Hallo Zusammen, für ein Projekt habe ich eine Lichtschranke bestehen aus einer IR-Leuchtdiode (SFH3015N) und einem IR-Fototransistor (SFH4045N) entwickelt . Dazu auch der Schaltplan. In der Theorie dürfte der Fototransistor voll durchschalten (5V auf Analog_Input) wenn kein Objekt in der Schranke ist. Allerdings Messe ich lediglich eine Spannung von 0,3V an "Analog_Input". Diese Spannung reicht aus um mit ihr weiter arbeiten zu können. Allerdings wären mir 1V bis 2V mehr ganz recht :) Ich hab da zwei Vermutungen. Ich habe mich bei den Widerständen des Transistors irgendwo verrechnet und finde den Fehler net, oder der Abstand beider Bauteile ist zu groß. Dieser beträgt aber nur 9mm. Kann mir da jemand eventuell nen Gedankenanstoß geben was es sein könnte ?
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Ph schrieb: > Kann mir da jemand eventuell nen Gedankenanstoß geben was es sein könnte Wo gehört noch mal der Emitter hin?
1kOhm ist viel zu niedrig. Wie hast du den errechnet?
Teo D. schrieb: > Ph schrieb: >> Kann mir da jemand eventuell nen Gedankenanstoß geben was es sein könnte > > Wo gehört noch mal der Emitter hin? Der Fototransistor ist doch ein Zweipol!
R3 ist viel zu niederohmig. Probiers mal mit 22K aufwärts.
Ich schließe mich an: Der Emitterwiderstand ist zu gering... 22, 33, 47, 68, 100 K wären zu testen...
hinz schrieb: > Der Fototransistor ist doch ein Zweipol! Korrekt Teo D. schrieb: > Ph schrieb: >> Kann mir da jemand eventuell nen Gedankenanstoß geben was es sein könnte > > Wo gehört noch mal der Emitter hin? Ich habe das mit Absicht gewählt damit ich im offenen Zustand 5V am Port habe und im geschalteten Zustand 0V Würde ich die Positionen tauschen wäre es genau anders herum. Lothar M. schrieb: > R3 ist viel zu niederohmig. Probiers mal mit 22K aufwärts. Okay hab ich mir fast gedacht. Dann zieh ich den mal hoch
Lothar M. schrieb: > R3 ist viel zu niederohmig. Probiers mal mit 22K aufwärts. Mani W. schrieb: > Ich schließe mich an: > > Der Emitterwiderstand ist zu gering... > > 22, 33, 47, 68, 100 K wären zu testen... Allright Jungs..direkt getestet mit 15K..und schwubs bin ich bei 3V :) vielen Dank für die Hilfe.. ich gehe etz mal meine Berechnungen durch wo ich mich da so heftig vertan hab ... Aber danke schon mal :)
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Wenn man sich denk..geil vorgegeben Werte..nehm ich die einfach..erspar ich mir arbeit ... ..hab mir grad ne mega self-facepalm gegeben....
Der Emitter ist auch grenzwertig bestromt, das macht selten Sinn. Der Receiver sollte in den optimalen Arbeitspunkt getrimmt oder gerechnet werden, sonst droht Störsalat aus Licht-, Temperatur- und Spannungsschwankungen.
Ph schrieb: > Allright Jungs..direkt getestet mit 15K..und schwubs bin ich bei 3V :) 1KOhm ist mindestens nach dem Datenblatt in Ordnung. Und 3V sind auch nicht ideal. Wie niederohmig ist dein "Analogeingang"? Er wird schlicht zu wenig Licht von deiner LED bekommen. Es ist wurscht, ob der Widerstand am Emmitter oder Kollektor ist.
Mit 0,3mA liegt er je nach Variante schon beim max. Photostrom des Transistors. In der Anwendung muß man mit deutlich weniger rechnen.
Ph schrieb: > Wenn man sich denk..geil vorgegeben Werte..nehm ich die einfach..erspar > ich mir arbeit ... Ja, ist auch nicht falsch. Wobei hier der Hersteller ja eine möglichst schnelle Anstiegszeit messen wollte und das geht nur, wenn die Last ausreichend niederohmig ist. Da das ja keine Gabellichtschranke o.ä. ist, sondern zwei getrennte Bauelemente, vermute ich, dass du einfach von dem IR-Emitter viel zu wenig Licht auf den Empfänger bringst. Da dein LED-Strom ja schon grenzwertig hoch ist, liegt es vermutlich an der optischen Strecke. Wie weit sind die beiden denn auseinander? Hast du eine Optik verwendet? Ist das alles optimal ausgerichet?
Ph schrieb: > Wenn man sich denk..geil vorgegeben Werte..nehm ich die einfach..erspar > ich mir arbeit ... Du mußt an deiner Lesekompetenz arbeiten. Die Angabe "R_L = 1KΩ" ist eine Meßbedingung. Und da es bei dem Wert um die Anstiegs- bzw. Abfallzeit des Signals geht, hat der Hersteller das natürlich bei einem extra niedrigen Widerstand gemessen. Ansonsten kommt es bei einer Lichtschranke natürlich nicht nur auf die Empfänger- sondern ebenso auf die Senderseite an. Und auf die Kopplung der beiden. Wenn du das wirklich rechnen willst, mußt du ausgehend vom Strom durch die LED die abgestrahlte optische Leistung berechnen. Aus Entfernung und effektiver Empfängerfläche kriegst du die optische Leistung, die beim Empfänger ankommt (mußt du eventuell noch mit der Bündelungs-Charakteristik des Senders wichten). Und dann kannst du die Empfindlichkeit des Fototransistors (Kollektorstrom pro mW optische Leistung) verwenden, um den Kollektorstrom bei Beleuchtung zu erhalten. Aus Strom und gewünschter Ausgangsspannung kannst du dann den Widerstand berechnen. Und wenn du das dann probierst, wirst du feststellen, daß alle Werte zum Sender (mW/mA) und Empfänger (mA/mW) mit derart großem Streubereich angegeben sind, daß du es besser gleich ausprobiert hättest.
Wenn man von Sättigungsspannung und Nennbeleuchtung aus dem DB ausgeht, kann man einen Re (zwischen Transistor und GND) berechnen über Ic = 160µA (=IPCEmin SFH3015FA-2) x 0.3 = 48µA Re = ( 5V (Vcc) - 0.17V (Usat) ) / 48µA = 100625 Ohm Wie gut das bei dem Fremdlichtlevel u.a. hinhaut, muß man trotzdem guggen.
Teo D. schrieb: > Wo gehört noch mal der Emitter hin? Bei einem NPN-Transistor an das gegenüber dem Kollektor negativere Potential. Was hast du für ein Problem mit dem Tranistor?
Axel S. schrieb: > Wenn du das wirklich rechnen willst, mußt du ausgehend vom > Strom durch die LED die abgestrahlte optische Leistung berechnen. Aus > Entfernung und effektiver Empfängerfläche kriegst du die optische > Leistung, die beim Empfänger ankommt (mußt du eventuell noch mit der > Bündelungs-Charakteristik des Senders wichten). Wenigstens die Abstrahlcharakteristik oder näherungsweise den Öffnungswinkel der LED wird man schon noch brauchen, denn es kommt auf die Bestrahlungsstärke beim Detektor an.
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