pullups wäre. Aber der sinnvolle Bereich ist trotzdem groß, 1k
oder 15k gehen auch noch.
Um es nochmals zu wiederholen: Die Last muss zwischen D und der
Versorgung, die Source muss an GND. Sonst geht das nicht (so einfach)
mit einem nMOSFET! Das ist in dem letzten Bild noch falsch.
HildeK schrieb:> StefanMe schrieb:>> Ein IRF3708 (habe ich breites>> zuhause).>> Der ist ok.
Korrektur: du wolltest oben doch 42V am Verbraucher? Der IRF kann nur
30V.
Danke, ich habe gerade einen langen Text geschrieben was ich bereits
geändert habe, aber das wären wieder nur Mutmaßungen ect. Ich werde mich
erst genauer über MOSFETS und vor allem deren Beschaltung und Berechnung
informieren bevor ich weiter schreibe. Vielen Dank erstmal. Ich werde
mich erstmal einlesen...
Ich habe das mit dem High-Side und Low-Side bereits verstanden.
Lediglich die Berechnung der Widerstände macht mir noch etwas sorgen.
Aber wie gesagt, ich werde mich jetzt erst einlesen und dann antworten.
Danke nochmal!
EDIT: Nein, ich habe Spannungswandler mit im Schaltbild, der auf 12V
runter regelt.
Ja gerade die Vorwiederstände machen mir sorge... warum jetzt plötzlich
0Ohm bei PWM auch ok wären ect. Das muss ich erst verstehen, dann kann
ich weiter machen.
StefanMe schrieb:> Ja gerade die Vorwiederstände machen mir sorge... warum jetzt plötzlich> 0Ohm bei PWM auch ok wären ect. Das muss ich erst verstehen, dann kann> ich weiter machen.
0 Ohm oder wenige Ohm sind beim MOSFET ok, denn das Gate ist statisch
hochohmig. Es ist nur eine Kapazität zwischen Gate und Source vorhanden,
die muss beim Ein- und Ausschalten umgeladen werden. Danach fließt kein
Strom mehr ins Gate, egal ob gerade ein- bzw. ausgeschaltet ist.
Bei PWM soll das Schalten ev. schnell gehen (welche Frequenz soll deine
PWM mal haben?) und somit macht man den Widerstand in der Gate-Leitung
klein. Der Prozessor schafft das beim normalen Schalten und langsamer
PWM problemlos, bei schnellerer PWM wird man ev. einen Gate-Treiber
einsetzen müssen.
Anders sieht das bei bipolaren Transistoren aus. Die benötigen im
eingeschalteten Zustand einen dauerhaften Strom an der Basis und deshalb
braucht man einen Widerstand vor der Basis. Sonst wird der Basisstrom zu
groß und auch der Prozessorausgang überlastet.
StefanMe schrieb:> Oh Wow, vielen Dank erstmal fuer die ganze Hilfe!> Ich habe ein paar Sachen raus gelöscht und überarbeitet.
Ich habe doch sehr deutlich geschrieben, dass an dieser Stelle N-Kanal
MOSFET ungeeignet sind!
> Dieser schaltet bei 2.4V komplett durch wenn ich richtig liege.
Der Ausgang des µC liefert beim Zustand EIN auf 0 Volt. Der Ausgang
(Source) des Transistors soll dabei 12V liefern. Damit liegt zwischen
Gate und Source ca. -12V an. Der Transistor benötigt aber eine positive
Spannung an Gate (relativ zum Source).
> Ich habe das mit dem High-Side und Low-Side bereits verstanden.
Nee, hast du nicht. Warum folgst du nicht der Anleitungen in dem von mir
empfohlenen PDF? Dort sind auch all deine Fragen zur Berechnung der
Widerstandswerte beantwortet.
DOCH habe ich. Der Post hängt nicht mit dem letzten Schaltbild zusammen.
Wie bereits oben beschrieben wollte ich mich erst einlesen, bevor ich
hier weiter etwas poste.
Damit du es mir glaubst, habe ich nochmal die Shematic abgeändert. Mir
ist jetzt klar, GROUND geschaltet wird. Das wollte ich von Anfang an
machen, es war lediglich ein Denkfehler. Hat aber jetzt gerade nichts
mit meinem Problem zu tun. BITTE IGNORIERE DIE WIDERSTANDE ect. Das ist
alles gerade zerrupft. Ich weis eben noch nicht welche Widerstände wo
hin gehören :)
Das PDF liegt bereits ausgedruckt neben mir, aber ich bin eben noch
nicht dazu gekommen :) Ich werde mich melden sobald ich glaube es
verstanden zu haben.
Mein Problem gerade ist, dass mein noch nicht verstanden habe warum der
Widerstand so gering sein darf... Ich versuche doch beim durchschalten
des MOSFETS den Strom zu reduzieren, damit mein Ausgang vom µC nicht
verreckt. Sagen wir mal, dass sind 20mA max. Dann habe ich bei 3.3V
einen Widerstand von 165 Ohm. Wenn ich höher gehe (mit dem Strom),
belaste ich immer µC korrekt, jedoch kann mein MOSFET schneller
schalten. Ist das Vernächlässigbar, weil der strom se extrem kurz
anliegt?
Das wollte ich gerade eigenetlich alles gar nicht schreiben sonder mich
eben nochchmal richtig einlesen, aber es sind hier alle so hoch
motiviert! :) Freut mich!
Ich weis noch nicht, welche Frequenz mein PWM haben soll. Steht alles
noch in den Sternen :) Vermutlich habe ich hier keine großen Ansprüche,
da ich bis jetzt nur LEDs damit schalten will.
StefanMe schrieb:> Ich versuche doch beim durchschalten des MOSFETS den Strom zu> reduzieren, damit mein Ausgang vom µC nicht verreckt. Sagen wir mal,> dass sind 20mA max. Dann habe ich bei 3.3V einen Widerstand von 165 Ohm.
Allerdings hast du bei 20mA weder 3,3V noch 0V am µC-Pin (siehe
Datenblatt Voh und Vol) und darfst deshalb den Widerstand niederohmiger
machen.
Und zur Entwarnung: selbst wenn du den Pin direkt nach Masse
kurzschließt geht der µC nicht kaputt.
Die MOSFET Transistoren wirken wie Kondensatoren. Im Datenblatt kannst
du sehen, welche Kapazität sie haben: Ungefähr 2,5nF.
Die Widerstände begrenzen die Stromstärke beim Umladen dieser
Kondensatoren. Dein Mikrocontroller verträgt maximal 12mA, also gilt:
R2 und R4 = 3,3V / 12mA = 275Ω
Damit ist dein Mikrocontroller bei jeder beliebigen PWM Frequenz auf der
sicheren Seite. Der Transistor aber nicht unbedingt, denn bei jedem
Umschalten zwischen EIN und AUS wird der Transistor warm. Je häufiger du
umschaltest, umso wärmer wird er. Deswegen spielt die PWM Frequenz eine
wichtige Rolle.
Je nach PWM Frequenz könnte es nötig werden, den Transistor schneller
umzuschalten, um die Verluste zu reduzieren. Und das geht über die
Erhöhung des Stromes. Dann brauchst du einen MOSFET Treiber.
Ich habe das in dem oben verlinken PDF alles schön mit Zeichnungen
erklärt.
> Sagen wir mal, dass sind 20mA max.
Es sind 12mA. Lies die Datenblätter der Bauteile, die du verwendest!
> Dann habe ich bei 3.3V einen Widerstand von 165 Ohm.> Wenn ich höher gehe (mit dem Strom), belaste ich immer µC> korrekt
Nein, dann überlastest du ihn.
> jedoch kann mein MOSFET schneller schalten.
Ja
> Ist das Vernächlässigbar, weil der strom se extrem> kurz anliegt?
Das hängt ganz davon ab, wie oft du ihn umschaltest (und dazwischen
abkühlen lässt) und natürlich auch, wie gut du ihn Kühlst.
R1 und R3 stellen sicher, dass das Gate nicht aufgrund von statischer
Ladung über die Schwellenspannung gerät, während der µC beim
Initialisieren noch kein Signal liefert. Denn dann würde der Transistor
womöglich über längere Zeit nur halb leiten und dabei durchbrennen. Ich
empfehle an dieser Stelle aus dem Bauch heraus 10k Ohm.
> Ich weis noch nicht, welche Frequenz mein PWM haben soll.> Steht alles noch in den Sternen :)
Dann steht auch in den Sternen, wie viel Verlustleistung abzuführen ist.
> Vermutlich habe ich hier keine großen Ansprüche,> da ich bis jetzt nur LEDs damit schalten will.
Versuche es mal mit etwa 1kHz.
Bedenke, dass jede Leitung als Antenne wirkt. Je länger, umso stärker.
Jedes digitale Signal hat wiederum unendlich viele Oberwellen. Die
Leitungen zu deinen LED's werden also prima Störsender abgeben.
Vernünftige LED Dimmer erzeugen geglätteten Gleichstrom passend zu den
LEDs. Damit entfällt auch die Notwendigkeit, rund 1/3 der Energie in
Widerständen zu verheizen. Wir haben es im Sommer schon warm genug in
der Bude.
Lothar M. schrieb:> Und zur Entwarnung: selbst wenn du den Pin direkt nach Masse> kurzschließt geht der µC nicht kaputt.
Vorsicht, wir sind hier beim ESP8266, nicht bei AVR.
Stefanus F. schrieb:> Vorsicht, wir sind hier beim ESP8266, nicht bei AVR.
Woher nimmst du diese Information? Ich lese nur Arduino, gut, damit
kenne ich mich nicht aus und war der Ansicht, die basieren alle auf
Atmel-Prozessoren. Und den ESP gibt es als Shield für die
WiFi-Anbindung. Ich kann mich aber irren.
Wie dem auch sei: wenn er deine empfohlene 1kHz PWM nimmt, dann kann er
auch 270R vor das Gate schalten.
Abgesehen davon: alle Ausgänge müssen zumindest 50pF aushalten, ohne
externe Strombegrenzung bei jeder Ausgangsfrequenz.
HildeK schrieb:> Woher nimmst du diese Information?
Im zweiten Schaltplan ist U2 als "Feather" bezeichnet. Das passt zu
einem gleichnamigen ESP8266 Board, ebenso die Beschriftung der Pins.
> Ich lese nur Arduino, gut, damit kenne ich mich nicht aus und> war der Ansicht, die basieren alle auf Atmel-Prozessoren.
Nein, da gibt es inzwischen wesentlich mehr Vielfalt - auch direkt vom
Hersteller.
> Abgesehen davon: alle Ausgänge müssen zumindest 50pF aushalten, ohne> externe Strombegrenzung bei jeder Ausgangsfrequenz.
Warum? Da kenne ich so noch nicht.
Der Transistor hat zwar etwas 2,5nF, das interessiert mich jetzt aber
trotzdem.
Stefanus F. schrieb:>> Abgesehen davon: alle Ausgänge müssen zumindest 50pF aushalten, ohne>> externe Strombegrenzung bei jeder Ausgangsfrequenz.>> Warum? Da kenne ich so noch nicht.
In detaillierten Datenblätter digitaler ICs sind Testschaltungen
angegeben, die zur Bestimmung von Durchlaufzeiten, Rise- und Falltime
etc. dienen. Die gehen üblicherweise (sicher nicht alle) von dem
Worst-Case einer 50pF Last aus, wie sie durch die angeschlossenen Pins
anderer ICs und der Verdrahtung an einem Ausgang auftreten können.
Ja, natürlich sind 50pF keine 2-10nF wie an einem Gate, aber auch mit
50pF übersteigt das ggf. den Peak-Strom. Um noch päpstlicher zu werden:
Die Anstiegszeit, die der Pin kann, geht natürlich in den Spitzenstrom
auch noch ein. D.h., deine Rechnung
> R2 und R4 = 3,3V / 12mA = 275Ω
gilt nur, wenn der Pin auch 0ns Anstiegszeit hätte.
Lothar M. schrieb:> Der Arduino Due hat einen SAM Prozessor drin.>> Und die NodeMCU ist "Arduino auf dem ESP8266":> https://www.mikrocontroller-elektronik.de/nodemcu-esp8266-tutorial-wlan-board-arduino-ide/
Danke, das war mir nicht bekannt.
Wobei ich in dem Link lese: "... um das Board jederzeit per Arduino
programmieren zu können." Das hätte mich jetzt nicht auf die Idee
gebracht, das Board selber als Arduino zu bezeichnen. Wie dem auch sei
...
Lothar M. schrieb:> HildeK schrieb:>> war der Ansicht, die basieren alle auf Atmel-Prozessoren.> Der Arduino Due hat einen SAM Prozessor drin.
Ist doch auch ein Atmel/Microchip? Mit 30mA maximal an den Portpins,
wenn ich auf die Schnelle richtig gelesen habe (bei der SAM4S-Serie).
HildeK schrieb:> Die Anstiegszeit, die der Pin kann, geht natürlich in den Spitzenstrom> auch noch ein. D.h., deine Rechnung>> R2 und R4 = 3,3V / 12mA = 275Ω> gilt nur, wenn der Pin auch 0ns Anstiegszeit hätte.
Und der Ausgangswiderstand 0Ω wäre. Es ignoriert auch die Tatsache dass
Transistoren kurzzeitig höhere Ströme vertragen - letztendlich ist es
eine Frage der Temperatur. Ist klar. Nur leider gibt das Datenblatt des
ESP8266 keine weiteren Infos her, als diese 12mA.
> Wobei ich in dem Link lese: "... um das Board jederzeit per Arduino> programmieren zu können." Das hätte mich jetzt nicht auf die Idee> gebracht, das Board selber als Arduino zu bezeichnen.
Arduino User nennen alles so. Den Mikrocontroller, das ganze Board, die
IDE, den Compiler, die originalen Core Libraries, die 3rd party Core
Libraries und auch auch die Treiber für externe Peripherie. Und alles
was man stecken kann, nennen sie Shield, auch wenn es gar nicht auf das
Arduino Modul oben drauf passt. Ich habe mich inzwischen daran gewöhnt.
Dann sag ich euch lieber nicht, dass es ein ATSAMD21G18 ist mit nur 10mA
;) und kein ESP8266 wie hier geschrieben wird. FEATHER MO...
Danke, ich denke ich habe das Problem verstanden. Ich denke “ein
langsames PWM” wird mir reichen.
Ich werde morgen Vormittag mal mein aktuelles Schaltbild zeigen.
Vielen Dank!!
StefanMe schrieb:> So... das müsste es tun.
Nur mal vorneweg gefragt: welche Spule hast du denn für deinen
Schaltregler vorgesehen?
Und als Tipp zu einem leserlichen Schaltplan: es gibt auch Symbole für
12V und die darf man wie auch das Massesymbol beliebig oft verwenden.
Dann ist das nicht so ein Suchspiel quer über die ganze Schaltung...
Lothar M. schrieb:> Und als Tipp zu einem leserlichen Schaltplan: es gibt auch Symbole für> 12V und die darf man wie auch das Massesymbol beliebig oft verwenden.> Dann ist das nicht so ein Suchspiel quer über die ganze Schaltung...
Danke,
das wäre auch mein Vorschlag und _ als Vcc urgs..
StefanMe schrieb:> So... das müsste es tun.
Ja, sieht soweit richtig aus. Du musst aber noch klären, wo die 3.3V
herkommen. Das sehe ich auf dem Plan noch nicht. Der Pin 26 (USB) wird
wohl 5V haben.
Ich vermute mal, das Prozessormodul ist intern ausreichend entkoppelt,
so dass C4 nicht unbedingt der typische 100n Entkoppelkondensator sein
muss, sondern eher ein etwas größerer Tank (10µ, 100µ) sinnvoll ist. Es
kann aber bei dem Modul durchaus anders sein, dann achte auf die
Platzierung von C4 nahe an den Anschlüssen des Moduls.
StefanMe schrieb:> EDIT: Nein, ich habe Spannungswandler mit im Schaltbild, der auf 12V> runter regelt.
Das wird mit dem LM2576 gemacht? Mit der ursprünglich genannten
Eingangsspannung von bis zu 42V?
Wenn ja: die Diode D1 hält nur 40V (max. Ratings) aus. Ja, ich sehe
auch, dass im DB genau diese verwendet wird für Eingangsspannungen bis
55V, aber Vin wird durch den internen Schalttransistor auf Vout
durchgeschaltet, erst die Spule glättet das auf die gewünschte
Ausgangsspannung. Ich halte das für einen Fehler im Datenblatt bei den
Bildern 23 und 24 (http://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm2576.pdf). In den
Bildern 26 und 32 ist es richtig, dort ist eine MBR360 für 60V drin.
Stefanus F. schrieb:> An sw1 fehlt immer noch ein Pull-Up Widerstand.
Den möchte ich auch gar nicht rein machen. Ich habe bereits in der
Software einen PullUp deklariert. Hatte noch nie Probleme damit.
HildeK schrieb:> StefanMe schrieb:>> So... das müsste es tun.>> Ja, sieht soweit richtig aus. Du musst aber noch klären, wo die 3.3V> herkommen. Das sehe ich auf dem Plan noch nicht. Der Pin 26 (USB) wird> wohl 5V haben.
Die 5V am USB sind sozusagen die Eingangsspannung die vom JST Connector
kommt. Der Feather hat einen 3.3V regulator eingebaut... Alle ein und
Ausgänge arbeiten mit 3.3V.
>> Ich vermute mal, das Prozessormodul ist intern ausreichend entkoppelt,> so dass C4 nicht unbedingt der typische 100n Entkoppelkondensator sein> muss, sondern eher ein etwas größerer Tank (10µ, 100µ) sinnvoll ist. Es> kann aber bei dem Modul durchaus anders sein, dann achte auf die> Platzierung von C4 nahe an den Anschlüssen des Moduls.
Der C4 ist hier vermutlich total falsch oder? Er müsste zwischen USB und
Ground...
>> StefanMe schrieb:>> EDIT: Nein, ich habe Spannungswandler mit im Schaltbild, der auf 12V>> runter regelt.>> Das wird mit dem LM2576 gemacht? Mit der ursprünglich genannten> Eingangsspannung von bis zu 42V?> Wenn ja: die Diode D1 hält nur 40V (max. Ratings) aus. Ja, ich sehe> auch, dass im DB genau diese verwendet wird für Eingangsspannungen bis> 55V, aber Vin wird durch den internen Schalttransistor auf Vout> durchgeschaltet, erst die Spule glättet das auf die gewünschte> Ausgangsspannung. Ich halte das für einen Fehler im Datenblatt bei den> Bildern 23 und 24 (http://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm2576.pdf). In den> Bildern 26 und 32 ist es richtig, dort ist eine MBR360 für 60V drin.
Danke, habe ich geändert!
StefanMe schrieb:> Der C4 ist hier vermutlich total falsch oder? Er müsste zwischen USB und> Ground...
Total falsch definitiv nicht. Wenn die 3.3V nur ein Spannungsausgang vom
Modul ist, dann brauchst du den nicht - außer in der Modulbeschreibung
steht was anderes. Schaden oder stören tut er jedenfalls nicht. Die 3.3V
werden ja offensichtlich außerhalb des Moduls nicht benötigt. Und wenn
(Erweiterung), dann käme er nahe an den Verbraucher.
Auch am USB-Spannungseingang wird das Modul selbst für ausreichend
Entkopplung sorgen. Dort mag er mehr nützen
Sorry, ich kenne das Modul nicht und wollte mich da auch nicht einlesen
... :-).
Hab jetzt trotzdem ein wenig gestöbert; das Schaltbild ist wohl das
hier:
https://cdn-learn.adafruit.com/assets/assets/000/028/801/original/adafruit_products_M0SCHEM.png?1448656357
Ja, es ist so: sowohl am 3.3V-Pin als auch am USB-Pin muss man extern
kein C anbringen. Das ist alles auf dem Board. Die 3.3V sind ein
Ausgang.
Demnach musst du zumindest aufpassen, dass du keine externen 5V an 'USB'
anlegst und gleichzeitig am Modul eine USB-Verbindung herstellst -
außer beide Spannungen kommen aus der selben (USB-)Quelle und werden
damit auch gleichzeitig ein- bzw. ausgeschaltet. Sonst gäbe es ggf.
Rückströme auf deine USB-Quelle (PC).
