Seufz ich hab jetzt schon zwei IRFB7430 zerstört. Würde gerne Euren Rat hören, bevor ich den dritten verlöte. Mein schöner neuer EPever IP2000 Sinuswechselrichter hat keinen Fernsteuereingang und ich möchte nicht gleich die Garantie verlieren wenn ich Ding aufschraube und Schalter mit zwei Kabeln versehe. Also hab ich einfach ins Massekabel einen IRFB7430 gelötet. Siehe Anhang. V_DS 40V passen zu meinem 24V System R_DS_on 1 mOhm I_DS_continuous 409 A bei 10V V_GS und 25°C I_DS_continuous 289 A bei 10V V_GS und 100°C I_DS pulse 1524 A Ja gibt immer fetten Funken wenn man so einen Wechselrichter das erste mal kontaktiert weil Kondensatoren sich aufladen. Da muss ich wohl doch gleich den zweiten Mosfet zerstört haben ? (Ersten Mosfet hatte ich beim Testen zerstört weil mehr als 20V an Gate.) Von Gate zu Source hab ich einen 100 kOhm Widerstand und zum Einschalten des Mosfet hatte ich 26 Volt über 220 kOhm an Gate gelegt. Da ging der WR auch brav an. Nur geht er nicht mehr aus weil jetzt DS Kurzschluss hat. Also ich könnte jetzt noch einen 1 uF Kondensator zwischen Gate und Source löten. Dann würde es beim Ausschalten 0,12 Sekunden dauern, bis die Gatespannung von 10 Volt auf 3 Volt sich entladen hat und der Mosfet anfängt zu schließen. Das sollt er halt relativ schnell machen, denn wenn da mal 80A gezogen werden, dann sollte der Mosfet nicht zu langsam schließen. Wie schnell das Gate beim "Einschalten" von 0 Volt auf 5 Volt kommt bin ich mir nicht sicher. Der Ladestrom würde ja anfangs bei 25V/220kOhm = 0,11 mA liegen, am Ende des Ladevorgangs bei 25V/320kOhm = 0,078 mA liegen Wenn dU = I/C dt ist, und ich mit 0,1 mA rechne, dann wäre das Gate nach 50 ms auf 5 Volt. Also nehme ich lieber 10 uF, dann dauert es eine halbe Sekunde, bis der Mosfet voll aufgemacht hat ? Ich poste aber hier, weil der Mosfet vielleicht aus ganz anderen gründen ungeeignet ist. Also wenn Ihr Euch mit der Antwort beeilt, dann rettet Ihr dem dritten Mosfet vielleicht das Leben :-) Aus China haben 10 Stück $5,96 gekostet..
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Das R. schrieb: > zum Einschalten des Mosfet hatte ich 26 Volt über 220 kOhm an Gate > gelegt. Der mag nur maximal 20V am Gate und 220k sind ziemlich viel. Ich würde sagen du schaltest den zu langsam ein. Schau dir mal die Gate Kapazität und die Maximum Safe Operating Area an, der mag nicht sonderlich lange halb-leitend vor sich hin köcheln.
Schalte so schnell ein/aus wie es geht... sonst stirbt dir dein Transistor du hast 62°C/W Junction-Ambient ... => bei 44A ist der Transistor thermisch am Eck! Zugegeben, du hast mit deinen Anschlussen einiges an "Kühlkörper" drangemacht, aber das wird so IMHO nicht reichen. Du hast bei 2kW so 90A die dein WR aufnimmt... gibt 8W Verluste am Transistor - best case. => Da muss ein Kühlkörper ran! 73
Nimm einen in SOT-227 und steuer den nicht so hochohmig an. Und die Kühlung nicht vergessen!
Ach ja, die 8,1 Watt bei 90A hätte ich auch glatt vergessen. Wobei ich meine fetten Kabel ja extra direkt auflöte, um die Wärme abzuleiten. Und mit 8,1 Watt Lötkolben bekommt man kein 6 mm² Kupferkabel mehr los. Junction-to-Ambibient max 62°C bedeutet dass der Mosfet dauerhaft 62°C wärmer als die Umgebungstemperatur sein darf ? Die 25 Volt liegen über 220 kOhm am Gate welches aber ja über 110 kOhm auf Masse gezogen wird (um den Mosfet sicher aus zu schalten). Wenn Kondensator voll ist, würde also nur 110/320*25 = 11,4 Volt an Gate liegen :-) Hm. Also an Überhitzung kann es beim Einschalten nicht gelegen haben. Und jetzt sagt Ihr mir ich solle so schnell wie möglich einschalten, also doch kein Kondensator um den Einschaltvorgang zu verzögen (und so die fetten Kondensatoren im Wechselrichter nicht mit fetten Stromschlag aufzuladen) Das hab ich aber doch schon gemacht und ging in die Hose :'( Aber toll das Ihr so schnell antwortet. Wollte heute eigentlich weg und hab eigentlich keine Zeit mehr für das Projekt.. P.S. ein SOT-227 ist nicht bezahlbar. Da würde ich doch eher auf die Garantie pfeifen und zwei Kabel zum Einschalter verlegen. Ich hab aber auch noch 600 Watt Windrad welches ich bei Sturm trennen und kurz schließen möchte. Dafür sind eigentlich die IRFB.. da. Drum möchte ich jetzt hier nicht gleich aufgeben.
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Das R. schrieb: > Die 25 Volt liegen über 220 kOhm am Gate welches aber ja über 110 kOhm > auf Masse gezogen wird Sieht nicht so aus, als ob der Widerstand Kontakt hätte. Hast Du den Mosfet getestet, ob er diese Lötaktion überstanden hatte?
Das R. schrieb: > Seufz ich hab jetzt schon zwei IRFB7430 zerstört. Würde gerne Euren Rat > hören, bevor ich den dritten verlöte. Vielleicht wäre es einfacher, ein Relais zu verwenden.
Oh ja wusste gar nicht das 100A so günstig sind: https://www.ebay.de/itm/24V-100A-5pin-Wasserdicht-Automotive-Relais-SPDT-Car-Control-Device-Car-Relais/172741565945?hash=item2838331df9:g:45UAAOSwIjJZSNMr&frcectupt=true Ja, der 100 kOhm Widerstand hatte Kontakt und ja ich ha den Mosfet nach der fetten Lötaktion natürlich getestet. Er hat ja auch nach Einbau einmal funktioniert. Aber halt nur um den WR anzuschalten. Ich werde jetzt noch einen Versuch mit 10 uF Kondensator machen, damit die Kondensatoren im WR langsam aufgeladen werden. Wüsste nicht woran es sonst gelegen haben kann. das Roland danke für die rege Beteiligung !
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Der MOSFET das für viele unebakannte Wesen... Einschalten mit steilgenuger Flanke, da einiege MOSFETS Lienarberieb nicht vertragen. Ausschalten dass gleiche. Bei den Strömen sowieso nicht. Dafür nimmt mann MOSFET Treiber die Pushpull arbeiten um den nötigen Strom zu liefern um die Gatekapazität zu laden/entladen. Gate Wiederstand würde um die 4,5 bis 15 Ohm reichen. G-S Spannung darf 20V nicht überschreiten da der sonnst kaputt geht. Ein TO220 Gehäuse für 90A ist auch etwas klein. Dass würde ich auf vier MOSFETs parallel Verteilen.
Das R. schrieb: > Ich werde jetzt noch einen Versuch mit 10 uF Kondensator machen, damit > die Kondensatoren im WR langsam aufgeladen werden. Besser mit einem Mosfet mit Widerstand in Serie, der dann von einem zweiten überbrückt wird. Das R. schrieb: > Aus China haben 10 Stück $5,96 gekostet.. Fake-Verdacht?
Das R. schrieb: > Oh ja wusste gar nicht das 100A so günstig sind: > Ebay-Artikel Nr. 172741565945 100A über 6,3mm Steckzungen! Und der Weihnachtsmann....
Das R. schrieb: > Von Gate zu Source hab ich einen 100 kOhm Widerstand > und zum Einschalten des Mosfet hatte ich 26 Volt über 220 kOhm an Gate > gelegt. der ist dann beim ersten Einschalten tot. für deinen Mosfet sind nicht 0.x Sekunden schnell, da musst du Richtung µs oder weniger kommen. Einschalten (unter Last, ohne kannst du dir 10 min zeit lassen, Kondesatoren im Wechselrichter zählen auch als Last) mit 10-15V über maximal 10-20 Ohm, am besten mit richtigem Treiber der >2A kann und ohne Widerstand, Leitungen vom Treiber sehr kurz (parasitäre Induktivität und Kapazität klein halten), nahe am Treiber Elko und Kerko platzieren (in der Versorgungsspannung). Das R. schrieb: > Ich werde jetzt noch einen Versuch mit 10 uF Kondensator machen, damit > die Kondensatoren im WR langsam aufgeladen werden. damit tötest du deinen Mosfet noch schneller, der mag es gar nicht linear bei dieser Last betrieben zu werden. nimm einen zweiten Mosfet mit einem Widerstand (einige Ohm, mehrere Watt) in Reihe und schalte den Mosfet ohne Widerstand nach kurzer Zeit parallel dazu. Das R. schrieb: > Das hab ich aber doch schon gemacht und ging in die Hose :'( nein hast du nicht. der Mosfet ist tot bevor du einmal geblinzelt hast. Sven S. schrieb: > Das R. schrieb: >> Aus China haben 10 Stück $5,96 gekostet.. > > Fake-Verdacht? das kosten 2 davon normalerweise, da kann man den China Faktor von 50% mit einrechnen, und dann nochmal gucken ob es passt. hinz schrieb: > Das R. schrieb: >> Oh ja wusste gar nicht das 100A so günstig sind: >> Ebay-Artikel Nr. 172741565945 > > 100A über 6,3mm Steckzungen! Und der Weihnachtsmann.... auch ein Fall von CHinesischen Leistungen, bei denen ist 1A halt mehr wert als hier.
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Zwei Mosfet in Serie wären ja schon 16 Watt bei Vollast :-( Ich könnte den Mosfet verzögert einschalten und vorher über simplen NPN und Widerstand vorher die Kondensatoren aufladen. Dann wäre der hohe Einschaltstrom fort. Ja den Mosfettreiber wollte ich mir ja sparen weil ich für den Anfang eh ein noch freies 10A Relais nehmen will. Aber korrekt, durch die 320 kOhm ist der Gate-Strom ja so gering, dass vielleicht wirklich der Mosfet durch zu langsames öffnen hops gegangen ist. Bei meinem Spotwelder hab ich ja auch Mosfet Treiber mit 6A genommen. Die Gate-Kapazität finde ich nicht im Datenblatt. Da ist aber auch nur von pico-Farrrads die Rede. Also sagt ihr mir eindeutig, dass zusätzlicher Kondensator nur noch schlimmer wird. Dann werde ich das Experiment wohl begraben und doch vorsichtig den Deckel mit dem Schalter abschrauben :-/
Das R. schrieb: > Zwei Mosfet in Serie wären ja schon 16 Watt bei Vollast :-( Niemand hat gesagt du sollst die in Reihe schalten.
> Niemand hat gesagt du sollst die in Reihe schalten. Wozu dann teuren Mosfet nehmen. NPN tuts auch. Relais würde ich wohl auch direkt an die Kabel löten. Die 200A Relais haben aber schöne Schraubklemmen: https://www.ebay.de/itm/Car-Truck-Motor-Automotive-Relay-24V-12V-200A-100A-Continuous-Type-Automoti/401707503665
hinz schrieb: > Das R. schrieb: >> Oh ja wusste gar nicht das 100A so günstig sind: >> Ebay-Artikel Nr. 172741565945 > > 100A über 6,3mm Steckzungen! Und der Weihnachtsmann.... So ein Relais wär eher das richtige Kaliber: https://www.mouser.com/ds/2/418/NG_DS_V23130-X0000-A001_0612-844286.pdf Das brennt beim Abschalten unter Last auch nicht ab... Kostet leider schon bald halb soviel wie der ganze Wechselrichter :) Dann doch lieber: Das R. schrieb: > die Garantie verlieren > wenn ich Ding aufschraube und Schalter mit zwei Kabeln versehe
hinz schrieb: > Das R. schrieb: >> Oh ja wusste gar nicht das 100A so günstig sind: >> Ebay-Artikel Nr. 172741565945 > > 100A über 6,3mm Steckzungen! Und der Weihnachtsmann.... Aber über die dünnen Anschlußfähnchen eine MOSFET im TO 220 Gehäuse gehts für Dich problemlos? Ich möchte wissen, was Dich jeden Tag treibt, hier noch Wasser aufs Glatteis zu sprühen. :(
Das R. schrieb: > Niemand hat gesagt du sollst die in Reihe schalten. > > Wozu dann teuren Mosfet nehmen. NPN tuts auch. > Relais würde ich wohl auch direkt an die Kabel löten. Die 200A Relais > haben aber schöne Schraubklemmen: Ebay-Artikel Nr. 401707503665 Rechne mal die am npn bei 90A aufttetende Verlustleistung aus...
> Rechne mal die am npn bei 90A aufttetende Verlustleistung aus... Nein den NPN (oder zweiten Mosfet) braucht man doch nur um die Kondensator im WR aufzuladen. Das kann man mit ein paar Ohm machen. Wenn dann der Einschaltstrom des WR abgeklungen ist, schaltet man den Mosfet durch. Dass muss dann aber geschehen bevor der WR mit seinem Softstart anfängt. Aber ich würde vermuten dass der WR eh erst mit dem Softstart anfängt, wenn die 24 Volt anliegen, sprich die Kondensatoren aufgeladen wurden. Ich möchte mich nochmal bedanken, dass Ihr konstruktiv geantwortet hat! Ganz möchte ich diesen IRFB7430 nicht aufgeben. Wenn da 400A drauf steht, dann sollten da auch 400A durchgehen. Hab auch schon 50 Stück von diesen Mosfet mit 6 Pins aus China gekauft und sechs von den Dingern parallel funktionieren prima für meinen Spotwelder. Wer immer noch glaubt das China nur Schrott baut wählt AfD und lebt noch im letzten Jahrhundert..
Karl schrieb: > Rechne mal die am npn bei 90A aufttetende Verlustleistung aus... Der soll doch nur die Kondensatoren im Wechselrichter über einen Widerstand aufladen. Transistor und Widerstand werden nach ein paar Sekunden überbrückt.
Das R. schrieb: > Bei meinem Spotwelder hab ich ja auch Mosfet Treiber mit 6A genommen. > Die Gate-Kapazität finde ich nicht im Datenblatt. Da ist aber auch nur > von pico-Farrrads die Rede. da steht was von beio 1MHz und C_GS + C_GD > ca. 10nF total gate Charge von 300nC und 10V macht 30nF, das ist schon recht viel an ist der ab ca. 5V am Gate und 200nC, das entspricht 40nF die Gate Kapazität ist halt nicht konstant, deswegen wird auch Gate Charge angegeben. Das R. schrieb: > Zwei Mosfet in Serie wären ja schon 16 Watt bei Vollast :-( du sollst einen Mosfet in Serie mit Miderstand und dazu parallel eine zweiten Mosfet. Quasi das was du mit NPN schreibst nur mit 2 Mosfet. > Ich könnte den Mosfet verzögert einschalten und vorher über simplen NPN > und Widerstand vorher die Kondensatoren aufladen. Dann wäre der hohe > Einschaltstrom fort. das geht theoretisch, nur wenn der Wechselrichter doch schon an sein sollte hast du wieder das Problem dass die ganze Leistung am Mosfet abfällt, also nichts verbessert. die Idee ist gut, hilft bestimmt auch und solltest du probieren, aber einen Mosfet Treiber ersetzt sie nicht unbedingt.
Beitrag #5790343 wurde von einem Moderator gelöscht.
Das R. schrieb: > Ganz möchte ich diesen IRFB7430 nicht aufgeben. Wenn da 400A drauf > steht, dann sollten da auch 400A durchgehen. wenn es denn ein echter IRFB730 ist, dann ja. aber nur wenn du den schnell schaltest, denn 300nC Gate Charge sind viel und du siehst ja was passiert wenn du langsam schaltest. Das R. schrieb: > Wer immer noch glaubt das China nur Schrott baut wählt AfD und lebt noch > im letzten Jahrhundert.. das hat niemand behauptet. die Aussage war das 10 Stück für den Preis von 2 echten nicht unbedingt originale sind, und das Fälschungen verklauft werden kann niemand leugnen. miss halt selber nach ob der wirklich auf 1mOhm kommt oder ob es nicht mehr als 300nC Gate Charge sind usw..., ich bezweifel es zumindest.
Irreführer der Fragesteller schrieb: > hinz schrieb: >> Das R. schrieb: >>> Oh ja wusste gar nicht das 100A so günstig sind: >>> Ebay-Artikel Nr. 172741565945 >> >> 100A über 6,3mm Steckzungen! Und der Weihnachtsmann.... > > Aber über die dünnen Anschlußfähnchen eine MOSFET im TO 220 Gehäuse > gehts für Dich problemlos? Nein. > Ich möchte wissen, was Dich jeden Tag treibt, hier noch Wasser aufs > Glatteis zu sprühen. > :( Bist halt der Psychopath.
Das R. schrieb: > Wenn da 400A drauf > steht, dann sollten da auch 400A durchgehen. Wenn du innerhalb der SOA bleibst.
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Das R. schrieb: > Wenn da 400A drauf > steht, dann sollten da auch 400A durchgehen. Nicht ganz die Hälfte.
Sven S. schrieb: > Das R. schrieb: >> Wenn da 400A drauf >> steht, dann sollten da auch 400A durchgehen. > > Nicht ganz die Hälfte. Ist immer noch viel zu schön gerechnet. Siehe AN-1140 von IRF.
Also diese Lötstellen da in dem Bild sind jetzt nicht Dein Ernst, oder?
Bernd K. schrieb: > Also diese Lötstellen da in dem Bild sind jetzt nicht Dein Ernst, oder? Das hab ich mir auch gedacht ... Ich finde aber die experimentelle herangehensweise auch schön. Das R. schrieb: > Von Gate zu Source hab ich einen 100 kOhm Widerstand > und zum Einschalten des Mosfet hatte ich 26 Volt über 220 kOhm an Gate > gelegt. Wie bist du auf den Unfug gekommen? Das entspricht einer Ansteuerung mit 8.125V und 68.75kOhm. 8V Gatespannung sind schon mal arg wenig, 10 Ohm Vorwiderstand könnten dann schon zu viel sein. Lt. Datenblatt liegt das Miller-Plateau bei knapp unter 5V und ist 150nC breit. Das durchwandert dein FET mit ca. 3,5V/68,75kOhm = 0,05mA Ladestrom in ca. 3ms. Geschätzt muss der FET in der Zeit im Schnitt irgendwas zwischen 1-3kW (3-9J) verkraften. Das ist Faktor 3-10 jenseits der max. Avalanche-Energie (ist eigentlich für was anderes gedacht, aber schon mal ein Anhaltswert). Und da werden auch Zeiten mit 24@300A=7.2kW dabei sein. Nach der Thermal response im Datenblatt (Fig. 14) ist ein Faktor 0.2 anzusetzen. Also irgendwas im Bereich von 200-600W. Sagen wir 2kW im Schnitt, *0.2*0.4K/W=160°C nach thermischer Bewertung. Der FET hat aber nur 62°C/W Tj-ambient. Auch mit den Kabeln werden es noch 20°C/W sein. Davon gehe ich jetzt mal aus. Sprich: - Während des Einschaltens sind es 400W > +160°C transient - Im Betrieb sind es 10W > +200°C - Beim Ausschalten hängt's von den Kabellängen und den Innenwiderständen der Kondensatoren ab. Kann auch nochmal heftig werden. Das passiert ja ausgehend vom warmen FET. Die IRFB7430 sind nicht schlecht, Wunder können die aber auch nicht. Eigentlich braucht man für die Ansteuerung solcher FETs sinnvolle Treiber. Ich bezweifle aber, dass du das dann auch so aufgebaut bekommst, dass es wirklich funktioniert. Einfacher Vorschlag: - Kühlkörper mit < 5K/W vorsehen (gibt's für <5€) - 2 FETs für den Betrieb (mehr als 50A würde ich TO220 nicht zumuten); möglichst getrennte Kabel von der Quelle / zum Wechselrichter - Spannungsteiler für die FET-Ansteuerung auf 2x1kOhm (nach + und -) reduzieren. Je nach Softstartverhalten lässt sich da auch ne Menge mit passiven Schaltungen + ein paar einfachen Transistoren drehen. MOSFet mit Zusatzwiderstand, der schneller aufgeladen wird und die Kondensatoren vorlädt zum Beispiel. Ein- und Ausschalten passieren ja normalerweise im Takt von Minuten .. Stunden. Schnelles Ein-/ Ausschalten könnte das ganz aber trotzdem killen ... Das R. schrieb: > Ganz möchte ich diesen IRFB7430 nicht aufgeben. Wenn da 400A drauf > steht, dann sollten da auch 400A durchgehen. Der taugt schon. Aber halt das Datenblatt lesen ... Der kann deutlich mehr als 400A, aber nicht dauerhaft und nur unter extrem eingeschränkten Randbedingungen. Und: die 409A sind Augenwischerei. Die 195A eigentlich auch nicht erreichbar. Man muss die Datenblätter halt auch lesen können ... Bei 25°C Umgebungsthemperatur und TjMax von 175°C (+150°C): 409A kann der Chip, bei 0.4K/W RtJC, 1.3mOhm; theortisch auch kein Problem (+87°C). Mit Absolut idealem Kühlkörper und idealealer Montage. 195A gehen mit typischem Montage-Wärmewiderstand (gesamt 0.9K/W). Theoretisch +44.5°C bei idealem Kühlkörper. Mit einem realistisch Kühlkörper in der Größe 10*5*3cm (3.2K/W) sind 168A drin. Mit Reserven (Gehäuseinnentemperatur > 25°C) eher nur 130A. 50A Dauerstrom sind mein persönliches max. für TO220. Hast du ein Oszi zur Verfügung? das könnte helfen den Einschaltvorgang zu analysieren.
Um eine Einschaltstrombegrenzung wirst Du nicht herum kommen.
Hab ja nun den Anschalter verkabelt habe. Der Einschaltstrom wird übrigens durch sechs 2200 uF Kondensatoren hervorgerufen. Also 13,2 mF Verlierer ist ja kein Ingenieur sondern Physiker. Und als solcher versuche ich natürlich immer innovativ Probleme zu lösen. Ihr hingegen wendet nur bekanntes an. Also Mosfet -> MosfetTreiber. Und wenn dann Einschaltstrom begrenzt werden soll muss "dumm" ein zweiter Mosfet parallel angesteuert werden.. Ich hab schon vor bald 5 Jahren per pwm mit zwei Widerständen und einen Kondensator analoge Gatespannung erzeugt und damit Die Strom-Spannungskurven von Solarzellen vermessen: https://youtu.be/PTt4Zyx3e8U Also klar kann man den einen Mosfet (ja besser zwei um max Verlustleistung von 8 auf 4 Watt zu halbieren) auch als Strombegrenzer nutzen in dem man ihn langsam genug öffnet. Wenn er statt den finalen 1 mOhm noch 500 mOhm hätte, würden die 13,2 mF in 8,91 ms auf 20 Volt (27V Batteriespannung) geladen und der Anfangsstrom wäre 54 A : https://wetec.vrok.de/rechner/cclad.htm Man müsste also die zwei Widerstände in Relation zum Gate-Kondensator so auslegen, dass er die zu 500 mOhm gehörige Gatespannung bei einer Steigung von -100 mOhm / 10 ms passiert. Je größer die Widerstände desto größer der "Gate-Kondensator". Da war mein Ansatz, bei 220k + 100k mit 10 uF anzufagen vermutlich ganz gut. Man kann auch mit 470 uF anfangen und dann einfach kleinere Kondensatoren testen. Da der Entladevorgang ja nur über den Gate-Source Widerstand läuft, geht der Mosfet schneller zu als er auf geht. So ist es auch gewünscht :-) das Roland der kleiner Physiker. "wer nicht verliert.. der versagt."
Das R. schrieb: > Also 13,2 mF Bei 24V muss dein FET also 3,8J verbraten, wenn nichts anderes als der FET den Einschaltstrom begrenzt. Und das unabhängig davon, ob du ihn schnell oder langsam einschaltest. Für einen IRFB7430, der mit weniger als einem J schon zerstört werden kann, ziemlich viel. Theoretisch kannst du den Zeitbereich natürlich so lange strecken, dass der FET währenddessen schon genügend Energie an den Kühlkörper abführen kann und nicht gleich verdampft. Praktisch kann dann allerdings die zusätzliche Schwierigkeit auftreten, dass währenddessen der Wechselrichter schon losläuft. Du hast dann also nicht mehr nur die Verlustenergie vom Aufladen der Kondensatoren, sondern zusätzlich noch die Verluste durch den Betrieb der Last bei halb aufgesteuertem FET. Deswegen wer der von anderen schon gegebene Rat, eine andere Einschaltstrombegrenzung zu verwenden als den FET, ein ziemlich guter Rat. Das R. schrieb: > Also klar kann man den einen Mosfet (ja besser zwei um max > Verlustleistung von 8 auf 4 Watt zu halbieren) auch als Strombegrenzer > nutzen in dem man ihn langsam genug öffnet. Wenn du 5 von deinen FETs parallel betreibst und eine saubere Lastaufteilung hinkriegst, dann sollte das rechnerisch so ungefähr aufgehen. Aber ich würde den klassischen Ansatz bevorzugen (Vorwiderstand, der die unvermeidliche Verlustenergie beim Einschalten der Kondensatoren im wesentlichen aufnimmt und danach überbrückt wird).
Und der Ingenieur kennt die Streuung der Bauteile (ohne lange Fehlerberechnung) und weiß wie bauteilspezifisch das ganze hingefrickelt sein wird. Für Deine Schaltung ist aber auch die Wärmekapazität der Halbleiterscheibe im Mosfet Gehäuse ein begrenzender Faktor.
Der Herr Physiker ist einfach nur lernresistent und lehnt sich reichlich weit aus dem Fenster. Bin übrigens auch Physiker.
"Was Versager in Anderen sehen ist IMMER nur ein Spiegel ihrer selbst." (Robo Durden) Ich verabschiede mich nun aus diesem Thread. Danke noch mal für die rege Beteiligung. Vielleicht öffne ich in Zukunft ähnlichen Thread wenn es darum geht ein 600 Watt Windrad unter voller Last vom Akku zu trennen und dann kurz zu schließen :-)
Achim S. schrieb: > Wenn du 5 von deinen FETs parallel betreibst und eine saubere > Lastaufteilung hinkriegst, dann sollte das rechnerisch so ungefähr > aufgehen. Punkt A: Ginge statt mit Stromverteilungs-Rs auch mit einzelnen Zuleitungen (ich meine wirklich die Kabel, von der 24V Quelle als Einzeladern zu den Drains geführt). Würde zuerst mal die Shunts als eigene Bauteile ersetzen, und auch (Querschnitt 1 Ader >= nötiger Gesamtquerschnitt/n) deren Verluste. Damit es praktisch und stabil wird, einige Streifen Plastikfolie um einige Stellen der 5-Leitungs-Parallelschaltung ein paar mal herum gewickelt, und darüber straff angezogen starke Kabelbinder. Haltbarkeit sicher Jahre bis Jahrzehnte. Punkt B: Besser > Faktor 2 (noch besser 3), hier min. 8 Stk. (besser 10-12 Stk.) entspr. o. g. Fets parallel. Im Gegensatz zum Lawinendurchbruch kommt die Leistung - laut eines gerade vorhin noch neben mir gesessen habenden Mitdenkers - über Hotspotting vergleichbar wie bei BiPos (wohl in kleinerem Bereich/Gesamtvolumen) an, und sofern man nicht Spannungsfestigkeit min. rund 3fach nimmt, soll "ein bißchen oberhalb" nicht reichen. Wieso genau, soll angeblich eh hundertfach im Netz stehen (Probleme Standard Vertikal Fets Linearbetrieb, oder so etwas in der Art). Das R. schrieb: > "Was Versager in Anderen sehen ist IMMER nur ein Spiegel ihrer selbst." Das ist aber doch eine reichlich schmalbandige Sichtweise.
Für den eiligen Leser: TO will Wechselrichter 24V 2000W (ca. 80A) in der Zuleitung schalten. Das Gerät hat eingangsseitig noch 13,2 mF. Es soll dabei nur ein MOSFET ohne weitere Bauteile verwendet werden. 1. Für die Abschaltung bei Nennstrom des Wechselrichters ist eine Freilaufdiode am Mosfet zu ergänzen. Vor dem Mosfet ist noch eine Supressordiode oder Varistor zu ergänzen. 2. Lösung mittels einschaltstrombegrenzender Drossel: W=1/2*0,013*24²=3,75J, bzw. W/s Mit ca. 0,16A wären die C in 1s aufgeladen, bzw. 160A für 1ms. L=dt/dI*U=0,15mH 3. Nächste Stufe wäre eine Einschaltverzögerung. Lösung mit NTC nur wenn Ausschaltphasen immer lange genug sind. Lösung mit zwei Stufen, Pfad 1 mit Vorwiderstand wird durch verzögerten Pfad 2 überbrückt. Erfordert zwei MOSFET. Es funktioniert ein paar mal mit einem MOSFET. MOSFET mit größerem Chip und besserer Ableitung könnte es ohne 2. & 3, nur mit 1. ausreichend zuverlässig funktionieren. Z.B. empfohlenen Halbleiter in industrie/militäry Standard Package.
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