Hallo,
ich baue gerade ein kleines Gerät mit FPGA und DRAM, und erwarte, dass
das Gerät bei etwa 80°C Betriebstemperatur gefahren wird.
Dementsprechend hoch wird die Refresh-Rate vom DRAM sein. Eine andere
Frage, die sich mir gestellt hat, war: Wie hoch ist die Lebensdauer
eines DRAM (Component DDR3L bis 105°C) bei so hohen Temperaturen, d.h.
sind Ausfälle nach Jahren/Jahrzehnten zu beachten? Ich hätte jetzt auf
"Don't care" getippt, was sagt ihr?
@schiebepeter (Gast)
>ich baue gerade ein kleines Gerät mit FPGA und DRAM, und erwarte, dass>das Gerät bei etwa 80°C Betriebstemperatur gefahren wird.
Ufff.
>Dementsprechend hoch wird die Refresh-Rate vom DRAM sein.
Die ist auch so schon recht hoch. Ob man da wirklich noch höher gehen
muss?
> Eine andere>Frage, die sich mir gestellt hat, war: Wie hoch ist die Lebensdauer>eines DRAM (Component DDR3L bis 105°C) bei so hohen Temperaturen,
Das wird dir kein Hersteller sagen, weil das weder getestet noch
spezifiziert ist.
>d.h. sind Ausfälle nach Jahren/Jahrzehnten zu beachten?
Bei 105°C ist mit erheblich schnellerer Alterung zu rechnen. Wann es
real und statistisch zum Ausfall kommt, ist aber sehr spezifisch.
> Ich hätte jetzt auf "Don't care" getippt, was sagt ihr?
"Don't care" gibt es im Ingenieursbereich eher selten.
Falk B. schrieb:>> 80°C Betriebstemperatur [...]>>Dementsprechend hoch wird die Refresh-Rate vom DRAM sein.>> Die ist auch so schon recht hoch. Ob man da wirklich noch höher gehen> muss?
Aber natürlich. Und wenn man wirklich ans Limit gehen will, findet man
die Grenze per ECC heraus:
http://www.memcon.com/pdfs/proceedings2015/MSM102_GreenMountain.pdf
Falk B. schrieb:>>d.h. sind Ausfälle nach Jahren/Jahrzehnten zu beachten?>> Bei 105°C ist mit erheblich schnellerer Alterung zu rechnen. Wann es> real und statistisch zum Ausfall kommt, ist aber sehr spezifisch.
Gibt es auch keine Studien darüber, wie sehr Temperatur und Lebensdauer
korrelieren? Es geht mir dabei um harte Ausfälle des ICs, d.h. permanent
beschädigte Bits oder Words, die auch nicht mit ECC oder Refresh
gerettet werden können. Die Aufgabe des FPGAs ist es, die Daten, die es
in den DRAM zwischenpuffert, sofort wieder auszulesen, nur per
random-access (max. 100ms). Dementsprechend ist es nicht wichtig, wie
die Langzeit-Speicherung spezifiziert ist, sondern wie wahrscheinlich es
ist, dass ein DRAM harte Fehler nach N Jahren zeigt. Wir spielen das
Thema eigtl. für NAND/NOR-Speicher durch, und ich wurde gefragt, ob der
DRAM ein Risiko darstellen könnte.
Das ist machbar, setzt aber voraus, dass man die richtigen Bausteine
einsetzt. Mein ehemaliger Arbeitgeber hat DRAM schon im
Motorintegrierten Wechselrichtern verbaut. Da hat der Kühler schon
>100°.
Was man tun muss, ist den Hersteller kontaktieren, der kann
üblicherweise mit Daten zum gewünschten RAM dienen. Oft bekommt man
mindestens FIT-Werte. Auch Vorschläge für bestimmte Typen sind zu
bekommen.
Ich würde mich dazu mal an ISSI wenden, die haben guten Support.
Im Idealfall kontaktiert man den Lieferanten, der das später auch
liefern soll. Wenn du halbwegs Volumen hast, sind die üblicherweise sehr
kooperativ in der Hinsicht.
schiebepeter schrieb:> Gibt es auch keine Studien darüber, wie sehr Temperatur und Lebensdauer> korrelieren?
Eine Faustformel, so alt wie die Elektronik: 10 Grad mehr = halbe
Lebensdauer.
Solange du die Lebensdauer bei 25 Grad nicht weisst nützt das allerdings
wenig. In jedem Fall leben DRAMs im Durchschnitt sehr viel länger als
die Computer in denen sie stecken. Seriöse Werte kann es daher nur durch
spezielle Untersuchungen geben, die i.A. bei hohen Temperaturen
durchgeführt werden, damit man in akzeptabler Zeit zu Ergebnissen kommt.
Mir sind aber keine bekannt.
Georg
Hi,
Falk B. schrieb:> @schiebepeter (Gast)> Bei 105°C ist mit erheblich schnellerer Alterung zu rechnen. Wann es> real und statistisch zum Ausfall kommt, ist aber sehr spezifisch.
Was verursacht eingentlich die beschleunigte Alterung? Wenn ich es
richtig verstanden habe wird die Dotierung im Chip "zerstört".
Ist dieser Zerstörung linear mit der steigenden Temperatur?
Hatte da schon öfters versucht das zu recherchieren, gute Infos oder
Tabellen nie gefunden.
schiebepeter schrieb:>> Bei 105°C ist mit erheblich schnellerer Alterung zu rechnen. Wann es>> real und statistisch zum Ausfall kommt, ist aber sehr spezifisch.>> Gibt es auch keine Studien darüber, wie sehr Temperatur und Lebensdauer> korrelieren?
Kann schon sein, muss man halt finden.
> ist, dass ein DRAM harte Fehler nach N Jahren zeigt. Wir spielen das> Thema eigtl. für NAND/NOR-Speicher durch, und ich wurde gefragt, ob der> DRAM ein Risiko darstellen könnte.
Kann er. Alle Fehlerquellen die man unterschätzt sind eins.
Werner B. schrieb:> Was verursacht eingentlich die beschleunigte Alterung?
Das kommt auf den IC an.
> Wenn ich es> richtig verstanden habe wird die Dotierung im Chip "zerstört".
Nein, dafür sind die Temperaturen meist zu niedrig, zumindest bei
Logik-ICs. Bei LEDs schon, auch bei hochbelasteten Transistoren. Aber
auch dort sind es eher andere Mechanismen. Temperaturwechsel zerbröseln
manchmal Bond-Stellen. Bei Flash und EEPROM wird das isolierte Gate
"löchrig", der Leckstrom steigt und irgendwann ist die Ladung im Gate
weg.
> Ist dieser Zerstörung linear mit der steigenden Temperatur?
Kommt drauf an, ist sehr verschieden. Wenn ne Diode wegen Überlast
durchbrennt, ist es meist eine Z-Dioden Charakteristik ;-)
Falk B. schrieb:> Werner B. schrieb:>>> Was verursacht eingentlich die beschleunigte Alterung?> Das kommt auf den IC an.
Mir kamen schon öfters defekte TTL ICs (meisste Bustreiber) in alten
Boards vor, wo ich mich gefragt habe warum die jetzt verstorben sind.
Vom Design her konnte es nicht sein, da die Karten min. 25 Jahre
gelaufen sind.
Bei einem Designfehler wären die IMO früher gestorben.
ESD kann ich ausschliesen, da die ICs nichts mit den Schnittstellen zu
tun hatten.
DRAM altern eigentlich kaum. Die Zahl der Zugriffe etc. ist für die
egal.
Schwachstellen sind an erster Stelle die Lötstellen, die haben besonders
viel Probleme, wenn es Temperaturgänge gibt. Da hängt sehr viel an der
Qualität der Fertigung, was schlecht nachvollziehbar ist.
Bei den Chips hängt viel davon ab was die für eine Historie in der
Produktion hatten. Beginnt beim Wafer und Fertigungsprozess. Sind da
schon Defekte drin, dann ist die Gefahr durch Elektromigration einen
Ausfall zu haben höher. Waren die Chips bis zur Produktion der Module
nicht ordentlich in Trockenlagerung, dann kann das Gehäuse Risse haben
(die beim Löten durch Dampf von aufgenommenem Wasser entstehen), durch
die dann der Chip wieder geschädigt werden kann.
Also man kann da durchaus was ausrechnen, aber die schlecht
nachvollziehbaren Faktoren in der Produktionskette haben wahrscheinlich
den größten Einfluss.
Warme DRAMs sind nicht wirklich ungewöhnlich. Mainboards von PCs und
Servern sind keineswegs ein stressfreies Biotop, wenn lange Zeit hohe
Last vorliegt. Gut genutzte DRAMs werden schon von sich aus warm und was
sie an Kühlluft abkriegen, das kommt bei vielen PC-Boards als heisse
Abluft vom CPU-Kühler.
Bei Mobilgeräten ist das noch etwas krasser, denn da sitzen sie direkt
auf dem Prozessorchip oben drauf, im gleichen Baustein.