guten Morgen! kann mir jemand mein Verständnis des obigen Transistors helfen? Vielleicht habe ich auch generell ein Brett vorm Kopf und es wird zu einer größeren Erhellung führen. Also erst mal zu meinem Verständnisstand: ich habe die dual-Gate Mosfets so verstanden, dass man die normalerweise bei HF Verstärkern benutzt, weil die beiden herausgeführten Gates im Grunde genommen zwei zusammengeschalteten Transistoren entspricht und so das ganze eine Kaskode-Schaltung ergibt. Alternativ um ein Signal zu Modulieren, weil beide Gates in Kombination den Drain-Strom beeinflussen. Ein Oszillator an einem Gate und ein NF-Signal am anderen gibt dann einen amplitudenmodulierten Ausgang. Der Zusammenhang zwischen den beiden Gates scheint mir bei Sichtung des Datenblattes http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/siemens/BF996S.pdf ziemlich nicht-linear und schwer zu benennen zu sein. Bei größerem Ugs2 hat Ugs1 den linearsten Einfluss. So. Aber meine Frage: Das sind n-Kanal Verarmungstypen, also selbstleitend. Also bei Ugs=0 fließt der maximale Drain-Strom. Im Datenblatt ist auch als Pinch-Off Spannung -Ugs=2.5 V angegeben. Weiter unten werden aber in allen Kennlinien positive Gate-Source Spannungen benutzt. So gibt es "Gate 1 forward transconductance" und die ist allgemein am größten wenn Ugs2=4V ist. Aber warum denn positiv und nicht 0? Da komme ich gerade nicht mit zurecht und die Frage ist: was verstehe ich falsch? schönen Gruß!
Hopp Hobby schrieb: > Also bei Ugs=0 > fließt der maximale Drain-Strom. Im Datenblatt ist auch als Pinch-Off > Spannung -Ugs=2.5 V angegeben. > Weiter unten werden aber in allen Kennlinien positive Gate-Source > Spannungen benutzt. > So gibt es "Gate 1 forward transconductance" und die ist allgemein am > größten wenn Ugs2=4V ist. Aber warum denn positiv und nicht 0? Das sind selbstleitende MOSFTEs, daher darf die Gate-Source-Spannung (im Gegensatz zu JFETs(*)) auch positiv sein (Ugsmax=+-20V). Der maximale Drainstrom ist daher nicht Idss, sondern die 30mA, die bei einer bestimmten positiven Ugs erreicht werden. (*) Ja, ich weiß, auch bei n-JFETs sind ein paar 100mV positiv möglich, bei P-Kanal natürlich umgekehrte Polarität
Hopp Hobby schrieb: > Also bei Ugs=0 > fließt der maximale Drain-Strom. Nein, bei positiver GS-Spannung kann der noch größer werden.
erst mal danke! Klaro! Mosfet ist nicht jfet und ich habe im Kopf die jfet gehabt als standard selbstleitenden Transistor. Dass bei Mosfets auch positive Spannungen möglich und üblich sind, habe ich überhaupt nicht auf dem Schirm gehabt. Werden denn dual gate mosfets auch schon mal so eingestellt, dass tatsächlich mit negativen Ugs gearbeitet wird? Ich würde da jetzt gar keinen Sinn drin sehen, da die Steilheit ja bei positiven erheblich größer wird und auch alles 'linearer' aussieht.
Hopp Hobby schrieb: > Werden denn dual gate mosfets auch schon mal so eingestellt, dass > tatsächlich mit negativen Ugs gearbeitet wird? Ich würde da jetzt gar > keinen Sinn drin sehen, da die Steilheit ja bei positiven erheblich > größer wird und auch alles 'linearer' aussieht. Es soll nicht linear sein, sondern das eine Signal soll die Verstärkung des anderen Signals möglichst stark beeinflussen. Das scheint mir bei Ugs1~-0,8V und Ugs2~0...+4V am besten gegeben zu sein.
Noch ein Nachtrag: ich habe noch einmal weiter gesucht und bin beim Thema dual gate mosfet auf BF1005 https://www.digchip.com/datasheets/parts/datasheet/216/BF1005-pdf.php gestoßen. Dazu habe ich auch noch eine Frage. Dieser Transistor stellt sich anscheinend selbst in einen Arbeitspunkt zu 10 mA, aber im Datenblatt steht auch "Gate 1 (external biasing) = 3V" und gleichzeitig "It is not recommended to apply external DC-voltage on Gate 1 in active mode." Beißt sich das nicht? Ich bin beim allgemeinen googeln wie gesagt darauf gestoßen und weil dieser Transistor nicht so hohe Uds bekäme würde sich der vielleicht eher für reale Experimente eignen. Und reale Messungen und Versuche würde ich nach dem Einstieg schon als lehrreich sehen. Andererseits würde ich mich nicht im 100 MHz+ Breich bewegen sondern eher (aus messtechnischen Gründen mit meinem Equipment) im unteren MHz Bereich oder Gleichspannung. (und da wieder die Frage wegen DC an Gate1) nochmals herzlichen Dank für die Unterstützung
Hopp Hobby schrieb: > Beißt sich das nicht? Nein, das ist im Wirklichkeit ein IC, dessen Innereinen dafür sorgen, dass die richtige Spannung am G1 liegt.
P.S.: Pollin hat mit den BF1009 einen ähnlichen Transistor im Angebot, der mit 25 Cent pro 10 Stück deutlich billiger sein dürfte als die Transistoren vom Distri. Zum Basteln bei niedrigen Frequenzen sind solch schnelle und steile Transistoren (25mA/V) aber weniger geeignet, weil die Schaltungen sehr leicht ins Schwingen geraten können.
Ich hatte "Gate 1 (external biasing)" so verstanden, dass man irgendwie die Wahl hat. Obwohl natürlich der magische Zauber ausgenutzt werden kann. Bleibt aber auf jeden Fall die Frage nach dem Koppel Kondensator. DC soll ja nicht an das G1. Wenn ich nicht weiß, was im ic ist, wie groß wähle ich dann das c. Da muss doch irgendwie eine Grenzfrequenz mit eingestellt werden. Ich bin aber auch jetzt nach intensiverem googeln nicht auf Beispiele oder nähere Information zu dererlei dual-gate Mosfets gestoßen. Daher mag meine Fragerei sich idiotisch anhören, hoffe dennoch mein Problem wird erkannt. :-)
Hopp Hobby schrieb: > "Gate 1 (external biasing)" so verstanden, dass man irgendwie > die Wahl hat. Nein, die 3V stehen ja unter "Maximum Ratings. Dieser Wert darf also nicht überschritten werden. Ausserdem sind das HF-Transistoren, und ab 100MHz ist sowieso alles niederohmig. Wie schnell und ob das Vorspannungsnetzwerk die Ug1 nachregelt, geht aus dem Datenblatt nicht hervor. Immerhin ist die Eingangskapazität bei 1MHz angegeben, so dass man annehmen darf, dass die Grenzfrequenz des Vorspannungsnetzwerks wesentlich tiefer ist. Bei hohen Frequenzen kommen dann Verlustwiderstände hinzu, deren Werte und Phase man z.B. aus den S-Parametern entnehmen kann, die a.a.O. gelistet sind.
Danke dir. Es kann durchaus hilfreich sein, zu hören wie andere mit mehr Ahnung so ein Datenblatt wahrnehmen.
Hopp Hobby schrieb: > weil die beiden herausgeführten Gates im Grunde genommen zwei > zusammengeschalteten Transistoren entspricht und so das ganze eine > Kaskode-Schaltung ergibt. Das ist richtig, aber wenn den Ziel ein NF-Modulator ist, gibt es geeignetere Schaltungen die z.B auf der Gilbertzelle beruhen.
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