Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Wann Widerstand vor MOSFET Gate?


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von MOSFET (Gast)


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Welche Gründe gibt es eigentlich, einen Widerstand vor ein MOSFET Gate 
zu setzen?

Ich verstehe, dass das Gate eine Kapazität hat, und dass diese Umgeladen 
wird, aber fallen diese Ströme für den MOSFET ins Gewicht?

Ein konkretes Beispiele wäre hier: 
https://lowpowerlab.com/shop/image/cache/data/TPL5110/Schematic-500x375.png 
(Die 100k for dem P-Kanal MOSFET Gate).

Wirkt der Widerstand irgendwie als Schutz, oder soll die 
Gate-Ansteuerung bedämpft werden?

von TrollJäger (Gast)


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MOSFET schrieb:
> Wirkt der Widerstand irgendwie als Schutz, oder soll die
> Gate-Ansteuerung bedämpft werden?

Denk doch mal nach, was passiert, wenn du einen Kondensator über ein 
Widerstand auflädst...

von Wolfgang (Gast)


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MOSFET schrieb:
> Wirkt der Widerstand irgendwie als Schutz, ...

Bei hohen Lastströmen erhöht er die EMV, indem die Schaltflanke 
abgeflacht wird.

von jz23 (Gast)


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MOSFET schrieb:
> Ein konkretes Beispiele wäre hier:
> https://lowpowerlab.com/shop/image/cache/data/TPL5110/Schematic-500x375.png
> (Die 100k for dem P-Kanal MOSFET Gate).

Ein konkretes Beispiel, wie man es eigentlich nicht macht. 100k kommen 
mir - egal wie schnell geschaltet - deutlich zu hoch vor.

Man muss hier unterscheiden zwischen MOSFET, die mit hohen 
Schaltfrequenzen getaktet werden, und solchen, die nur alle paar 
Sekunden (Oder seltener) an- und ausgeschaltet werden.
Das Problem ist, dass der MOSFET während des Umschaltens kurzzeitig zwar 
leitet, allerdings einen hohen Widerstand hat (Bzw. in Sättigung geht 
und als Konstantstromquelle arbeitet). Das erzeugt eine gewisse Menge 
Wärme. Schaltet man jetzt mit hohen Frequenzen (kHz, MHz), bekommt man 
hier eben signifikante Mengen an Wärme, im dreistelligen kHz-Bereich ist 
die Verlustleistung am MOSFET meist sogar durch die Umschaltverluste 
dominiert ggü. den statischen Verlusten.
Man will also bei hohen Frequenzen das Umschalten möglichst schnell 
gestalten - dafür gibt es Treiber, die die Kapazität entsprechend 
kräftig laden und entladen können. Da fügt man dann Widerstände zwischen 
Treiber und MOSFET ein, um die Anstiegszeit des Stromes künstlich zu 
begrenzen, damit weniger "Dreck" abgestrahlt wird - das ist dann ein 
Abwägen gegenüber der erhöhten Verlustleistung. Die Widerstände bewegen 
sich dann aber <<100 Ohm.
Wenn man nur statisch schaltet, braucht man Widerstände am Gate 
eigentlich nur, um eine mögliche Ansteuerschaltung zu schützen, wenn 
deren Ausgang nicht kurzschlussfest ist.

So wie in der gezeigten Schaltung - ein Gate-Treiber, der statisch 
schaltet mit 100kOhm ist grober Unfug. Der TLP5110 dürfte wohl 
kurzschlussfest sein (Zumindest wird im Datenblatt auch immer auf einen 
Gate-Widerstand verzichtet) und beim statischen Schalten von einem - 
vermutlich - geringen Strom braucht man den R überhaupt nicht. Man 
könnte hier natürlich einen einbauen, um auf Nummer sicher zu gehen, 
aber 100kOhm sind viel zu groß.

von Stefan F. (stefanus)


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Der Widerstand entlastet auch die Signalquelle und die 
Versorgungsspannung.

Wenn du einfach einen leeren Kondensator an VCC und GND anschließt, 
verschluckt sackt Spannungsversorgung kurzzeitig ab.

100kΩ ist allerdings schon außergewöhnlich viel. Dazu müsste das 
Datenblatt des IC eine Erklärung liefern.

Ich verwende normalerweise 100Ω solange ich keinen konkreten Grund für 
einen anderen Wert habe.

von Christian S. (roehrenvorheizer)


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Nicht jeder Ausgang, der den Mosfet steuern soll, kann unendlich viel 
Strom ins Gate pumpen, ohne defekt zu gehen oder eine Fehlfunktion zu 
haben.

MfG

von the_yrr (Gast)


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niedriger Widerstand ( so einige 10 ohm) wenn du mehrere mosfet über 
einen Treiber steuerst, damit nicht einer halb durchgeschaltet bleibt 
während sich die miller kapazität des anderen umlädt

etwas höherer widerstand wenn du nen logic level Mosfet direkt mit nem 
microcontroller ansteuerst (begrenzter Strom), dann begrenzt aber die RC 
Zeitkonstante die maximale Frequenz.

ab und zu nen realtiv hoher Widerstand von Gate nach Source, damit der 
mosfet sicher aus ist wenn unbeschaltet (z.B. bis ein controller 
definierte Ausgänge hat nach einem Power reset)

weiterhin können zu steile Flanken auch EMV Probleme verursachen/ 
benötigen sauberes Layout, das hängt dann aber eher vom spezifischen 
Treiber/Schaltfrequenz ab

100k sind aber in 99.9% der Fälle zu viel

von hinz (Gast)


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slla385 von TI

von MaWin (Gast)


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MOSFET schrieb:
> Welche Gründe gibt es eigentlich, einen Widerstand vor ein MOSFET Gate
> zu setzen

Viele unterschiedliche:

http://dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm#F.22.2

Warum das wohl ein Kapitel in einer FAQ hat...

von Jürgen W. (Firma: MED-EL GmbH) (wissenwasserj)


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So relevant alle obigen Themen sind, wird das wichtigste vergessen:

Je nach Layout und Gate-Kapazität können sich relevante Induktivitäten 
ergeben, die speziell beim Ausschalten das System schwingen lassen - das 
reicht um gerade bei Gegentaktstufen starke hochfrequente Querströme 
aufzubauen.

Für eine R-L-C-Serienschaltung ist der Grenzwiderstand für ein gedämpft 
schwingfähiges System R=sqrt(4*L/C).

Ich habe z.B. für eine RF-Treiberstufe den BSS316 in Verwendung (Cgs ca. 
100pF); bei angenommener parasitärer Induktivität von 1nH gilt
R>=sqrt(4*1/0,1) = 6,3 Ohm.
Man kann den Wert auch etwas kleiner ansetzen, wenn die Anstiegs- und 
Abfallzeit zu groß werden, man muß aber aufpassen, daß beim 
Nachschwingen VGS<VTH bleibt.

von Manfred (Gast)


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Stefanus F. schrieb:
> Ich verwende normalerweise 100Ω solange ich keinen konkreten Grund für einen 
anderen Wert habe.

Gib es zu: Du machst das genauso wie ich, "Angstwiderstand", das gehörte 
schon immer so :-)

Ich habe da gerne 1k und 100k G-S.

von Wolfgang (Gast)


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Stefanus F. schrieb:
> 100kΩ ist allerdings schon außergewöhnlich viel. Dazu müsste das
> Datenblatt des IC eine Erklärung liefern.

Christian S. schrieb:
> Nicht jeder Ausgang, der den Mosfet steuern soll, kann unendlich viel
> Strom ins Gate pumpen, ohne defekt zu gehen oder eine Fehlfunktion zu
> haben.

Ein MOSFET Steueranschluss, der einen 100kΩ Widerstand in Serie braucht, 
ist schlicht und einfach UNFUG.
Wem ein "unendlicher" Ladestrom zu viel ist, der muss nicht gleich auf 
100kΩ gehen. Das Datenblatt gibt vor dem Gate gar keinen Widerstand vor 
und in den Maximum Ratings ist lediglich ein Maximum für den 
(statische?) Strom von 5mA genannt.

von Stefan F. (stefanus)


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Manfred schrieb:
>> Ich verwende normalerweise 100Ω solange ich keinen konkreten Grund für
>> einen anderen Wert habe.
> Gib es zu: Du machst das genauso wie ich, "Angstwiderstand", das gehörte
> schon immer so :-)

Ich hatte eigentlich gar keine Bedenken und lange ganz ohne Widerstand 
gebastelt, weil ich nämlich auch weiß, dass die Ausgänge meiner 
Mikrocontroller kurzschlussfest sind, sofern ich nicht viele 
gleichzeitig kurzschließe.

Aber hier im Forum wurde das EMV Thema und die Auswirkung auf die 
Spannungsversorgung mehrfach erklärt. Deshalb habe ich nachgemessen und 
seit dem benutze ich Widerstände.

von udok (Gast)


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Die 100k begrenzen den "Inrush Current".

von Hennes (Gast)


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Hallo

"Warum das wohl ein Kapitel in einer FAQ hat..."

-Weil die FAQ (nicht...) prominent auf der Startseite hervorgehoben 
wird.

-Weil es eine so gute den die Erwartungen und Ansprüchen der meisten 
Nutzer im Jahr 2018 entsprechende Wissensvermittlung bietet - was 1998 
mit den Telefonmodem ausreichen musste ist auch 2018 nicht zu Überbieten 
- ergänzende "echte" Bilder und Diagramme oder gar Videos oder 
Simulationen sind doch nur neu modischer Quatsch der vom eigentlichen 
Inhalt ablenkt. Auch sind natürlich irgendwann 2001 gesetzte Links im 
Jahre 2018 immer nocht aktuell und werden ganz bestimmt noch 2040 
funktionieren.

-Weil eine freundliche und gute Erklärung direkt durch einen Menschen, 
wie sie z.B. jz23 gegeben hat einfach nicht in die E-Technik Welt passt, 
wer sich für E-Technik interessiert muss in der Lage sein eine einmal 
(so um Anno 1995) für die Allgemeinheit abgegebene Erklärung zu 
verstehen.

-Weil in einen Forum nicht zu viel Aktivität sein darf (jedes Bit an 
Speicherplatz ist teuer !), und in einen E-Technik Forum nur vorher 
tagelang recherchierte Fragen ab Hochschulniveau gestellt werden dürfen, 
vorzugsweise aber nur innerhalb eines festen Grüppchen was sich am 
besten schon zur Zeiten der Newsgroups und des Internet für wenige 
gebildet hatte - Der bekannte Elfenbeinturm und Zugangseinschränkungen 
(mindestens Abiturnachweis) hätten auch in einen E-Technik Forum bestand 
haben sollen - "leider" ist es dafür jetzt zu spät.

-Die eigentliche Bedeutung des Begriffes "Forum" wird sowieso zu stark 
überbewertet - einen Marktplatz wo sich die verschiedensten Leute (hier 
virtuell) treffen oder die Bedeutung als ein Platz für Meinungs- und 
Informationsaustausch passt einfach nicht in die Welt der E-Technik...

Dann muss man gerade zu MaWin (auch wenn es nicht der "echte" sein 
sollte, seine vorbildlichen Umgangston und gutes soziale Verhalten hat 
er auf jeden Fall gut erlernt) in seinen lehrreichen und vorbildlichen 
Hinweis zustimmen.


Danke MaWin das du als einiger der Wenigen hier das Niveau hier im Forum 
und den Lernverhalten im E-Technik Bereich so hoch hältst.

Hennes

von udok (Gast)


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Mein Gott, was für ein Aufwand wegen so einem Widerstand...

von Stefan F. (stefanus)


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Hennes schrieb: viel gemecker

Hennes, wenn Du mikrocontroller.net doof findest, dann darfst du gerne 
woanders hin gehen oder deine eigene "bessere" Seite aufbauen.

Ich freue mich derweil darüber, dass man hier prima kommunizieren und 
lernen kann - sogar kostenlos.

von samsongsing (Gast)


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Stefanus F. schrieb:
> Ich freue mich derweil darüber, dass man hier prima kommunizieren und
> lernen kann - sogar kostenlos.

Für mich ist der Beitrag von Hennes der bisher beste Beitrag in diesem 
Post.

Ich beschäftige mich seit einem Jahr sehr intensiv mit MOSFETs und habe 
auch über die korrekte Auslegung des Gatewiderstandes viele aktuelle 
Artikel gelesen (u.a. etliche Dissertationen) und reichlich 
Versuche/Messreihen durchgeführt.

Die bisherigen Beiträge strotzen von Halbwissen und die Verweise von 
MaWin spiegeln alles Andere als den aktuellen technischen Stand wieder. 
Gerade in den letzten 1...2 Jahren hat sich auf diesem Gebiet sehr viel 
getan.

Mein Tipp: Sucht bei Google nach aktuellen Fachartikeln und sucht mal 
bei den üblichen Distributoren (ich meine RS, Farnell, Mouser etc.) nach 
MOSFET-Treibern und MOSFETs und schaut mal in die Datenblätter rein.

von Stefan F. (stefanus)


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samsongsing schrieb:
> Für mich ist der Beitrag von Hennes der bisher beste Beitrag in diesem
> Post.

Warum, weil er zur Frage und Fachlich NULL Inhalt hat?

von ÄXl (Gast)


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Jürgen W. schrieb:
> Je nach Layout und Gate-Kapazität können sich relevante Induktivitäten
> ergeben, die speziell beim Ausschalten das System schwingen lassen - das
> reicht um gerade bei Gegentaktstufen starke hochfrequente Querströme
> aufzubauen.
>
> Für eine R-L-C-Serienschaltung ist der Grenzwiderstand für ein gedämpft
> schwingfähiges System R=sqrt(4*L/C).

einzig richtige erklärung bislang.
bedämpfung der parasitären Schwingungen durch zuleitungsinduktivität und 
gatekapazität.

Es ist manchaml eben blöd, wenn der FET noch'n paarmal an und ausgeht, 
wenn er eigentlich aus sein sollte. Die Dinger sind flink!

von udok (Gast)


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In dem Zusammenhang Blödsinn (wie das meiste hier).

So ein hoher Gate Widerstand bewirkt nur, dass der
Mosfet sehr langsam schaltet, und dadurch
den Inrush Current der nachgeschalteten Kondensatoren begrenzt.
Das wurde früher bei USB manchmal so gemacht.

von Michael B. (laberkopp)


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samsongsing schrieb:
> Ich beschäftige mich seit einem Jahr sehr intensiv mit MOSFETs und habe
> auch über die korrekte Auslegung des Gatewiderstandes viele aktuelle
> Artikel gelesen (u.a. etliche Dissertationen) und reichlich
> Versuche/Messreihen durchgeführt.
>
> Die bisherigen Beiträge strotzen von Halbwissen und die Verweise von
> MaWin spiegeln alles Andere als den aktuellen technischen Stand wieder.
> Gerade in den letzten 1...2 Jahren hat sich auf diesem Gebiet sehr viel
> getan.

Echt, dann mal raus mit deinem neuen Weisheiten.

Ach nein, die behältst du lieber für dich, Geheimwissen welches dich 
weiter bringt und andere lässt du gerne zurück in ihrem Halbwissen.

von Peter D. (peda)


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In Kleinspannungsanwendungen (<=24V) ist in der Regel kein 
Gatewiderstand nötig.
Erst bei hohen Spannungen oder hohen PWM-Frequenzen braucht man ihn.

von hinz (Gast)


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ÄXl schrieb:
> einzig richtige erklärung bislang.
> bedämpfung der parasitären Schwingungen durch zuleitungsinduktivität und
> gatekapazität.

Genau das steht auch in der AppNote von TI.

Beitrag "Re: Wann Widerstand vor MOSFET Gate?"

von M.A. S. (mse2)


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udok schrieb:
> So ein hoher Gate Widerstand bewirkt nur, dass der
> Mosfet sehr langsam schaltet, und dadurch
> den Inrush Current der nachgeschalteten Kondensatoren begrenzt.
> Das wurde früher bei USB manchmal so gemacht.

Das habe ich selber auch schon so gemacht: Ein MOSFET sollte eine Last 
zu bzw. abschalten. Der Einschaltstrom (bedingt durch Kapazitäten 
parallel zur Last) musste begrenzt werden. Die Schaltfrequenz war sehr 
niedrig (1/Stunde), es kam also nicht darauf an, die Leistungsaufnahme 
beim Schaltvorgang zu minimieren.
100k in Reihe und sogar noch ein Cerko parallel zu GS, fertig. 
Funktioniert tadellos.


Natürlich muss man im Einzelfall genau hinsehen, ob das so einfach geht, 
ob die Schaltfrequenz zu hoch ist bzw. die bei langsamen Einschalten des 
MOSFETs umgesetzte Energiemenge zu groß wird.

: Bearbeitet durch User
von DGS (Gast)


Angehängte Dateien:

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MOSFET schrieb:
> Welche Gründe gibt es eigentlich, einen Widerstand vor ein MOSFET Gate
> zu setzen?
>
> Ich verstehe, dass das Gate eine Kapazität hat, und dass diese Umgeladen
> wird, aber fallen diese Ströme für den MOSFET ins Gewicht?
>
> Ein konkretes Beispiele wäre hier:
> https://lowpowerlab.com/shop/image/cache/data/TPL5110/Schematic-500x375.png
> (Die 100k for dem P-Kanal MOSFET Gate).
>

Was auch immer sich derjenige gedacht haben mag diesen Wert zu wählen 
repräsentativ ist er nicht und ohne zu wissen was das für ein FET sein 
und was er schalten soll kann man da wenig vernünftiges zu sagen.
Wenn die Gatekapzität ungewöhnlich niedrig läge fiele so ein Widerstand 
sicher auch größer aus aber ein resultierender max. Strom 33μA erscheint 
doch bisl wenig.


> Wirkt der Widerstand irgendwie als Schutz, oder soll die
> Gate-Ansteuerung bedämpft werden?

Ja, schalte e.g. ein Ventil,Relais sonstige Induktivität mit einer 
Freilaufdiode die ist zwar in Sperrrichtung eingebaut aber real sperrt 
sie erst mit einer gewissen Verzögerung, zwar nur kurz aber in dieser 
Zeit sieht der FET keinen 'Vorwiderstand' und schliest die Vorsorgung 
direkt an Masse, wenn der DS Widerstand dann langsamer fällt kann die 
Zeit quasi gebrückt werden, wenn man es so ausdrücken will. Darf halt zu 
keinem Zeitpunkt überlastet werden was da ggf. zu machen ist bedarf mehr 
Kenntnisse über die zu verwendeten Bauteile und die Einsatzsituation.


----
auch wenn der 1985er sipmos Geschichte ist,
im Prinzip wird das alles nach wie vor stimmen.
Halt mit niedrigeren RDSon, Gatekapazitäten etc.

von Michael B. (laberkopp)


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DGS schrieb:
> bedarf mehr Kenntnisse über die zu verwendeten Bauteile und die 
Einsatzsituation.

Du sagst es.

Dioden haben die reverse recovery Zeit nur wenn sie leiten, also gerade 
vorwärts Strom durch sie fliesst und sie nun abschalten sollen, nicht 
wenn sie unbenutz rumliegen, also kein Vorwärtsstrom fliest. Dann darf 
man beruhigt eine Sperrspannung anlegen ohne dass erstmal nennenswert 
Strom fliesst.

Schaltet man ein Ventil,Relais sonstige Induktivität wird der 
Stromansteig durch die Induktivität gerade am Anfang deutlich gebremst.

Ein MOSFET der eine ausgeschaltete Induktivität einschaltet hat also 
weder ein Problem mit der Freilaufdiode, noch mit dem Stromanstieg, und 
ein gebremstes Einschalten durch hochhomige Gatewiderstände bringt genau 
gar nix.


Du siehst also, wie Grundkenntnisse über Bauteile den Märchen die so 
erzählt werden schnell den Garaus machen können.

Bei schneller PWM würde die Feilaufdiode ggf. noch leiten wenn der 
MOSFET schon wieder einschaltet. Dann gibt es ein Problem mit langsam 
Dioden, der Stromfluss durch sie wird auch nicht durch die 
Spuleninduktiviät gebremst, er fliesst ja drumrum.

Trotzdem bekämpft man Probleme bei schneller PWM nicht durch langsames 
Einschalten des MOSFETs, sondern durch schnellere Dioden (fast, 
ultrafast, Schottky).


Wie mans dreht und wendet: Der hochohmige Widerstand lässt sich durch 
deine Theorien nicht begründen.


Es gibt ggf. eine ganze ander Erklärung, wenn man die Schaltung 
betrechtet wird ein Schaltungsteil aus einem stromversorgten Teil heraus 
eingeschaltet. Wenn die Schaltungsteile Abblockkondenstaoren entahlten, 
wie üblich, dann schaltte der MOSFET einen geladenen Kondenstaor und 
einen ungeladenen zusammen:
[pre}
--+--MOSFET--+--
  |    |     |
  C          C
  |          |
Masse      Masse
[/pre]
Bei gleicher Kapazität sackt die Spannung beider zusammen auf halbe 
Spannung, damit lässt sich die Schaltung links vielleicht in der 
Funktion stören. Ein langsam einschaltender MOSFET kann da helfen, weil 
von links ja aus einer Stromversorgung nachgeladen wird.
Insbesondere wenn die rechte Schaltung nicht unendlich viel Strom 
verbraucht, macht die Verlustleistung im MOSFET auch nichts aus.

Aber auch hier gibt es eine bessere Möglichkeit: Mache den linken 
Kondensator 10 mal so gross wie den rechten, dann bleibt der 
Spannungseinbruch im Rahmen.

(letzlich sind Abblockkondenstaorne nichts anderes: 10 mal so gross wie 
die durch die Ausgänge schlimmstenfalls plötzlich umgeladene 
Ausgangskapazität).

von udok (Gast)


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Was für ein Gelabber...

von DGS (Gast)


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Michael B. schrieb:


> Schaltet man ein Ventil,Relais sonstige Induktivität wird der
> Stromansteig durch die Induktivität gerade am Anfang deutlich gebremst.
>
> Ein MOSFET der eine ausgeschaltete Induktivität einschaltet hat also
> weder ein Problem mit der Freilaufdiode, noch mit dem Stromanstieg, und
> ein gebremstes Einschalten durch hochhomige Gatewiderstände bringt genau
> gar nix.

Laberkopp, die Induktivität wird beim Schalten von Leistung einfach mal 
durch den Sperrverzug der Diode übergangen.

von Jens G. (jensig)


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>Laberkopp, die Induktivität wird beim Schalten von Leistung einfach mal
>durch den Sperrverzug der Diode übergangen.

Beim Einschalten?

von CBE (Gast)


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Jens G. schrieb:
>>Laberkopp, die Induktivität wird beim Schalten von Leistung einfach mal
>>durch den Sperrverzug der Diode übergangen.
>
> Beim Einschalten?


Ja.

-1   ▲ lesenswert  ▼ nicht lesenswert

Mikrocontroller.net das Forum für gefühlte Elektronik.
Wäre klasse wenn dieses Unmutsbekundunginstrument mal wieder 
eingestampft würde.


Understanding-Diode-Reverse-Recovery-and-Its-Effect-on-Switching-Losses

https://www.fairchildsemi.com/technical-articles/Understanding-Diode-Reverse-Recovery-and-Its-Effect-on-Switching-Losses.pdf


Fast, faster, fastest!

https://www.ixys.com/Documents/AppNotes/IXAN0060.pdf

In hard switching applications with an inductive load, the freewheeling 
diode causes high losses during the *turn-on transition of the power 
switch* ...




Wenn der FET in der Lage ist schneller zu schalten als die Diode es eben 
schaft dicht zu werden dann wird die Induktivtät kurzeitig umgangen.

von M.A. S. (mse2)


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CBE schrieb:
> -1   ▲ lesenswert  ▼ nicht lesenswert
>
> Mikrocontroller.net das Forum für gefühlte Elektronik.
> Wäre klasse wenn dieses Unmutsbekundunginstrument mal wieder
> eingestampft würde.

Es kommt in der Tat immer mal wieder zu exrem unqualifizierten 
Punktevergaben.

von Michael B. (laberkopp)


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CBE schrieb:
> Understanding-Diode-Reverse-Recovery-and-Its-Effect-on-Switching-Losses

Ja, es wäre schön, wenn du vor dem Posten diesen Artikel wenigstens mal 
gelesen hättest.

"if an external switch forces the diode to change from the conducting to 
the non-conducting state (“forced commutation”) extra current is 
required"


DGS schrieb:
> Laberkopp, die Induktivität wird beim Schalten von Leistung einfach mal
> durch den Sperrverzug der Diode übergangen.

Nur wenn das Einschalten des MOSFETs passiert, während noch Entladestrom 
der Spule durch die Freilaufdiode fliesst.

Also nur bei PWM, nicht bei gelegntlichem Ein- und ausschalten.

Hatte ich das nicht gerade schon geschrieben:

Michael B. schrieb:
> Dioden haben die reverse recovery Zeit nur wenn sie leiten, also gerade
> vorwärts Strom durch sie fliesst und sie nun abschalten sollen, nicht
> wenn sie unbenutz rumliegen, also kein Vorwärtsstrom fliest

Du solltest Artikel, auf die die antwortest, also auch lesen, und nicht 
mehfach dummblöd ignorieren daß du schon korrigiert wurdest.

: Bearbeitet durch User
Beitrag #5624179 wurde vom Autor gelöscht.
von Frank B. (frank501)


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Hennes schrieb:
> ...
> Hennes

µC.net auf den Punkt gebracht.

von W.S. (Gast)


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MOSFET schrieb:
> Welche Gründe gibt es eigentlich, einen Widerstand vor ein MOSFET Gate
> zu setzen?
>
> Ich verstehe, dass das Gate eine Kapazität hat, und dass diese Umgeladen
> wird, aber fallen diese Ströme für den MOSFET ins Gewicht?

Dann hast du bereits das Wichtigste verstanden.

Den Widerstand vor dem Gate benutzt man, wenn das Gate von einem 
schwachen Treiber geschaltet werden soll, also z.B. einem Portpin deines 
µC. So eine Schaltung ist aber nur für langsame bzw. gelegentliche oder 
stromarme Schaltvorgänge geeignet (kleine FET's im SOT23 Gehäuse usw.).

Dieser Widerstand soll den Strom beim Schalten so begrenzen, daß das 
Portpin deines µC nicht Schaden nimmt und auch, daß die VCC des µC beim 
Einschalten des FET's nicht in den Brownout-Bereich gezogen wird.

Wenn man Leistungs-FET schalten will, dann nimmt man dafür sowas wie den 
TC4420/29. Die Dinger können das Gate mit ca. 2 Ampere hoch und mit ca. 
6 Ampere wieder runter ziehen und damit sorgen sie für ein einigermaßen 
verlustarmes Schalten des FET's.

W.S.

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