LM7905 Missbrauch

OP #5757232
Hallo,

ich würde gerne einen LM7905 missbrauchen, um mir aus einer 
Eingangsspannung von +12V bis +48V eine um 5V reduzierte Spannung (also 
von +7V bis +43V) zu erzeugen.

Geht das so mit der Schaltung?

Grüße
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Bei einer Last nach 0, wird der Regler nicht viel Strom liefern können, 
weil es seiner regulären Stromrichtung entgegengesetzt ist. Man müsste 
ihm  am Ausgang noch eine zusätzliche Last gegen +Eingangsspannung 
verpassen, damit er überhaupt regeln kann. Eine Zenerdiode, oder bei 
höheren Genauigkeitsanforderungen ein TL431 (gegebenenfalls mit 
Leistungstransistor dahinter) wäre hier wirklich die bessere Lösung.
Das geht nur, wenn der Verbraucher zw. +43V und +48V angeschlossen wird. 
Wenn dagegen zw. +43V und Masse, dann geht das nicht, da ja der Regler 
einen Strompfad von +48V aus bereitstellen müsste, was er aber nicht 
kann.
Gast
tsaG schrieb:
> Statt des Steuer-FETs unten eine stromsenke 1,5 mA und gut :)

Genau, das wäre eine gute Lösung.
Und wenn die Steuerspannung einigermßaen konstant ist (was bei 5V oder 
3V3 aus dem µC der Fall ist) dann ist das die gleiche Anzahl an 
Bauteilen.

Also einfach das:
https://www.electronics-notes.com/articles/analogue_circuits/transistor/active-constant-current-source.php

Erstes Bild, ohne R1 und R2. Basiswiderstand ist unnötig.

Ich steuere PMOS meistens so, wenn z.B. 24V im Spiel sind. Klappt 
hervorragend.
Gast
jemand schrieb:
> Erstes Bild, ohne R1 und R2. Basiswiderstand ist unnötig.

Ahrgl. Vergessen:
Die "Last" hier ist ein Widerstsand, der parallel zur 
Gate-Source-Strecke liegt. Über den kann man sich die Spannung am Gate 
aussuchen.
Gast
Leopold N. schrieb:
> Also so?

Ja, aber ohne Z-Diode. Die ist unnötig.

Wenn der Strom bekannt ist (der wäre bei 5V-Steuerung beispielsweise 
ungefähr 5,7mA) kann man das einfach über den Widerstand steuern.

Sagen wird, du willst eine Gatespannung von -9V, würde man R=9V/5,7mA = 
1k5 nehmen.

Bei 12V wird das aber die 9V nicht zusammenbringen, sondern nur rund 7V. 
Der Nachteil der Schaltung ist, dass am Widerstand unten halt die 
Steuerspannung - UBE + UCE stehenbleibt.
Weshalb das nur für höhere Spannungen gut funktioniert. Bei min. 12V 
bleiben um die 7V fürs Gate, das sollte reichen, je nach FET.
OP
jemand schrieb:
> Leopold N. schrieb:
>> Also so?
>
> Ja, aber ohne Z-Diode. Die ist unnötig.
>
> Wenn der Strom bekannt ist (der wäre bei 5V-Steuerung beispielsweise
> ungefähr 5,7mA) kann man das einfach über den Widerstand steuern.
>
> Sagen wird, du willst eine Gatespannung von -9V, würde man R=9V/5,7mA =
> 1k5 nehmen.
>
> Bei 12V wird das aber die 9V nicht zusammenbringen, sondern nur rund 7V.
> Der Nachteil der Schaltung ist, dass am Widerstand unten halt die
> Steuerspannung - UBE + UCE stehenbleibt.
> Weshalb das nur für höhere Spannungen gut funktioniert. Bei min. 12V
> bleiben um die 7V fürs Gate, das sollte reichen, je nach FET.

Danke für die gute Erklärung, macht Sinn :)
So müssts dann stimmen oder?
Dann habe ich bei 12V noch -8,18V und bei 48V -10V.
Bei 5V sinds dann aber nur noch -3,3V Gate-Source.
Das sollte gerade so noch reichen.

Dankeschön
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Gast
Leopold N. schrieb:
> Bei 5V sinds dann aber nur noch -3,3V Gate-Source.
> Das sollte gerade so noch reichen.

Von 5V war nicht die Rede. Damit wird es nicht richtig funktionieren.

Das Einschalten des FET funktioniert nur zuverlässig, wenn die zu 
Schaltende Spannung hoch genug ist.
Die muss eigentlich Steuerspannung - UBE + UCE + U(Gate) sein.

Also bei 10V am Gate sind eigentlich ca. 15V nötig. Weniger geht auch, 
aber dann stimmt der Strom nicht mehr genau.

Was der Grund ist, warum man dieses Konzept hauptsächlich für höhere 
Spannungen verwendet.
OP
jemand schrieb:
> Leopold N. schrieb:
>> Bei 5V sinds dann aber nur noch -3,3V Gate-Source.
>> Das sollte gerade so noch reichen.
>
> Von 5V war nicht die Rede. Damit wird es nicht richtig funktionieren.
>
> Das Einschalten des FET funktioniert nur zuverlässig, wenn die zu
> Schaltende Spannung hoch genug ist.
> Die muss eigentlich Steuerspannung - UBE + UCE + U(Gate) sein.
>
> Also bei 10V am Gate sind eigentlich ca. 15V nötig. Weniger geht auch,
> aber dann stimmt der Strom nicht mehr genau.
>
> Was der Grund ist, warum man dieses Konzept hauptsächlich für höhere
> Spannungen verwendet.

Ja stimmt, aber bei 5V Spannung schaltet der Transistor komplett durch, 
wodurch 5V - 0,3V an den beiden Widerständen stehen bleiben.
Es fließt ein Strom von 4,7V / 1430 Ohm (ich habe die Widerstände durch 
Faktor 10 geteilt) = 3,29 mA was einer Spannung von 3,29 V am oberen 
Widerstand entspricht. Das reicht um den MOSFET in den leitenden Bereich 
zu bringen.
Gast
jemand schrieb:
> Ja, aber ohne Z-Diode. Die ist unnötig.

Das sehe ich anders. eine 18v Z-Diode hat schon viele FET-Friedhöfe 
eingespart - insb bei Hobbyisten, Entladungen (ESD) und transienten auf 
der Versorgung. Spannung am Gate kannst natürlichen unabhängig davon 
Wahlen.

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