Hallo Leute, die Frage steht ja schon in der Überschrift. Habe das Datenblatt dieses Mosfets gelesen, aber werde nicht schlau daraus, was bei Erreichen der 150° geschieht. Wird dann intern das Gate kurzgeschlossen?
Schau mal auf der Seit unter Applikationsbeispiele. Das steht einigies drin. https://www.infineon.com/cms/de/product/power/smart-low-side-high-side-switches/automotive-low-side-temperature-switch-tempfet/#!documents Auf jeden Fall benötigt man bei deinem Mosfet einen recht hochohmigen externen Gate-Widerstand. Das schränkt die Anwendung schon stark ein - nur langsames schalten möglich. Kein Wunder dass man den höchstens dazu verwendet eine Lampe einzuschalten.
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Mit zunehmender Temperatur sinkt die Durchbruchspannung und die Alterung im Hinblick auf die Durchlegierung wird beschleunigt. Kann man messen, wenn der Halbleiter an einen Meßcompuer angeschlossen wird (sehr niedrige Meßleistungen werden beaufschlagt) und von außen erhitzt wird.
Dieter schrieb: > Mit zunehmender Temperatur sinkt die Durchbruchspannung und die > Alterung > im Hinblick auf die Durchlegierung wird beschleunigt. Kann man messen, > wenn der Halbleiter an einen Meßcompuer angeschlossen wird (sehr > niedrige Meßleistungen werden beaufschlagt) und von außen erhitzt wird. Thema verfehlt!
@hinz Nein, nur die Einleitung. @TO Diese Temperatur liegt höher als 150 Grad. Im Betrieb gibt es ein Temperaturgefälle, deren Wesentlichen sind vom Chip über die Kontaktfläche auf das Gehäuse und dann weiter auf den Kühlkörper, sofern einer vorhanden ist. Der deutlich größere Teil an Verlustleistungen, die den Chip aufheizen fällt im eingeschalteten Zustand an. Ein wirksamer Schutz wäre daher eine Funktion, die den Halbleiter bei Erreichen von Chip-Übertemperaturen sicher abschalten würde. Insbesondere die Kette vom Chip bis zum Kühlkörper zeigt, dass die Chiptemperatur das am besten geeignete Kriterium ist. Im Datenblatt steht, dass über eine Art interner temperaturabhängigen Thyristor jeweils der MOSFET in den Sperrbetrieb versetzt wird und sich dadurch der Halbleiter selbst schützt. Bei der ersten Generation dieser Halbleiter wurde das Gate quasi gegenüber dem Source gegroundet und ein nicht zu kleiner Gatevorwiderstand war daher notwendig vorzusehen. Eine Weiterentwicklung ermöglichte diesen Gatevorwiderstand wegzulassen (im Detail des internen Aufbaus ähnelt dies einem Dualgatemosfet). Das verbesserte die Schaltzeiten (ein und ausräumen des Gate) und wird daher Speed Tempfet genannt. Um zu klären welcher Typ vorliegt, ist ein Blick ins Datenblatt unerläßlich.
Dieter schrieb: > Um zu klären welcher Typ vorliegt, ist ein Blick ins Datenblatt > unerläßlich. Ratloser schrieb: > Habe das Datenblatt dieses Mosfets gelesen, Sowas aber auch.
hinz schrieb: > Dieter schrieb: >> Um zu klären welcher Typ vorliegt, ist ein Blick ins Datenblatt >> unerläßlich. > > Ratloser schrieb: >> Habe das Datenblatt dieses Mosfets gelesen, > > > Sowas aber auch. Im Datenblatt steht gar nichts bezüglich eines Gatevorwiderstandes. Das kann man nur an Hand der DAten erahnen, nachdem man die Applikation Notes über Tempfets gelesen hat. In dem Datenblatt wird verschwiegen, dass das die Anwendung in einer DC/DC Wandlerschaltung unmöglich macht. Strategisches weglassen von Informationen nenne ich das.
Helmut S. schrieb: > Strategisches weglassen von Informationen nenne ich das. Das Datenblatt wurde von einem Politiker erstellt...
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