Gast
#5682391
Hallo, ich habe gerade einmal eine komische Frage. Ich wollte auf einem Flash-Baustein eine Speicherzelle zu Testzwecken zerstören. Dazu habe ich hier einen alten Atmel AT45DB081 zu liegen. Generell funktionierte der Zugriff erst einmal. Nun habe ich auf eine einzelne Speicherzelle zufällige Werte geschrieben und diese wieder zurück gelesen, bis diese Überprüfung nicht mehr stimmte... Das waren so ca 500.000 Zyklen. Anschließend war es nicht mehr möglich korrekte Daten in den Flash zu schreiben. Ich habe dann den Flash einmal stromlos gemacht und wollte dann das Fehlverhalten einer anderen Software testen. Also den Baustein wieder in Betrieb genommen und alles lief normal. Was es eigentlich nicht sollte. Also habe ich wieder geschaut das ich die Zelle noch einmal zerstörte. Und wieder konnte ich gut einige 100.000x in den Flash schreiben und das wieder auslesen, bis die Überprüfung wieder fehlschlug. Generell ist es doch so, dass beim programmieren des Flashs die Speicherzelle degeneriert da die Oxidschicht um das Floating Gate in Mitleidenschaft gezogen wird. Kann sich diese auch wieder "regenerieren"? Ich habe bisher auch nichts gefunden, dass dieser Baustein WearLeveling kann. Und bisher ist es mir nicht gelungen den Flash nachhaltig zu "zerstören"... Wie kann das sein? Danke und viele Grüße