Hallo Leute, kann mir jemand sagen, wie ich am besten den Spannungsdrop eines FETs messen kann, der Highside verbaut ist? Hintergrung: Ich muss den FET abschalten, bevor nahe eines kritischen SOA Grenze kommt. Es soll eine Art SSPC werden. Danke :)
Fragender schrieb: > messen kann, der Highside verbaut ist? Denn Spannungsabfall messen und auf drop umrechnen.
Je nach Anforderung mit INA, Differenzverstärker, zwei Spannungsteilern oder direkt an dem ADC. Auf so eine allgemeine Frage kann man nicht wirklich antworten, erzähl doch mal was zu der Größe des Drops und der Höhe der Spannungen allgemein.
qwerzuiopü+ schrieb: > Je nach Anforderung mit INA, Differenzverstärker, zwei Spannungsteilern > oder direkt an dem ADC. > Auf so eine allgemeine Frage kann man nicht wirklich antworten, erzähl > doch mal was zu der Größe des Drops und der Höhe der Spannungen > allgemein. Okay Ich muss um die 50A bei 48Vdc schalten. In einem früheren Design kam es immer mal wieder vor, das die FETs durchbranten. Schuld war ein zu langsamer Treiber, das weiß ich nun. Aber zu schnell soll das ganze auch nicht sein, um kapazitive Lasten Schalten zu können. Darum ist jetzt die Idee, den Treiber erst die FETs Linear treiben zu können und dann voll durchschaltet. Und um die FETs im Linearen Modus nicht zu töten will ich deren Drop messen und den Treiber damit steuern. Der Treiber soll in Abhängigkeit des Drops weiter "auf" machen. Der SOA soll dann einfach linear aus dem Stromfluss (der kommt von einem Hallsensor) und dem Drop über den FETs analog berechnet werden - linarisiert versteht sich...
Wenn die Spannung am Drain also scheinbar überall zwischen 0 und 48V im Normalbetrieb liegt, bleibt wohl nur ein Spannungsteiler. Jenachdem, wie stark die 48V Versorgung schwankt, musst du dir überlegen, ob du die mitmessen willst (Dann Diff-"Verstärker" mit entsprechend kleiner Verstärkung) oder eben nicht.
Fragender schrieb: > Aber zu schnell soll das ganze auch > nicht sein, um kapazitive Lasten Schalten zu können. Woher genau kommt Deine belastbare DC? Und wo genau soll sie hin, was kommt als "hiervon schaltbare Last" alles in Frage? Wie viele Ausgaenge m. welchen einzelnen Features benoetigt? (Die genauen Eigenschaften von Quelle und Last(en) wichtig. R_i ist? Max. moegl. Kapazitaetswert waere welcher? Etc. pp.) Welche exakten Schutzfunktionen sollen implementiert sein? Im_Ernstfall koenntest Du am Schluß bei einem Konzept incl. µC landen, der alles ueberwacht, evtl.auch Steuer- oder sogar Regelaufgaben uebernimmt, & natuerlich Sicherheitsfunktionen. Vielleicht auch Kommunikation mit anderen µC / Kontrollstat. Die Leistungsstufe koennte sogar als Kombination eines synchr. Buck (MHz fsw fuer niederohmigst moegliche Speicherdrossel) mit zusaetzlich moeglicher linearer Ansteuerung des Highside Schalters ausgelegt sein (je nach Anforderungen). Also rede bitte Tacheles, worum es Dir wirklich praezise geht. Fragender schrieb: > Es soll eine Art SSPC werden. Ist halt einfach viel, viel zu wenig fuer ernsthafte Ansaetze. Wenn Du selbst (noch) nichts genaueres weißt: Finde es heraus.
Oder IntelliFET. Oder erfinde das Rad noch ein n...faches mal.
Für 50V/50A schaltet man normalerweise zwei Mosfet parallel, aber Dank der Weiterentwicklung geht es inzwischen sogar mit einem einzigen: N-Kanal IPB020N10N5LF. SOA DC sagenhafte 320 Watt. Bzw in der Schaltanwendung samt 20% Reserve also 60V/60A darf die Überlappung über 100us lange dauern. Dazu braucht es nicht einmal einen besonders leistungsfähigen Gate Driver, Qg nur 4.4nC und Cg unter 1nF! tr+tf 28+82ns ist bei Anwendungen unter ca 100kHz ok. TO-263. RDSon 2mOhm. Das Vorhaben mit der linearen Ansteuerung ubd SOA-Kontrolle verstehe ich schon, aber es wird nicht funktionieren. Garantiert und mit sehr wenig Aufwand funktionieren geeignete Mosfets!
Willi S. schrieb: > Für 50V/50A schaltet man normalerweise 2 Mosfet parallel Wenn man nicht so stark ueberdimensionieren will, kann man ja sogar Fet 1 mit R seriell, und Fet 2 zum Ueberbruecken spaeter als Fet 1 einschalten. Evtl. sogar billiger (via R hoeheren Wertes vor dem Gate vom 2. Fet simpel machbar). Nur kann: Fragender schrieb: > eine Art SSPC i.A. mehr, als nur Inrush auszuhalten. Weshalb haette ich sonst einen kompletten (bis auf den Ausgangskondensator, den der Eingangs-C des Anschlußmoduls bildete) Abwaerts- wandler genannt? (Der freilich stromgeregelt sein sollte, hatte ich vergessen, hinzuschreiben.) Deshalb hatte ich ja die ganzen Fragen gestellt. (Auf die jetzt vielleicht grade wegen - in diesem Fall naemlich unpassenden, und fuer den TO aergerlichen - Smartswitch Empfehlungen & "Neuerfindung des Rades" Spruechen sowie "nur Schaltbetrieb geht" + Rat mit/zu moeglichst dickem Fet... keine Antwort mehr kommt.) Es kann natuerlich sein, daß ich die Bedeutung von "(eine Art) SSPC" mißdeute, Ihr recht habt, und laengst nicht so viele Anforderungen/Spezifikationen bisher ungenannt sind, wie ich denke - aber weil man verschwiegene Informationen zur Genuege kennt, rechne ich eben fest damit. Uebrigens auch mit der Unklarheit der moeglichen Bedeutung(en) des Begriffes SSPC gar nicht jedem hier klar sind, stattdessen wird aber aus den genannten gelaeufigen Begriffen etwas zu machen versucht. Nicht jeder kennt jedes Kuerzel. GN8
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