Schirmfläche (PE) unter einer Common Mode Choke

Grundsätzlich überbrückt eine Gleichtaktdrossel eine Trennungslinie / 
Isolationsbarriere - wobei sie Hochfrequenz möglichst gut sperren 
sollte. Und dies betrifft sämtliche Leitungen eines "Kabelstranges". 
Demzufolge würde ich auch eine unterbrochene GND-Fläche erwarten. 
Anderfalls schließt die durchgehende Massefläche die Gleichtaktdrossel 
kurz und macht sie damit wirkungslos.

Vielen dank für die Antwort.

Also ist es besser, die Aussparung in dem Falle in der Schirmlage -wie 
auf dem Ausschnitt zu sehen ist- zu belassen?

Macht es denn einen Unterschied auf welcher Lage die Kupferfläche wäre? 
Oder spielt da die Dicke des epsilonR´s keine Rolle? Würde die CMC 
kurzgeschlossen werden, egal auf welcher Lage die Kupferfläche wäre?

In einigen Appnotes sehe ich Schaltregler Evalboards wo unter einer 
Spule die ersten beiden Lagen blank sind und die anderen beiden Lagen 
(4Layer PCB) eine Massefläche unter der Spule haben. Wie verhält sich 
das bei einer Spule?

Besten Dank nochmal und Vg

Spice schrieb:
> In einigen Appnotes sehe ich Schaltregler Evalboards wo unter einer
> Spule die ersten beiden Lagen blank sind und die anderen beiden Lagen
> (4Layer PCB) eine Massefläche unter der Spule haben. Wie verhält sich
> das bei einer Spule?

Bei DC/DCs macht man das angeblich wegen der Effizienz. Nicht alle 
Magnetfeldlinien verlaufen innerhalb der Spule sondern einige natürlich 
auch außerhalb. Diese induzieren Ströme in der Kupferfläche und 
erzeugent damit Verluste. Das degradiert die Effizienz des 
Schaltreglers. Spart man die Kupferfläche unter der Spule aus, so kann 
nicht mehr so viel dort induziert werden. Außerdem erzeugt das innerhalb 
der Kupferfläche eine lokale Anhebung des GND-Potenzials was für manche 
Anwendungen Probleme machen mag. Die ganze Geschichte hat eine starke 
philosphische Note und da herrscht viel Dogmatismus.

Spice schrieb:
> Macht es denn einen Unterschied auf welcher Lage die Kupferfläche wäre?

Ja. Je näher desto schlimmer. Die Distanz fließt in einem quadratischen 
Zusammenhang rein (doppelte Distanz -> vierfache Wirkung, dreifache 
Distanz -> neunfache Wirkung, ...). Die magnetische Durchflutung geht 
sogar mit Abstand^3 ein.

Spice schrieb:
> Würde die CMC
> kurzgeschlossen werden, egal auf welcher Lage die Kupferfläche wäre?

Da kann man keine absoluten Aussagen treffen. Das ist alles eine Frage 
der CM-Dämpfung, wieviel du bereit bist zu akzeptieren.

Da bin ich aber anderer Ansicht. Die USB-Datenleitungsdrossel ist 
wirkungslos bei durchgehender Massefläche. Die Gleichtaktstörungen 
gelangen ungehindert auf den Schirm der USB-Buchse und damit an die 
Aussenwelt.

Addendum: Gleichtaktentstörung heißt immer SÄMTLICHE Adern eines 
Stranges durch die Drossel zu führen, einschließlich Schirm. Genauso 
wirken denn auch die auf USB-Kabel montierten Ferrithülsen: Der Schirm 
geht ebenfalls durch den Ferrit! Oder hat den schon mal jemand außen 
drum herum verlegt?

voltwide schrieb:
> Die USB-Datenleitungsdrossel ist wirkungslos bei durchgehender
> Massefläche.

Wie würdest du das denn anbinden? Ich schätze der Kompromiss ist hier 
schwer zu finden, saubere niederohmige Masse vs Entkopplung?

Unter EMV-Aspekten würde ich den Schirm der USB-Buchse vollständig 
isoliert vom restlichen Gerät belassen. Die GND-Fläche endet dann auf 
der "Innenseite" der CM-Drossel. Also keinerlei Cu-Fläche unterhalb der 
USB-Buchse.

Was die Entstörung eines Netzteiles betrifft schließe ich mich den 
Worten meines Vorredners an. CM-Drosseln werden primärseitig eingesetzt, 
dort wo die Ströme nicht so groß sind, so dass auch Induktivitäten von 
etlichen mH ohne nennenswerte Cu-Verluste möglich sind.