Frage zur Flash Speicherzelle

[Peter (Gast)]

Hallo zusammen,

bezüglich dem Auslesen einer Flash Speicherzelle existieren zweierlei 
Ansichten oder Funktionsweisen, die mich etwas verwirren.

Zum einen wird auf wikipedia.com geschrieben, dass je nach Zustand des 
Floating Gates die Drain-Source Strecke leitend wird oder isloiert 
bleibt.

Im Script von L. Crippa, R. Micheloni, I. Motta and M. Sangalli heißt es 
, dass der Drain-Source Strom bei geladenen Floating Gate geringer 
ausfällt als bei ungeladenen Floating Gate und beide Ströme zunächst 
einen Strom-Spannungs-Wandler zugeführt werden und dann einen 
Comparator. D.h. Drain Source also nie isoliert, sondern sich nur im 
Stromfluss unterscheiden.

Da ich eine Ausarbeitung schreiben muss, weis ich jetzt nicht, was ich 
nehmen soll.

[Georg G. (df2au)]

Du denkst schwarz/weiß. "Isoliert" bedeutet nicht "absolut kein Strom" 
sondern "wenig oder sogar sehr wenig Strom".

[Peter (Gast)]

Hi,

danke für die Antwort.

Weis jemand vielleicht noch, wie das ganze beim Auslesen mit der 
Referenzzelle funktioniert. D.h. der Stromfluss der auszulesenden Flash 
Speicherzelle wird mit den Stromfluss einer Referenzzelle verglichen. 
Dabei ist leider nirgendswo zu lesen, ob das Floating Gate der 
Referenzzelle nun geladen oder ungeladen ist. Theoretisch müsste man ja 
eine Referenzzelle haben, die einen halb geladenen Zustand hat.

Anders macht das ja kaum Sinn!?

[Max M. (jens2001)]

Peter schrieb:
> ist. Theoretisch müsste man ja
> eine Referenzzelle haben, die einen halb geladenen Zustand hat.
>
> Anders macht das ja kaum Sinn!?

Ja.

Steht doch da alles!

[Peter (Gast)]

Danke !!!

[Soul E. (Gast)]

Peter schrieb:

> Im Script von L. Crippa, R. Micheloni, I. Motta and M. Sangalli heißt es
> , dass der Drain-Source Strom bei geladenen Floating Gate geringer
> ausfällt als bei ungeladenen Floating Gate und beide Ströme zunächst
> einen Strom-Spannungs-Wandler zugeführt werden und dann einen
> Comparator. D.h. Drain Source also nie isoliert, sondern sich nur im
> Stromfluss unterscheiden.

"Nichts" ist ein Sonderfall von "wenig".

Spannend in diesem Zusammenhang ist noch, dass man mittlerweile 
tatsächlich die Analoginformation des Stromes nutzt um mehr als ein bit 
in der Zelle zu speichern. D.h. es gibt dann nicht nur eine 
Komparatorschwelle (z.B. kleiner/kein Strom = 1, großer Strom = 0), 
sondern derer drei oder sieben. Das nennt sich dann Multi-Level Cell 
(MLC) oder Triple-Level Cell (TLC).

[Axel S. (a-za-z0-9)]

soul e. schrieb:
> Das nennt sich dann Multi-Level Cell
> (MLC) oder Triple-Level Cell (TLC).

Wobei das Wort "Level" in Triple-Level-Cell grob irreführend ist. Denn 
es sind nicht drei Level, sondern 3 Bits. Und um drei Bits (= 8 
Zustände) aus einer Flash-Zelle zu decodieren, braucht man 7 Schwellen, 
respektive 7 Level (wenn man mal unterstellt, daß "Level" für die 
Übergangswerte zwischen den 8 "Körbchen" steht).

Wenn man bei "Level" bleiben will, dann wäre SLC für Seven-Level-Cell 
richtig, was aber als Single-Level-Cell mißverstanden werden könnte. 
Besser wäre TBC für Triple-Bit-Cell. OK, TBC steht auch für Tuberkulose, 
auch nicht so der Hit als Abkürzung.