FET immer aus Si-Basis?

FET-Interessierter schrieb:

> Aber die ersten industriell hergestellten FETs waren schon auf Si-Basis,
> eine Entwicklung auf Ge-Basis wie bei den BiPos gab es nicht!?

Da FETs schon um 1930 erfunden worden sind, glaube ich kaum das man
damals mit Silizium gearbeitet hat. Die entsprechenden Fertigungs-
techniken hat man erst sehr viel später entdeckt.

Die FETs die wir so machen sind alle auf Si-Basis.

Scheint zum Teil ein aktuelles Thema zu sein:

https://www.web-bcs.com/pdf/Tx/TI/TIXM12.pdf

https://cloudfront.escholarship.org/dist/prd/content/qt50n8k88f/qt50n8k88f.pdf

https://www.spiedigitallibrary.org/conference-proceedings-of-spie/0364/0000/Brief-Characterization-Of-Germanium-Junction-Field-Effect-Transistors-FETs-At/10.1117/12.934191.short?SSO=1

https://res.mdpi.com/materials/materials-07-02301/article_deploy/materials-07-02301.pdf?filename=&attachment=1
1968:
https://ieeexplore.ieee.org/document/4324865

http://srjcstaff.santarosa.edu/~yataiiya/E45/PROJECTS/Homemade%20Field%20Effect%20Transistor.pdf

https://www.researchgate.net/publication/228613112_Germanium_MOSFET_Devices_Advances_in_Materials_Understanding_Process_Development_and_Electrical_Performance

https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.1683503

https://www.heise.de/tr/artikel/Fortschritt-auf-dem-Weg-zu-Germanium-Transistoren-2516244.html

http://www.aes.org/e-lib/online/browse.cfm?elib=1100

https://www.google.de/search?ei=77afXOj2DYO6-gS9i56gCg&q=germanium+fet&oq=germanium+fet&gs_l=mobile-gws-wiz-serp.3..0i7i30i19j0i19j0i8i30i19.18305.20616..22285...0.0..0.131.719.3j4......0....1.........0i7i30j0i7i10i30j0i13j0i8i7i10i30j0i13i30j0j0i30j0i10i30.foHje0g2CCc#ip=1

http://mirror.thelifeofkenneth.com/lib/electronics_archive/TexasInstrumentsTransistorDiodeDataBook_text.pdf

https://ntrs.nasa.gov/archive/nasa/casi.ntrs.nasa.gov/19680023857.pdf

Das sind nur ein paar Treffer mit Suche.

philip oder sophie schrieb:
> @M. K.: Du arbeitest also bei einem der Hersteller?

Elmos Semiconductor AG. Wir prozessieren Si-Wafermaterial, dotiert wird 
mit Arsen, Phosphor und Bor idR.

Hier ist noch ein interessanter praktischer Artikel:

https://core.ac.uk/download/pdf/36705909.pdf

Jeder, der ein wenig nach mir sucht wird herausfinden wo ich Arbeite 
(und dass ich nicht nur für Elmos arbeite was auch Elmos weis ;)) und es 
ist kein Geheimnis, dass viele Halbleiterunternehmen Wafer auf Si-Basis 
einsetzen und entsprechend Material aus der 3. und 5. Hauptgruppe als 
Dotiermaterial verwenden. Das sind alles keine Betriebsgeheimnisse. 
Jetzt detailiert unsere Prozesse beschreiben, davon sehe ich auch ab. ;)

M. K. (sylaina)

>Die FETs die wir so machen sind alle auf Si-Basis.

...

>philip oder sophie schrieb:
>> @M. K.: Du arbeitest also bei einem der Hersteller?

>Elmos Semiconductor AG. Wir prozessieren Si-Wafermaterial, dotiert wird
>mit Arsen, Phosphor und Bor idR.

...

>Jeder, der ein wenig nach mir sucht wird herausfinden wo ich Arbeite
>(und dass ich nicht nur für Elmos arbeite was auch Elmos weis ;)) und es
>ist kein Geheimnis, dass viele Halbleiterunternehmen Wafer auf Si-Basis
>einsetzen und entsprechend Material aus der 3. und 5. Hauptgruppe als
>Dotiermaterial verwenden. Das sind alles keine Betriebsgeheimnisse.
>Jetzt detailiert unsere Prozesse beschreiben, davon sehe ich auch ab. ;)

Ich habe den Eindruck, Du wolltest auch nur mal was sagen, ohne konkret 
auf die Frage des TO einzugehen.
Es scheint, Elmos produziert gar keine diskreten (MOS)FETs, sondern nur 
ICs, teilweise mit integrierter MOSFET-Leistungsstufe. Und da verwundert 
es nicht, daß man da bei 0815-Teilen nicht über Si hinaus kommt.
Si, dotiert mit Arsen, Phosphor und Bor, wurde schon vor 50 Jahren 
verwendet. Da brauchst Du "Eure" Prozesse nun wirklich nicht zu 
beschreiben, oder gar Elmos' Beschränkung auf Si als representativ für 
den Rest der Welt hinzustellen (wollte eigentlich gar keiner wissen, daß 
Deine Firma nur mit Si arbeitet).

Zusammengefaßt kann man Si, SiC, GaN und GaAs (evtl. mit GaAlAs), und 
Mischformen davon nennen.
Und historisch gibt's noch Ge, wie wir inzwischen erfahren haben, was 
aber als SiGe evtl. auch heute noch zumindest akademisch interessant 
ist.
Auch InP wird in sehr speziellen Höchstfrequenzgebieten (bis zu paar 
100GHz) verwendet, wenn auch man solche Teile kaum bei den üblichen 
Versandhändlern bekommt (z.B. OMMIC).
Und bisher rein akademisch gibt's auch solche Späße wie z.B. den G-FET 
(auf Graphene-Basis), SiGe, und sicherlich noch einiges mehr.

> Und historisch gibt's noch Ge, wie wir inzwischen erfahren haben, was
aber als SiGe evtl. auch heute noch zumindest akademisch interessant
ist.

SiGe hat aber auch gar nichts mit reinen Ge-Halbleitern zu tun. 
Ge-Bauteile gibt es nur noch für ein paar wenige Anwendungen.
https://www.gpd-ir.com/
Ich glaube der ursprüngliche Firmeninhaber/Gründer hatte den Spitznamen 
"Oliver Germanium". Nur "alte Hasen" werden sich an ihn erinnern.

>SiGe hat aber auch gar nichts mit reinen Ge-Halbleitern zu tun.

Stimmt - war im Gedanken bei reinen Ge-Schichten auf Si. Ist aber 'ne 
Mischung aus beidem ...

Jens G. schrieb:
> Ich habe den Eindruck, Du wolltest auch nur mal was sagen, ohne konkret
> auf die Frage des TO einzugehen.

Ich mag mich irren aber war die Frage nicht, ob FETs immer auf SI-Basis 
sind? Ich hatte die Frage nun so verstanden, dass der TO wissen wollte, 
ob Standard-FETs immer auf SI Basis sind. Dass es auch FETs auf anderer 
Basis gibt steht ausser Frage, das findet man ja mit Hilfe von Google 
und Co in 5 Sekunden heraus.
Daher habe ich einfach mal geschrieben, dass ich, der u.a. in der 
HL-Produktion arbeitet, halt in dem Unternehmen, in dem ich arbeite, nur 
FETs auf Si-Basis kenne.
Klar, ich hätte auch sagen können: Nein, es gibt z.B. FETs auf 
GaN-Basis. Wäre die Frage ja auch beantwortet gewesen, oder? ;)

Du bist doch schon lange genung dabei, um zu wissen, dass zuerst die 
letzten 5 - 10 Antworten auf Grammatik und Rechtschreibung überprüft 
werden. Danach erfolgt die Kontrolle auf "sachlich richtig". Lässt sich 
daraus noch keine Antwort generieren, kann man immer noch die 
Ausgangsfrage lesen.
SCNR

Arno

M. K. (sylaina) schrieb:

>Jens G. schrieb:
>> Ich habe den Eindruck, Du wolltest auch nur mal was sagen, ohne konkret
>> auf die Frage des TO einzugehen.

>Ich mag mich irren aber war die Frage nicht, ob FETs immer auf SI-Basis
>sind? Ich hatte die Frage nun so verstanden, dass der TO wissen wollte,
>ob Standard-FETs immer auf SI Basis sind. Dass es auch FETs auf anderer
>Basis gibt steht ausser Frage, das findet man ja mit Hilfe von Google
>und Co in 5 Sekunden heraus.
>Daher habe ich einfach mal geschrieben, dass ich, der u.a. in der
>HL-Produktion arbeitet, halt in dem Unternehmen, in dem ich arbeite, nur
>FETs auf Si-Basis kenne.
>Klar, ich hätte auch sagen können: Nein, es gibt z.B. FETs auf
>GaN-Basis. Wäre die Frage ja auch beantwortet gewesen, oder? ;)

Genau. Denn von Standard-Fets hat der TO ja gar nix geschrieben, sondern 
von "Feldeffekttransistoren jedweder Art".

Hallo,
lief mir heute über den Weg.

https://www.mouser.de/new/Infineon-Technologies/infineon-coolgan-hemts/
mfg klaus