Hallo, kurze Frage aus reiner Neugier, Feldeffekttransistoren jedweder Art werden immer auf Silizium-Basis hergestellt, richtig? Oder gibt es auch (alte) Exemplare auf Germanium-Basis oder aus anderen Elementen(Selen)? VG
SiC, GaN und GaAsN sind aktuell "der heiße Scheiß" (Wobei es SiC schon ziemlich lange gibt) z.B. 5G oder E-Autos (Also hohe Frequenzen oder hohe Spannungen). Platzsparender, schneller und spannungsresistenter als Si. Allerdings auch deutlich teurer.
Galliumarsenid ist natürlich ohne Stickstoff, Arsen ist ja bereits fünfwertig... Also GaAs, nicht GaAsN
Danke! Zu GaAs gibt es auch einen Wikipedia-Artikel: https://de.wikipedia.org/wiki/Galliumarsenid Aber die ersten industriell hergestellten FETs waren schon auf Si-Basis, eine Entwicklung auf Ge-Basis wie bei den BiPos gab es nicht!?
FET-Interessierter schrieb: > Aber die ersten industriell hergestellten FETs waren schon auf Si-Basis, > eine Entwicklung auf Ge-Basis wie bei den BiPos gab es nicht!? Da FETs schon um 1930 erfunden worden sind, glaube ich kaum das man damals mit Silizium gearbeitet hat. Die entsprechenden Fertigungs- techniken hat man erst sehr viel später entdeckt.
Harald W. schrieb: > Da FETs schon um 1930 erfunden worden sind Nur auf dem Papier. Die ersten funktionierenden Exemplare stammten von Junichi Nishizawa, der bekannter ist als Vater der PIN-Diode. AFAIR hat er die anno 1950 aus Germanium hergestellt.
M. K. schrieb: > Die FETs die wir so machen sind alle auf Si-Basis. In der meistverwendeten Bedeutung: "Alle von uns hergest. FETs sind (nur) aus Silizium (allein)." Etwas anders interpretiert jedoch: "All die von uns hergestellten FETs sind auF Silizium..." Gab oder gibt es nicht SiC (J)FETs auf Si- Basismaterial ? Falls nicht (mehr, und dieser Umstand mittlerweile bekannt), bitte ich um Verzeihung. Ich hielt den Satz fuer uneindeutig.
Scheint zum Teil ein aktuelles Thema zu sein: https://www.web-bcs.com/pdf/Tx/TI/TIXM12.pdf https://cloudfront.escholarship.org/dist/prd/content/qt50n8k88f/qt50n8k88f.pdf https://www.spiedigitallibrary.org/conference-proceedings-of-spie/0364/0000/Brief-Characterization-Of-Germanium-Junction-Field-Effect-Transistors-FETs-At/10.1117/12.934191.short?SSO=1 https://res.mdpi.com/materials/materials-07-02301/article_deploy/materials-07-02301.pdf?filename=&attachment=1 1968: https://ieeexplore.ieee.org/document/4324865 http://srjcstaff.santarosa.edu/~yataiiya/E45/PROJECTS/Homemade%20Field%20Effect%20Transistor.pdf https://www.researchgate.net/publication/228613112_Germanium_MOSFET_Devices_Advances_in_Materials_Understanding_Process_Development_and_Electrical_Performance https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.1683503 https://www.heise.de/tr/artikel/Fortschritt-auf-dem-Weg-zu-Germanium-Transistoren-2516244.html http://www.aes.org/e-lib/online/browse.cfm?elib=1100 https://www.google.de/search?ei=77afXOj2DYO6-gS9i56gCg&q=germanium+fet&oq=germanium+fet&gs_l=mobile-gws-wiz-serp.3..0i7i30i19j0i19j0i8i30i19.18305.20616..22285...0.0..0.131.719.3j4......0....1.........0i7i30j0i7i10i30j0i13j0i8i7i10i30j0i13i30j0j0i30j0i10i30.foHje0g2CCc#ip=1 http://mirror.thelifeofkenneth.com/lib/electronics_archive/TexasInstrumentsTransistorDiodeDataBook_text.pdf https://ntrs.nasa.gov/archive/nasa/casi.ntrs.nasa.gov/19680023857.pdf Das sind nur ein paar Treffer mit Suche.
philip oder sophie schrieb: > @M. K.: Du arbeitest also bei einem der Hersteller? Elmos Semiconductor AG. Wir prozessieren Si-Wafermaterial, dotiert wird mit Arsen, Phosphor und Bor idR.
Das hätte ich mal nicht so im Detail geschrieben. Aber mit Account kann man das ja wieder löschen. Empfehlung bei sowas Mittelkleiner HL Hersteller im Nord-Westen oder NRW.
M. K. schrieb: > philip oder sophie schrieb: >> @M. K.: Du arbeitest also bei einem der Hersteller? > > Elmos Semiconductor AG. Wir prozessieren Si-Wafermaterial, > dotiert wird mit Arsen, Phosphor und Bor idR. Hatte noch nie mit jemandem so nahe einer "Quelle" zu tun, deshalb meine spontane Neugier nach Deiner obigen Aussage. Von meiner Seite aus natuerlich dankeschoen fuer die Info. :) Ich hatte/habe null böse Absichten, und hoffe nach Dieters Warnung, daß Dir Deine Offenheit keine Nachteile beschert. LG, Fred
Jeder, der ein wenig nach mir sucht wird herausfinden wo ich Arbeite (und dass ich nicht nur für Elmos arbeite was auch Elmos weis ;)) und es ist kein Geheimnis, dass viele Halbleiterunternehmen Wafer auf Si-Basis einsetzen und entsprechend Material aus der 3. und 5. Hauptgruppe als Dotiermaterial verwenden. Das sind alles keine Betriebsgeheimnisse. Jetzt detailiert unsere Prozesse beschreiben, davon sehe ich auch ab. ;)
M. K. (sylaina) >Die FETs die wir so machen sind alle auf Si-Basis. ... >philip oder sophie schrieb: >> @M. K.: Du arbeitest also bei einem der Hersteller? >Elmos Semiconductor AG. Wir prozessieren Si-Wafermaterial, dotiert wird >mit Arsen, Phosphor und Bor idR. ... >Jeder, der ein wenig nach mir sucht wird herausfinden wo ich Arbeite >(und dass ich nicht nur für Elmos arbeite was auch Elmos weis ;)) und es >ist kein Geheimnis, dass viele Halbleiterunternehmen Wafer auf Si-Basis >einsetzen und entsprechend Material aus der 3. und 5. Hauptgruppe als >Dotiermaterial verwenden. Das sind alles keine Betriebsgeheimnisse. >Jetzt detailiert unsere Prozesse beschreiben, davon sehe ich auch ab. ;) Ich habe den Eindruck, Du wolltest auch nur mal was sagen, ohne konkret auf die Frage des TO einzugehen. Es scheint, Elmos produziert gar keine diskreten (MOS)FETs, sondern nur ICs, teilweise mit integrierter MOSFET-Leistungsstufe. Und da verwundert es nicht, daß man da bei 0815-Teilen nicht über Si hinaus kommt. Si, dotiert mit Arsen, Phosphor und Bor, wurde schon vor 50 Jahren verwendet. Da brauchst Du "Eure" Prozesse nun wirklich nicht zu beschreiben, oder gar Elmos' Beschränkung auf Si als representativ für den Rest der Welt hinzustellen (wollte eigentlich gar keiner wissen, daß Deine Firma nur mit Si arbeitet). Zusammengefaßt kann man Si, SiC, GaN und GaAs (evtl. mit GaAlAs), und Mischformen davon nennen. Und historisch gibt's noch Ge, wie wir inzwischen erfahren haben, was aber als SiGe evtl. auch heute noch zumindest akademisch interessant ist. Auch InP wird in sehr speziellen Höchstfrequenzgebieten (bis zu paar 100GHz) verwendet, wenn auch man solche Teile kaum bei den üblichen Versandhändlern bekommt (z.B. OMMIC). Und bisher rein akademisch gibt's auch solche Späße wie z.B. den G-FET (auf Graphene-Basis), SiGe, und sicherlich noch einiges mehr.
philip oder sophie schrieb: > Gab oder gibt es nicht SiC (J)FETs auf Si- Basismaterial ? Ich habe letztes Jahr GaN/AlGaN-HEMT auf Si im Rahmen eines Praktikums gesehen (Genauer gesagt, teilprozessiert und vermessen). Ist halt wesentlich günstiger als ein Al2O3-Wafer (Von einem reinen GaN-Wafer mal ganz zu schweigen) und man braucht ja nur ein paar µm Material.
> Und historisch gibt's noch Ge, wie wir inzwischen erfahren haben, was aber als SiGe evtl. auch heute noch zumindest akademisch interessant ist. SiGe hat aber auch gar nichts mit reinen Ge-Halbleitern zu tun. Ge-Bauteile gibt es nur noch für ein paar wenige Anwendungen. https://www.gpd-ir.com/ Ich glaube der ursprüngliche Firmeninhaber/Gründer hatte den Spitznamen "Oliver Germanium". Nur "alte Hasen" werden sich an ihn erinnern.
>SiGe hat aber auch gar nichts mit reinen Ge-Halbleitern zu tun.
Stimmt - war im Gedanken bei reinen Ge-Schichten auf Si. Ist aber 'ne
Mischung aus beidem ...
Helmut S. schrieb: > https://www.gpd-ir.com/ > Ich glaube der ursprüngliche Firmeninhaber/Gründer hatte den Spitznamen > "Oliver Germanium". Nur "alte Hasen" werden sich an ihn erinnern. Ja, die ganzseitigen Inserate mit dem wohlbeleibten CEO sind mir noch gut in Erinnerung.
Jens G. schrieb: > Ich habe den Eindruck, Du wolltest auch nur mal was sagen, ohne konkret > auf die Frage des TO einzugehen. Ich mag mich irren aber war die Frage nicht, ob FETs immer auf SI-Basis sind? Ich hatte die Frage nun so verstanden, dass der TO wissen wollte, ob Standard-FETs immer auf SI Basis sind. Dass es auch FETs auf anderer Basis gibt steht ausser Frage, das findet man ja mit Hilfe von Google und Co in 5 Sekunden heraus. Daher habe ich einfach mal geschrieben, dass ich, der u.a. in der HL-Produktion arbeitet, halt in dem Unternehmen, in dem ich arbeite, nur FETs auf Si-Basis kenne. Klar, ich hätte auch sagen können: Nein, es gibt z.B. FETs auf GaN-Basis. Wäre die Frage ja auch beantwortet gewesen, oder? ;)
Du bist doch schon lange genung dabei, um zu wissen, dass zuerst die letzten 5 - 10 Antworten auf Grammatik und Rechtschreibung überprüft werden. Danach erfolgt die Kontrolle auf "sachlich richtig". Lässt sich daraus noch keine Antwort generieren, kann man immer noch die Ausgangsfrage lesen. SCNR Arno
FET-Interessierter schrieb: > Hallo, > > kurze Frage aus reiner Neugier, Feldeffekttransistoren jedweder Art > werden immer auf Silizium-Basis hergestellt, richtig? > > Oder gibt es auch (alte) Exemplare auf Germanium-Basis oder aus anderen > Elementen(Selen)? > VG Indiumgalliumarsenid, Indiumphosphid, wenns schnell sein soll. Halbleiter varianten gibt es sprich wörtlich wie Sand am Meer.
M. K. (sylaina) schrieb: >Jens G. schrieb: >> Ich habe den Eindruck, Du wolltest auch nur mal was sagen, ohne konkret >> auf die Frage des TO einzugehen. >Ich mag mich irren aber war die Frage nicht, ob FETs immer auf SI-Basis >sind? Ich hatte die Frage nun so verstanden, dass der TO wissen wollte, >ob Standard-FETs immer auf SI Basis sind. Dass es auch FETs auf anderer >Basis gibt steht ausser Frage, das findet man ja mit Hilfe von Google >und Co in 5 Sekunden heraus. >Daher habe ich einfach mal geschrieben, dass ich, der u.a. in der >HL-Produktion arbeitet, halt in dem Unternehmen, in dem ich arbeite, nur >FETs auf Si-Basis kenne. >Klar, ich hätte auch sagen können: Nein, es gibt z.B. FETs auf >GaN-Basis. Wäre die Frage ja auch beantwortet gewesen, oder? ;) Genau. Denn von Standard-Fets hat der TO ja gar nix geschrieben, sondern von "Feldeffekttransistoren jedweder Art".
Hallo, lief mir heute über den Weg. https://www.mouser.de/new/Infineon-Technologies/infineon-coolgan-hemts/ mfg klaus
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