Hallo, ich würde gerne einen LM7905 missbrauchen, um mir aus einer Eingangsspannung von +12V bis +48V eine um 5V reduzierte Spannung (also von +7V bis +43V) zu erzeugen. Geht das so mit der Schaltung? Grüße
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Leopold N. schrieb: > hinz schrieb: >> Nein, das geht nicht. > > Warum nicht? Der Strompfad geht nicht über den GND Pin.
Bei einer Last nach 0, wird der Regler nicht viel Strom liefern können, weil es seiner regulären Stromrichtung entgegengesetzt ist. Man müsste ihm am Ausgang noch eine zusätzliche Last gegen +Eingangsspannung verpassen, damit er überhaupt regeln kann. Eine Zenerdiode, oder bei höheren Genauigkeitsanforderungen ein TL431 (gegebenenfalls mit Leistungstransistor dahinter) wäre hier wirklich die bessere Lösung.
Das geht nur, wenn der Verbraucher zw. +43V und +48V angeschlossen wird. Wenn dagegen zw. +43V und Masse, dann geht das nicht, da ja der Regler einen Strompfad von +48V aus bereitstellen müsste, was er aber nicht kann.
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Ich brauche diese reduzierte Spannung, um einen p Channel MOSFET anzusteuern. Würde das mit dieser Schaltung funktionieren?
Der Andere schrieb: > Dein R6 verbrät so mehr als 3 Watt. Ist das gewollt? Leider ja, denn die Eingangsspannung (48V) kann bis auch andere Werte (5V, 12V, 24V) annehmen und ich möchte den Zenerstrom auch bei 12V noch haben. Dass bei 5V der FET nicht mehr komplett offen ist, passt schon.
tsaG schrieb: > Statt des Steuer-FETs unten eine stromsenke 1,5 mA und gut :) Wie macht man so etwas schaltungstechnisch?
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tsaG schrieb: > Statt des Steuer-FETs unten eine stromsenke 1,5 mA und gut :) Genau, das wäre eine gute Lösung. Und wenn die Steuerspannung einigermßaen konstant ist (was bei 5V oder 3V3 aus dem µC der Fall ist) dann ist das die gleiche Anzahl an Bauteilen. Also einfach das: https://www.electronics-notes.com/articles/analogue_circuits/transistor/active-constant-current-source.php Erstes Bild, ohne R1 und R2. Basiswiderstand ist unnötig. Ich steuere PMOS meistens so, wenn z.B. 24V im Spiel sind. Klappt hervorragend.
jemand schrieb: > Erstes Bild, ohne R1 und R2. Basiswiderstand ist unnötig. Ahrgl. Vergessen: Die "Last" hier ist ein Widerstsand, der parallel zur Gate-Source-Strecke liegt. Über den kann man sich die Spannung am Gate aussuchen.
Leopold N. schrieb: > Also so? Ja, aber ohne Z-Diode. Die ist unnötig. Wenn der Strom bekannt ist (der wäre bei 5V-Steuerung beispielsweise ungefähr 5,7mA) kann man das einfach über den Widerstand steuern. Sagen wird, du willst eine Gatespannung von -9V, würde man R=9V/5,7mA = 1k5 nehmen. Bei 12V wird das aber die 9V nicht zusammenbringen, sondern nur rund 7V. Der Nachteil der Schaltung ist, dass am Widerstand unten halt die Steuerspannung - UBE + UCE stehenbleibt. Weshalb das nur für höhere Spannungen gut funktioniert. Bei min. 12V bleiben um die 7V fürs Gate, das sollte reichen, je nach FET.
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jemand schrieb: > Leopold N. schrieb: >> Also so? > > Ja, aber ohne Z-Diode. Die ist unnötig. > > Wenn der Strom bekannt ist (der wäre bei 5V-Steuerung beispielsweise > ungefähr 5,7mA) kann man das einfach über den Widerstand steuern. > > Sagen wird, du willst eine Gatespannung von -9V, würde man R=9V/5,7mA = > 1k5 nehmen. > > Bei 12V wird das aber die 9V nicht zusammenbringen, sondern nur rund 7V. > Der Nachteil der Schaltung ist, dass am Widerstand unten halt die > Steuerspannung - UBE + UCE stehenbleibt. > Weshalb das nur für höhere Spannungen gut funktioniert. Bei min. 12V > bleiben um die 7V fürs Gate, das sollte reichen, je nach FET. Danke für die gute Erklärung, macht Sinn :) So müssts dann stimmen oder? Dann habe ich bei 12V noch -8,18V und bei 48V -10V. Bei 5V sinds dann aber nur noch -3,3V Gate-Source. Das sollte gerade so noch reichen. Dankeschön
Leopold N. schrieb: > Bei 5V sinds dann aber nur noch -3,3V Gate-Source. > Das sollte gerade so noch reichen. Von 5V war nicht die Rede. Damit wird es nicht richtig funktionieren. Das Einschalten des FET funktioniert nur zuverlässig, wenn die zu Schaltende Spannung hoch genug ist. Die muss eigentlich Steuerspannung - UBE + UCE + U(Gate) sein. Also bei 10V am Gate sind eigentlich ca. 15V nötig. Weniger geht auch, aber dann stimmt der Strom nicht mehr genau. Was der Grund ist, warum man dieses Konzept hauptsächlich für höhere Spannungen verwendet.
jemand schrieb: > Leopold N. schrieb: >> Bei 5V sinds dann aber nur noch -3,3V Gate-Source. >> Das sollte gerade so noch reichen. > > Von 5V war nicht die Rede. Damit wird es nicht richtig funktionieren. > > Das Einschalten des FET funktioniert nur zuverlässig, wenn die zu > Schaltende Spannung hoch genug ist. > Die muss eigentlich Steuerspannung - UBE + UCE + U(Gate) sein. > > Also bei 10V am Gate sind eigentlich ca. 15V nötig. Weniger geht auch, > aber dann stimmt der Strom nicht mehr genau. > > Was der Grund ist, warum man dieses Konzept hauptsächlich für höhere > Spannungen verwendet. Ja stimmt, aber bei 5V Spannung schaltet der Transistor komplett durch, wodurch 5V - 0,3V an den beiden Widerständen stehen bleiben. Es fließt ein Strom von 4,7V / 1430 Ohm (ich habe die Widerstände durch Faktor 10 geteilt) = 3,29 mA was einer Spannung von 3,29 V am oberen Widerstand entspricht. Das reicht um den MOSFET in den leitenden Bereich zu bringen.
jemand schrieb: > Ja, aber ohne Z-Diode. Die ist unnötig. Das sehe ich anders. eine 18v Z-Diode hat schon viele FET-Friedhöfe eingespart - insb bei Hobbyisten, Entladungen (ESD) und transienten auf der Versorgung. Spannung am Gate kannst natürlichen unabhängig davon Wahlen.
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