Hallo, ich arbeite mich gerade in die MW-Technik (M-Stripline, S-Parameter, Anpassung usw.) als Anfänger ein. Folgendes Beispiel: Transistor BFP720, NF= 0,4 @ 5 mA und 1995 MHz Aus dem DB von Infineon ist für die optimale Rauschanpsssung zu entnehmen: ZL = 95 Ohm + j55 Ohm, normiert auf 50 Ohm: ZL' = 1,1 +j1,1 1. Im Smith-Diagramm (Zs = Zopt. für min. NF) ist erkennbar, dass durch eine Serienkapzität von 1,45pF die Impedanz reell 95 Ohm werden könnte. In DEM Fall wäre es für mein Gefühl sogar denkbar, den Transistor mit einer bereits auf 95 Ohm angepassten Leitung zu "bedienen". Gunthart Kraus hat in seinem Tutorial zu "Ansoft Designer" auf Seite 64 ff. ein Beispiel mit einem MMIC, dessen S 11 für min NF in sehr ähnlichem Bereich (ca. 1,9 Ohm + j1,5 Ohm) liegt. Dort wird jedoch die Anpassung über eine S-INDUKTIVITÄT erreicht?! Bin total verwirrt... 2. Zweite Verwirrung: das DB vom BFP720 gibt als S11-Wert bei 1995 MHz/5mA ZL' etwa 0,3 - j1,1 aus. Dann käme logischerweise eine Serien-Ind. + Imp.-Transformation zur Anpassung an Z0 = 50 Ohm in Frage. Welcher Weg ist nun der richtige bzw. wo ist mein Fehler? Bin völlig ratlos, eben Neuling auf dem Gebiet. Ich hoffe, es fehlt jetzt keins der "berühmten" Salami-Scheibchen... :-) Gruß und Guten Rutsch
Michael M. schrieb: > in die MW-Technik Mittelwellen-Technik? Michael M. schrieb: > für min. NF Minimale Niederfrequenz? Ich hoffe ja, daß du etwas anderes meinst, denn in den Diagrammen geht es um Gigahertz-Technik. :-)
Michael M. schrieb: > NF= 0,4 @ 5 mA und 1995 MHz Aha, jetzt habe ich es entdeckt. Du meinst die Rauschzahl (noise figure). Bleibt noch die MW-Technik?
Danke für die schnelle Reaktion. Gemeint ist natürlich MW= MikroWellen (microwave) und NF = Noise Figure. Ich war der Meinung, das seien stehende Begrifflicheiten. ;-)
Michael M. schrieb: > ZL = 95 Ohm + j55 Ohm, normiert auf 50 Ohm: ZL' = 1,1 +j1,1 Müsste der Winkel Phi bei der Umwandlung in die Exponentialform bei beiden Werten nicht gleich bleiben?
Frag mich mal was leichteres... :D Ich bin kein großartiger Mathematiker. Ich sehe im Normierungsvorgang keine Exponentialform. Es wird ja nur ins Verhältnis zur gewählten/üblichen System-Impedanz Z0 = 50Ohm gesetzt.
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Bearbeitet durch User
Ist halt ein Tippfehler oder? ZL = 95 + j55 Z0 = 50R ZL' = 95/50 + j55/50 = (1,9 + j1,1)
Michael M. schrieb: > Gemeint ist natürlich MW= MikroWellen (microwave) > und NF = Noise Figure. > > Ich war der Meinung, das seien stehende > Begrifflicheiten. ;-) Ja, sind es schon... nur ist der Aküfi nicht jedermanns Sache.
Rest schrieb: > Ist halt ein Tippfehler oder? > > ZL = 95 + j55 > Z0 = 50R > ZL' = 95/50 + j55/50 = (1,9 + j1,1) Ja, hast absolut Recht, es sollte natürlich 1,9 + j1,1 sein. Danke.
Michael M. schrieb: > Aus dem DB von Infineon ist für die optimale Rauschanpsssung zu > entnehmen: > ZL = 95 Ohm + j55 Ohm, normiert auf 50 Ohm: ZL' = 1,1 +j1,1 Für geringstes Rauschen möchte der Transistor aus einem Quellwiderstand Zs=95+j55 gespeist werden. Die tatsächliche Eingangsimpedanz des Transistors liegt bei ca. Ze=16-j51 @ 1,99GHz/3V/5mA. Eine kurze (~0,156xLambda) 90Ohm Leitung wäre z.B. in der Lage von 50Ohm auf Zs=95+j55 zu transformieren. Michael M. schrieb: > 2. Zweite Verwirrung: das DB vom BFP720 gibt als S11-Wert bei 1995 > MHz/5mA > ZL' etwa 0,3 - j1,1 aus. Dann käme logischerweise eine Serien-Ind. + > Imp.-Transformation zur Anpassung an Z0 = 50 Ohm in Frage. > > Welcher Weg ist nun der richtige bzw. wo ist mein Fehler? Bin völlig > ratlos, eben Neuling auf dem Gebiet. In diesem Fall betreibst du Leistungsanpassung, das Rauschmaß ist zweitrangig. Die Eingangsimpedanz des Transistors Ze=16-j51 soll auf 50Ohm angepasst werden. Mittels eines vorgeschalteten Netzwerkes (z.B. L-C Tiefpass) muss daher der Transistor mit dem konjugiert komplexen Quellwiderstand Zs=16+j51 angesteuert werden.
Hallo Robert, danke für deine Ausführungen. Robert M. schrieb: > Für geringstes Rauschen möchte der Transistor aus einem Quellwiderstand > Zs=95+j55 gespeist werden. Die tatsächliche Eingangsimpedanz des > Transistors liegt bei ca. Ze=16-j51 @ 1,99GHz/3V/5mA. Eine kurze > (~0,156xLambda) 90Ohm Leitung wäre z.B. in der Lage von 50Ohm auf > Zs=95+j55 zu transformieren. Ich habe das alles mal mit SimSmith probiert und wohl auch hinbekommen(?). Die 90-Ohm-Leitung passt offensichtlich, siehe Bild "TL=90R". :-) > > Michael M. schrieb: >> 2. Zweite Verwirrung: das DB vom BFP720 gibt als S11-Wert bei 1995 >> MHz/5mA >> ZL' etwa 0,3 - j1,1 aus. Dann käme logischerweise eine Serien-Ind. + >> Imp.-Transformation zur Anpassung an Z0 = 50 Ohm in Frage. >> > > In diesem Fall betreibst du Leistungsanpassung, das Rauschmaß ist > zweitrangig. Die Eingangsimpedanz des Transistors Ze=16-j51 soll auf > 50Ohm angepasst werden. Mittels eines vorgeschalteten Netzwerkes (z.B. > L-C Tiefpass) muss daher der Transistor mit dem konjugiert komplexen > Quellwiderstand Zs=16+j51 angesteuert werden. Dass das dann reine Leistungsanpassung (Rauschen zweitrangig) ist, war mir schon klar. Es ist nur (als Anfänger) sehr unplausibel, dass S11 so krass von der Rausch-Anpassung abweicht. ^^ Bild "S11" zeigt dann das nötige Eing.-Netzwerk. Mit Bild "minNF Z0=50R" wäre ich auf "normalem" System-Z = 50R. Wenn ich -wie eingangs erwähnt- bereits mit einem Z0=95R ankomme, wäre dann auch Bild "minNF Z0=95R" denke ich richtig angepasst und realisierbar?
Michael M. schrieb: > Ich habe das alles mal mit SimSmith probiert und wohl auch > hinbekommen(?). Noch nicht ganz. Du hast mittels einer 90Ohm/124° Leitung eine 95+j55 Last auf 50Ohm transformiert, d.h. Leistungsanpassung betrieben. Eine Last von 95+j55 gibt es im BFP720 Bsp. nicht! Für Rauschanpassung wird verlangt dass die Impedanz des Generators, d.h. wenn man in den Generator hineinguckt, 95+j55 beträgt. Eine 90Ohm/56° Leitung bzw. äquivalentes LC-Netzwerk würde die tatsächlich vorhandene 50Ohm Quelle (z.B. Antenne o.ä.) so verändern dass diese wie 95+j55 aussieht. Der Transistor ist die eigentliche Last und dessen Eingangsimpedanz liegt bei 15-j55 (aus deinen Angaben). Es fällt auf, dass sich die Blindanteile des Generators und der Last kompensieren. Es bleiben die Realteile übrig die bei Rauschanpassung unterschiedlich sind, bei Leistungsanpassung jedoch identisch wären. Michael M. schrieb: > Dass das dann reine Leistungsanpassung (Rauschen zweitrangig) ist, war > mir schon klar. Es ist nur (als Anfänger) sehr unplausibel, dass S11 so > krass von der Rausch-Anpassung abweicht. ^^ Rauschanpassung und Leistungsanpassung fallen leider nicht zusammen. Man muss überlegen was man möchte. Hängt der Vorverstärker direkt an der Antenne dann wird man höchstwahrscheinlich Rauschanpassung betreiben und Fehlanpassung akzeptieren. Bei einem ZF-Verstärker nach einem ZF-Filter (z.B. SAW-Filter) wird man eher Leistungsanpassung vorziehen um das Filter korrekt abzuschließen. Michael M. schrieb: > Wenn ich -wie eingangs erwähnt- bereits mit einem Z0=95R ankomme, wäre > dann auch Bild "minNF Z0=95R" denke ich richtig angepasst und > realisierbar? Ist formal korrekt doch hier hast du das gleiche Problem wie weiter oben, es gibt in Wirklichkeit keine Last ZL=95+j55. Wenn du schon Zo=95Ohm hast, wäre eine kleine Serieninduktivität notwendig um den Blindanteil zu erhöhen und für Rauschanpassung den Generator wie 95+j55 aussehen zu lassen.
Robert M. schrieb: > Für Rauschanpassung wird verlangt, dass die Impedanz des Generators, d.h. > wenn man in den Generator hineinguckt, 95+j55 beträgt. Eine 90Ohm/56° > Leitung bzw. äquivalentes LC-Netzwerk würde die tatsächlich vorhandene > 50Ohm Quelle (z.B. Antenne o.ä.) so verändern dass diese wie 95+j55 > aussieht. > > Der Transistor ist die eigentliche Last und dessen Eingangsimpedanz > liegt bei 15-j55 (aus deinen Angaben). Es fällt auf, dass sich die > Blindanteile des Generators und der Last kompensieren. Es bleiben die > Realteile übrig die bei Rauschanpassung unterschiedlich sind, bei > Leistungsanpassung jedoch identisch wären. Ich hoffe, das jetzt endlich verstanden zu haben: Ich habe auch nicht richtig auf's DB gesehen, denn da steht ja auch, dass die Quelle 95R + j55 darstellen soll. Somit ist mir jetzt auch klar, dass S11 ganz anders (nämlich kapazitiv) ist; logisch, wenn man sich bewusst macht, dass beim Reinsehen in den Trans. parasitäre Kaps vorhanden sind. Den Rest muss ich noch mal intensiv nachlesen. Leider gibt das SimSmith mir nicht die Möglichkeit, den Generator komplex zu machen oder ich bin zu doof dazu. ;-). Habe nun gerade 2 Abende bzw, wenige Stunden damit gespielt. Außer dem habe ich (momentan) keine weiteren Simul.-Möglichkeiten wie AnSoft o.ä. Es wird sicherlich noch weitere Fragen geben; soweit erst einmal danke.. Guten Start in's neue Jahr!
Michael M. schrieb: > Den Rest muss ich noch mal intensiv nachlesen. Leider gibt das SimSmith > mir nicht die Möglichkeit, den Generator komplex zu machen oder ich bin > zu doof dazu. ;-). Habe nun gerade 2 Abende bzw, wenige Stunden damit > gespielt. In SimSmith (o.ä. Tool) zuerst mit einer reellen Last Z = 50Ohm beginnen. Danach die Leitung einfügen und Leitungsimpedanz und -länge solange tunen bis am anderen Ende der Leitung (d.h. am Generator) sich eine Impedanz von 95+j55 einstellt. Die Leitung muss kürzer als Lambda/4 (90°) sein da ein induktiver Blindanteil benötigt wird. Nachdem die Leitungseigenschaften ermittelt wurden, die Eingangsimpedanz des Transistors als neue Last Z nehmen um z.B. zu beobachten welches SWV durch die Fehlanpassung am Generator entsteht.
Robert, ich muss mich später dazu melden, weil momentan keine Zeit für eine intensive Beschäftigung mit diesem Thema übrig ist... Soweit mal danke an dich.
Update: Befasse mich nun parallel etwas intensiver mit dem Ansoft-Designer, nicht zuletzt deswegen, weil ich nun eine Windows7-Maschine hier ständig verfügbar habe); es bringt langsam Erkenntnis und "Erleuchtung"... :-))
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