Hallo allerseits, ich wollte einen Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V)umgekehrt bzw. durch ''Diode'' betrieben. Hierfür hab ich mich für die beigefügte Schaltung entschieden. Mit VDD=2V gibt es sowohl 3,7W Verlustleistung am MOSFET, als auch 3,3W am Widerstände [R4, R5]. Wie soll ich die richtigen Werte auswählen, um ungefähr 3 bis 5 [W] Verlustleistung am MOSFET zu kriegen, ohne dass viel Verluste am Widerstände hätten. Danke im Voraus
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Anonym. schrieb: > Hierfür hab ich mich für die beigefügte Schaltung entschieden. Welche? > Mit VDD=2V gibt es sowohl 3,7W Verlustleistung am MOSFET, als auch 3,3W > am Widerstände [R4, R5]. Ich bin auf die Schaltung gespannt... Welchen Strom willst du denn da durchschicken? > ich wollte einen Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V)umgekehrt bzw. > durch ''Diode'' betrieben. Beim bekannten "Verpolschutz" passiert genau dieser "Rückwärtsbetrieb": http://www.lothar-miller.de/s9y/categories/39-Verpolschutz
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Lothar M. schrieb: > Welche? Beigefügte LTSpice.jpg > Welchen Strom willst du denn da durchschicken? ungefähr 5A
Der Kanal kann in beide Richtungen gleich viel Strom tragen. Das ist ein Standardfall bei Motortreibern. Die Ansteuerung musst du aber auf Source beziehen, das ist dir eh klar? D.h. der FET braucht eine Gate-Source-Spannung, keine Gate-Ground-Spannung. Deine Ansteuerung ist daher etwas fragwürdig.
Deine Schaltung wird so nie funktionieren, da die Massebezüge zw. Eingang und Ausgang vollkommen falsch sind. Ein Transistor ist kein Relais, bei dem man Ein- und Ausgang bezüglich Bezugssystem vollkommen getrennt betrachten kann. Ein Transistor, bzw. hier Mosfet, möchte gegenüber Source eine bestimmte Gatespannung sehen, damit er was sinnvolles macht. Bei N-Kanal will er also eine positive Ugs sehen, auch im Reversebetrieb. Du hast aber die Ausgangsseitge Masse eher auf Drainseite, so daß deine Gatespannung eher als Gate-Drain-Spannung erscheint, und Source gegenüber Gate ziemlich undefiniert erscheint, bzw. Ugs eher negative Werte bekommt (bzw. nur knapp in positive Regionen kommen kann). Also wird er hier nie einschalten. Du müsstest also die Masse auf Ausgangsseite an Source klemmen, und nicht zw. Drain bzw R4 und Spannungsquelle. Next: wieso willst Du den Mosfet für Heizzwecke überhaupt invers betreiben. Macht in meinen Augen überhaupt keinen Sinn, wenn Du nur heizen willst. Next: um eine definierte HEizleistung im Mosfet zu erhalten, funktioniert das mit dieser Schaltung auch nicht zuverlässig, und auch nicht vorhersehbar. Denn man kann einen Transistor nicht einfach anhand der typ. Datenblattangaben (auf denen wohl auch die Simulation basiert) genau im Arbeitpunkt ansteuern, und hoffen, daß er das dann auch temperaturunabhängig, Exemplarabhängig usw. immer so weitermacht. Aufgrund von solchen Störeinflüssen muß man die Sache regeln, nicht steuern. Du brauchst also eine Regelschaltung, die die Leistung im Transistor regelt. Ich würde die Rs rausschmeißen, und mit einem OPV eine Stromregler ( Konstantstromquelle ) bauen, dessen "Last" einfach ein Kurzschluß ist (und der Spannungsabfall über den nötigen Shunt-R sollte möglichst minimal sein, damit das meiste der Speisespannung über dem Mosfet abfällt). Das sollte dann für die genannten Ansprüche genau genug sein.
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Anonym. schrieb: > Lothar M. schrieb: >> Welche? > Beigefügte LTSpice.jpg Du kannst dir die statische Leistung auch einfach anzeigen lassen, da musst du nichts großartig herumrechnen. Das mit der Ugs, die sich auf die Potentialdifferenz zwischen Gate und Source bezieht, wurde ja schon angesprochen. Insofern funktioniert deine Schaltung hier recht zufällig. >> Welchen Strom willst du denn da durchschicken? > ungefähr 5A Naja, auf der Ansteuerseite sind die 4,7 Ohm Widerstände mindestens um den Faktor 50...100 zu niederohmig. Anonym. schrieb: > als auch 3,3W am Widerstände [R4, R5]. Ja, jetzt ist das irgendwie logisch, oder nicht? Denn die beiden sind ja die einzigen Lastwiderstände hier. > Mit VDD=2V gibt es sowohl 3,7W Verlustleistung am MOSFET Und welche Ugs hast du in diesem Augenblick am Mosfet? Der wird so wie ich das sehe ja irgendwie nur ganz lausig durchgesteuert und hat deshalb statt des versprochenen 1 mOhm (bei Ugs=10V!!!) auch weit über 100 mOhm...
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Jens G. schrieb: > Ich würde die Rs rausschmeißen Ich würde den Mosfet rausschmeissen, und stattdessen "um ungefähr 3 bis 5 [W] Verlustleistung" zu erreichen, nur einen Widerstand verwenden.
> Mit VDD=2V gibt es sowohl 3,7W Verlustleistung am MOSFET
Ich bezweifle fast, daß diese überhaupt von der Steuerspannung abhängt,
denn selbst wenn der Mosfet nicht angesteuert wird, ergibt sich ja schon
ein Strom von vielleicht 5A durch dern Ausgangskreis, und bei
angenommenen 0,75V Uf der Bodydiode hätten wir ja schon ziemlich genau
3,7W am Mosfet. Nur wenn der Mosfet erfolgreich angesteuert werden
könnte (mit einer ausreichend pos. Ugs), könnte man die Leistung am
Mosfet verringern (an den Rs dagegen steigt sie).
Bei einer Sourcespannung (gegenüber Masse) von 2V, und Gatespannung von
2,5V bekäme man nur eine Ugs=+0,5V hin - da regt sich am Mosfet wohl
noch gar nix in seinem Kanal.
Ok, Sourcespannung ist eher so 1,35V, da ja durch den Bodydiodenstrom
bereits Spannungen an den Rs abfallen. Aber selbst die verbleibenden
Ugs=+1,15V wird wohl im Mosfet noch nichts anregen.
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2 Cent (Gast) schrieb: >Jens G. schrieb: >> Ich würde die Rs rausschmeißen >Ich würde den Mosfet rausschmeissen, und stattdessen "um ungefähr 3 bis >5 [W] Verlustleistung" zu erreichen, nur einen Widerstand verwenden. Ich wollte nur beim Wunsche des TO bleiben, mit dem Mosfet heizen zu dürfen ;-)
Anonym. schrieb: > Wie soll ich die > richtigen Werte auswählen, um ungefähr 3 bis 5 [W] Verlustleistung am > MOSFET zu kriegen, ohne dass viel Verluste am Widerstände hätten. Anonym. schrieb: > ungefähr 5A ...ergibt 6,25W Verlustleistung an beiden Widerstand. Um zu verkleinern, muß du Widerstand verkleinern oder? Was hast du eigentlich vor?
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OT SCNR Jens G. schrieb: > Ich wollte nur beim Wunsche des TO bleiben, mit dem Mosfet heizen zu > dürfen ;-) Selbsverständlich :D Ohh, Wärmequelle soll aber wohl die Bodydiode sein? Tany schrieb: > ...Um zu verkleinern, muß du Widerstand verkleinern... > Was hast du eigentlich vor? Auch heute wieder: Die erste vernünftige Frage im gesamten Thread wird erst im etwa zehnten Post "beiläufig erwähnt", und untergehen. ...und wird, wenn überhaupt, erst im zweiunddreissigstem Post beantwortet werden...LOL Wir brauchen ein Unterforum, in dem Echtzeitwetten auf einen Threadverlauf abgeschlossen werden können!
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Anonym. schrieb: > Wie soll ich die > richtigen Werte auswählen, um ungefähr 3 bis 5 [W] Verlustleistung am > MOSFET zu kriegen, ohne dass viel Verluste am Widerstände hätten
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gerne! Bei Mosfetchen mit kleier Gate-Ladung sparre ich aber gnadenlos.
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Hallo nochmal, vielen lieben Dank für eure Hilfe. Mein Ziel ist es, die erzeugte Wärme am Mosfet durch Vias zum Kühlkörper abzuleiten. Hiebei sind die Vias idealerweise direkt unter dem MOSFET platziert und ausschließlich zur Ableitung von Wärme vorgesehen. Laut Datenblatt ist maximale Power Dissipation 3.0 [W] (Note 2). Im Datenblatt (S.3) gibt es eine Schaltung (Fig. 6.2.1), die ich schon benutzt habe. Es gab aber ein Problem und zwar mit der Werte aus dem Datenblatt hab ich 1,2 [kW] Verlustleistung am RL!!! Deswegen hab ich gedacht, den Mosfet umgekehrt mit kleiner Strom betrieben. Nun hab ich meine alte Schaltung so geändert: V1 = 5V V2 = 3V R3 = 4,7 kOhm R4||R6 = 500 mOhm R5||R2 = 500 mOhm Dann ergibt sich: VGS: 3,15 V VDS: 700 mV ISD: 4,6 A P[Mosfet]: 3,2 W P[R2,R4,R5,R6]: 2,6 W Wird die Schaltung so funktioniert?! Im Datenblatt steht Vth= 2.0 to 3.0 V Gibt es im Markt kleine Widerstände [Gehäuse-Code], die 3[W] ertragen können. Oder habt ihr einen anderen Vorschlag für mich! :)
Anonym. schrieb: > Oder habt ihr einen anderen Vorschlag für mich! :) Ehrlich gesagt, ich bin zu dumm. Ich begreife nicht, was das sein sollen. Bin raus!
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Anonym. schrieb: > Mein Ziel ist es, die erzeugte Wärme am Mosfet durch Vias zum Kühlkörper > abzuleiten. Das ist nicht sehr gut verständlich. Geht es dir evt. darum, die Wärmeabfuhr des FET nachzumessen (ggf. bei verschiedenen Platinenversionen)? Und willst du deswegen eine bestimmte Heizleistung von einigen W im FET verheizen? Falls das dein Ziel ist, dann: Anonym. schrieb: > Oder habt ihr einen anderen Vorschlag für mich! :) Hänge den FET an eine Spannungsquelle (ohne bzw. mit vernachlässigbarem RL) und stelle die Gate-Spannung so ein, dass sich gerade die gewünschte Heizleistung ergibt.
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Anonym. schrieb: > Wird die Schaltung so funktioniert?! > Im Datenblatt steht Vth= 2.0 to 3.0 V Nein, da "funktioniert" nichts. Auch wenn der Mosfet richtig geschaltet wäre, was soll eigentlich die Funktion sein?
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Achim S. schrieb: > Das ist nicht sehr gut verständlich. Geht es dir evt. darum, die > Wärmeabfuhr des FET nachzumessen (ggf. bei verschiedenen > Platinenversionen)? Und willst du deswegen eine bestimmte Heizleistung > von einigen W im FET verheizen? Ja genau ist das mein Ziel! :) Ich wollte auch verschiedene Vias-Anordnungen betrachten. > Hänge den FET an eine Spannungsquelle (ohne bzw. mit vernachlässigbarem > RL) und stelle die Gate-Spannung so ein, dass sich gerade die gewünschte > Heizleistung ergibt. Wenn ich auf RL verzichte, kann den Mosfet ohne RL dauerhaft betrieben?!
Anonym. schrieb: > VGS: 3,15 V Was steht denn dazu im Datenblatt? Richtig: diese mickrige Ugs ist da überhaupt nicht spezifiziert, die Diagramme fangen erst bei 4V an... > Mein Ziel ist es, die erzeugte Wärme am Mosfet durch Vias zum Kühlkörper > abzuleiten. Bei diesem Mosfet muss nichts abgeleitet werden, wenn man ihn richtig einschaltet. Falls es noch nicht ganz bis zu dir durchgedrungen ist: die eigentliche Frage ist, WAS denn diese seltsame Schaltung überhaupt machen soll? WO wird sie eingesetzt WOFÜR eingesetzt? EDIT: Hoppla, Überschneidung... >> Und willst du deswegen eine bestimmte Heizleistung von einigen W im FET >> verheizen? > Ja genau ist das mein Ziel! :) Das hätte schon vor ein paar Stunden kommen können. Anonym. schrieb: > Wenn ich auf RL verzichte, kann den Mosfet ohne RL dauerhaft betrieben?! Im Prinzip ja. Allerdings ist das Ganze eben extrem temperaturabhängig. Siehe dazu die Bilder 8.9 bis 8.11 im Datenblatt. Ich würde da den Strom extern begrenzen (Stichwort Konstantstromquelle) und einfach nur die Spannung über dem Mosfet regeln. Dann lassen sich auch weentlich griffigere Werte verwenden. Wenn du da z.B. 1 A extern reinlässt und die Spannung über dem Mosfet auf 3V regelst, dann hast du auch deine 3W, ohne gleich mit diesen hohen Strömen und kleinen Spannungen herumhampeln zu müssen.
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Sven S. schrieb: > Nein, da "funktioniert" nichts. Weil der VGS größer als 3 [V] ist oder was?! > Auch wenn der Mosfet richtig geschaltet wäre, > was soll eigentlich die Funktion sein? Der MOSFET soll dauerhaft mit >> 3[W] betrieben!
Anonym. schrieb: > Der MOSFET soll dauerhaft mit >> 3[W] betrieben! Da hat Tany weiter oben schon die richtige Schaltung gepostet. Hier fliegen Dir die gebratenen Tauben doch in den Mund. Nur kauen und runterschlucken mußt Du selber.
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Lothar M. schrieb: > Was steht denn dazu im Datenblatt? > Richtig: diese mickrige Ugs ist da überhaupt nicht spezifiziert, die > Diagramme fangen erst bei 4V an... Sieh bitte Fig. 8.12 - Bei Ta = 25 °C ist Vth = 2,5 [V] > Bei diesem Mosfet muss nichts abgeleitet werden, wenn man ihn richtig > einschaltet. > Falls es noch nicht ganz bis zu dir durchgedrungen ist: die eigentliche > Frage ist, WAS denn diese seltsame Schaltung überhaupt machen soll? WO > wird sie eingesetzt WOFÜR eingesetzt? Mein Thema ist ''Optimierung der thermischen Entwärmung eines MOSFET's durch den Vias'' Deswegen will ich am MOSFET eine bestimmte Leistung >PD verheizen.
>benutzt habe. Es gab aber ein Problem und zwar mit der Werte aus dem >Datenblatt hab ich 1,2 [kW] Verlustleistung am RL!!! >Deswegen hab ich gedacht, den Mosfet umgekehrt mit kleiner Strom >betrieben. Da mußt Du erstmal erklären, wie Du auf 1,2kW kommst (unrealistisch), und weshalb der Inversbetrieb dagegen helfen soll. Ergibt überhaupt keinen Sinn. >Wird die Schaltung so funktioniert?! Nein. Zumindest nicht in sinnvoller Art und Weise. Warum nicht so machen, wie Tany dies zeigt? Ist nämlich genau das, was ich schon mit Worten vorschlug. Da läßt sich ganz einfach und vergleichsweise genau über V2 der Strom durch den Mosfet einstellen, welcher durch die Schaltung konstant gehalten wird. Der Strom bzw. die verbratene Leistung ist dabei bis auf paar Prozent Abweichung linear zur V2-Spannung.
Sven S. schrieb: > Hier fliegen Dir die gebratenen Tauben doch in den Mund. Die Leistung im Mosfet ist da in der Realität dank der erwähnten Temperaturabhängigkeiten bloß blöderweise nicht konstant und bedarf ständigen Messens und Nachregelns an V1.
Sven S. schrieb: > Anonym. schrieb: >> Der MOSFET soll dauerhaft mit >> 3[W] betrieben! > > Da hat Tany weiter oben schon die richtige Schaltung gepostet. > Hier fliegen Dir die gebratenen Tauben doch in den Mund. > Nur kauen und runterschlucken mußt Du selber. Auch hab ich gerade es gesehen! Danke Tany! :)
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Jens G. schrieb: > Da mußt Du erstmal erklären, wie Du auf 1,2kW kommst (unrealistisch), Das ist die Testschaltung im Datenblatt: 0,33Ohm an 20Volt.
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Jens G. schrieb: > Da mußt Du erstmal erklären, wie Du auf 1,2kW kommst (unrealistisch), > und weshalb der Inversbetrieb dagegen helfen soll. Ergibt überhaupt > keinen Sinn. Das war die Testschaltung im Dattenblatt [Fig. 6.2.1] > weshalb der Inversbetrieb dagegen helfen soll. Damit kann ich mit 5 [A] eine Leistung von 3,5 [W] am MOSFET haben!
Anonym. (anonym)
>Sieh bitte Fig. 8.12 - Bei Ta = 25 °C ist Vth = 2,5 [V]
Ja, für 0,5mA typ. Könnte aber auch erst bei 3V liegen, wie Tabelle 6.1
verrät. Aber Du willst ja paar A verheizen, da brauchste dann noch 1V
mehr oder so.
Aber egal, diese Werte sind alle temperaturabhängig, der Strom wird Dir
also nach einschalten durch die Mosfeterwärmung kräftig weglaufen. Und
auch die typ. Kaltwerte lt. DB werden bei den meisten Exemplaren eher
nicht genau zutreffen. Deswegen ist es Quatsch, solch ein Vorhaben ohne
Regelung zu versuchen, genau so, wie es Quatsch ist, den Mosfet dafür
invers zu betreiben (habe bis jetzt noch keinen Sinn dafür gesehen), und
die Drainseite statt Source auf Masse zu klemmen (das könnte sogar, je
nach Dimensionierung, sogar in eine Mitkopplung ausarten, der Mosfet
also immer voll durchgeschaltet, oder voll aus ist, und nix dazwiwschen,
auser die Uf der Bodydiode).
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Lothar M. (lkmiller) (Moderator) schrieb: >Sven S. schrieb: >> Hier fliegen Dir die gebratenen Tauben doch in den Mund. >Die Leistung im Mosfet ist da in der Realität dank der erwähnten >Temperaturabhängigkeiten bloß blöderweise nicht konstant und bedarf >ständigen Messens und Nachregelns an V1. Aber nicht in der vorgeschlagenen Schaltung, die soll ja genau das automatisch machen. Anonym. (anonym) schrieb: >Jens G. schrieb: >> Da mußt Du erstmal erklären, wie Du auf 1,2kW kommst (unrealistisch), >> und weshalb der Inversbetrieb dagegen helfen soll. Ergibt überhaupt >> keinen Sinn. >Das war die Testschaltung im Dattenblatt [Fig. 6.2.1] Ja, die ist ja auch nur für den Schaltbetrieb gedacht, kann aber auch für den Analogbetrieb so eingestellt werden, daß die gewünschte Leistung am Mosfet entsteht (und dazu braucht man den RL auch nicht mehr). Die Schaltung von Tany macht da nix anderes. Aber was der Inversbetrieb da helfen soll, habe ich aber immer noch nicht begriffen.
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Jens G. schrieb: > Aber egal, diese Werte sind alle temperaturabhängig, Das ist egal, wenn er die Schaltung von Tany verwendet. Für die braucht man auch keinen teuren LT1797, sondern kann den guten alten LM358 verwenden. Auch wäre es am besten, als Betriebsspannung 12Volt zu verwenden, und die Widerstandswerte zu erhöhen.
Anonym. schrieb: > Gibt es im Markt kleine Widerstände [Gehäuse-Code], die 3[W] ertragen > können. > > Oder habt ihr einen anderen Vorschlag für mich! :) Schau dir mal die Serie an: https://www.bourns.com/docs/Product-Datasheets/PWR163.pdf Das sind Widerstände im D²-Pack. Viele MOSFET kommen im gleichen Gehäuse. Sie können theoretisch 25W (Sehr theoretisch). Für 5W sind sie perfekt, vorausgesetzt du machst ein gutes Layout. Wir verwenden sie als Prüflasten in Testadaptern. Sie sind relativ robust, und recht gut zu bekommen.
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Jens G. schrieb: > Aber Du willst ja paar A verheizen, da brauchste dann noch 1V mehr oder so. Nein, er will eine bestimmte Leistung im Chip erzeugen. Und wie gesagt: der schlechteste Ansatz dafür ist "niedrige Spannung mal hoher Strom". Dafür muss man den Mosfet natürlich "richtig herum" betreiben. Jens G. schrieb: > Aber was der Inversbetrieb da helfen soll, habe ich aber immer noch > nicht begriffen. Im Inversbetrieb könnte man es noch einfacher ansetzen: einfach einen Konstantstrom über die Bodydiode des ausgeschalteten (G und S gebrückt) Mosfets fließen lassen und den so lange hochdrehen, bis U*I die gewünschte Leistung ergibt. Denn es ist ja schnurzegal, wie die Wärme im Mosfet erzeugt wird... soso... schrieb: > Schau dir mal die Serie an: > https://www.bourns.com/docs/Product-Datasheets/PWR163.pdf > Das sind Widerstände im D²-Pack. Blöderweise gibts das offenbar nicht im SOP Advanced Gehäuse des Mosfets. Damit wäre die Sache am einfachsten. ;-)
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Sven S. (schrecklicher_sven) schrieb: >Jens G. schrieb: >> Aber egal, diese Werte sind alle temperaturabhängig, >Das ist egal, wenn er die Schaltung von Tany verwendet. Sag ich doch schon die ganze Zeit ...
soso... schrieb: > Schau dir mal die Serie an: > https://www.bourns.com/docs/Product-Datasheets/PWR163.pdf Danke für deinen Vorschlag... :)
Lothar M. (lkmiller) (Moderator) schrieb: >Jens G. schrieb: >> Aber Du willst ja paar A verheizen, da brauchste dann noch 1V mehr oder >so. >Nein, er will eine bestimmte Leistung im Chip erzeugen. Und wie Nein, er möchte Energieformen ineinander umwandeln - Mensch, sind wir hier schon wieder beim Krümelkacken?
Lothar M. schrieb: > Jens G. schrieb: >> Aber Du willst ja paar A verheizen, da brauchste dann noch 1V mehr oder so. > Nein, er will eine bestimmte Leistung im Chip erzeugen. Und wie > gesagt: der schlechteste Ansatz dafür ist "niedrige Spannung mal hoher > Strom". Dafür muss man den Mosfet natürlich "richtig herum" betreiben. ja genau! :) > Jens G. schrieb: >> Aber was der Inversbetrieb da helfen soll, habe ich aber immer noch >> nicht begriffen. > Im Inversbetrieb könnte man es noch einfacher ansetzen: einfach einen > Konstantstrom über die Bodydiode des ausgeschalteten (G und S gebrückt) > Mosfets fließen lassen und den so lange hochdrehen, bis U*I die > gewünschte Leistung ergibt. > > Denn es ist ja schnurzegal, wie die Wärme im Mosfet erzeugt wird... Danke dass du meine Wörter besser erklärt hast! ;)
Jens G. schrieb: > Lothar M. (lkmiller) (Moderator) schrieb: > >>Jens G. schrieb: >>> Aber Du willst ja paar A verheizen, da brauchste dann noch 1V mehr oder >so. >>Nein, er will eine bestimmte Leistung im Chip erzeugen. Und wie > > Nein, er möchte Energieformen ineinander umwandeln - Mensch, sind wir > hier schon wieder beim Krümelkacken? Nein, ich will der MOSFET dauerhaft mit >3 [W] betrieben! Dann die erzeugte Wärme am FET mithilfe von VIA's ableiten!
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Jens G. schrieb: > Sven S. (schrecklicher_sven) schrieb: > >>Jens G. schrieb: >>> Aber egal, diese Werte sind alle temperaturabhängig, > >>Das ist egal, wenn er die Schaltung von Tany verwendet. > > Sag ich doch schon die ganze Zeit ... Hab schon die Schaltung von Tany verwendet! Könnt ihr mir bitte die Funktionsweise der Schaltung erklären?!
Jens G. schrieb: > Sven S. (schrecklicher_sven) schrieb: >> Jens G. schrieb: >>> Aber egal, diese Werte sind alle temperaturabhängig, >> Das ist egal, wenn er die Schaltung von Tany verwendet. > Sag ich doch schon die ganze Zeit ... Ja, als Denkanstoß: weil der Rds und damit die Uds auch temperaturabhängig ist, ist eben die umgesetzte Leistung auch temperaturabhängig. Anonym. schrieb: > Hab schon die Schaltung von Tany verwendet! Die regelt aber eben nicht die Leistung sondern den Strom. Das kann ein Labornetzgerät auch. > Hab schon die Schaltung von Tany verwendet! Ja, in der simulation. Aber bau die mal in der Realität auf. Die Erzeugung der 50mV Referenzspannung würde mich abgesehen von den anderen bereitzustellenden Spannungen interessieren. Anonym. schrieb: > Könnt ihr mir bitte die Funktionsweise der Schaltung erklären?! Such mal nach "Konstantstromquelle mit Mosfet". https://www.google.com/search?q=konstantstromquelle+mit+mosfet Kurz: der OP versucht, durch Manipulation an der Gatespannung über dem 10mOhm Widerstand eine Spanung von 50mV zu einzuregeln. Wenn er es schafft dann fließen da 50mV/10mOhm = 5A.
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Lothar M. schrieb: > Ja, als Denkanstoß: weil der Rds und damit die Uds auch > temperaturabhängig ist, ist eben die umgesetzte Leistung auch > temperaturabhängig. Ja genau! > Ja, in der simulation. Aber bau die mal in der Realität auf. Die > Erzeugung der 50mV Referenzspannung würde mich abgesehen von den anderen > bereitzustellenden Spannungen interessieren. Hätte mir auch gedacht, wie ich im Labor 50mV erzeugen kann! > Such mal nach "Konstantstromquelle mit Mosfet". > https://www.google.com/search?q=konstantstromquelle+mit+mosfet > Kurz: der OP versucht, durch Manipulation an der Gatespannung über dem > 10mOhm Widerstand eine Spanung von 50mV zu einzuregeln. Wenn er es > schafft dann fließen da 50mV/10mOhm = 5A. Danke schön! :) Welche Schaltung soll ich endlich verwenden, um meine Ziele schneller und einfacher zu erledigen?! 1)Testschaltung mit vernachlässigbarem RL aus Datenblatt. [Fig. 6.2.1] 2)Schaltung mit Inversbetrieb aber mit richtigen Widerstände! 3)Schaltung von Tany
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Lothar M. schrieb: Ich würde da den Strom extern > begrenzen (Stichwort Konstantstromquelle) und einfach nur die Spannung > über dem Mosfet regeln. Dann lassen sich auch weentlich griffigere Werte > verwenden. Wenn du da z.B. 1 A extern reinlässt und die Spannung über > dem Mosfet auf 3V regelst, dann hast du auch deine 3W, ohne gleich mit > diesen hohen Strömen und kleinen Spannungen herumhampeln zu müssen. Ich hatte schon die Schaltung mit Stromquelle simuliert aber der Labor-Assistant meinte, kann ein riesige Überstrom wegen der Kondensatoren am Netzteil passiert!
Anonym. schrieb: > Hab schon die Schaltung von Tany verwendet! > Könnt ihr mir bitte die Funktionsweise der Schaltung erklären?! Offenbar studierst Du Elektrotechnik oder ein verwandtes Fach. Dann solltest Du auch in der Lage sein, Dir die Funktionsweise einer recht einfachen vorgegebenen Schaltung selbst zu erarbeiten. Es gibt überhaupt keinen Grund, Dir auch noch diesen Teil DEINER Aufgabe abzunehmen. Wenn Dir bisher immer Mutti die Schuhe zugebunden hat, soll sie Dir auch die Aufgabe erklären. Auf jeden Fall ist es unverantwortlich, solche Leute mit einem Hochschulabschluss auszustatten und auf den Arbeitsmarkt loszulassen. Wenn Du es nicht schaffen solltest, Dir die Funktion der Schaltung selbst zu erarbeiten, solltest Du das Studium abbrechen und lieber Ponys streicheln oder auf dem Bau arbeiten.
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Anonym. schrieb: > Ich hatte schon die Schaltung mit Stromquelle simuliert aber der > Labor-Assistant meinte, kann ein riesige Überstrom wegen der > Kondensatoren am Netzteil passiert! Schick ihn zum Bierholen. Zu mehr taugt er nicht.
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Hallo allerseits, Welche Schaltung soll ich endlich verwenden, um meine Ziele schneller und einfacher zu erledigen?! :/ 1)Testschaltung mit vernachlässigbarem RL aus Datenblatt. [Fig. 6.2.1] 2)Schaltung mit Inversbetrieb aber mit richtigen Widerständen! 3)Schaltung von Tany Danke für eure Hilfe.
4. Mit einem der FETs eine solche (von Tany vorgeschlagene) Stromquelle bauen, bei der ein_zweiter_solcher den Shunt bildet (+ zweiter OPV)
Wenn es dich nicht gar so verwirrt, nimm einen Transistor. Über den Basiswiderstand lässt es sich einfacher einstellen als über das Spannungsgewusel beim FET. Die Auswirkung ist gleich.
vielleicht ja am besten schrieb: > 4. Mit einem der FETs eine solche (von Tany vorgeschlagene) > Stromquelle bauen, bei der ein_zweiter_solcher den Shunt bildet > (+ zweiter OPV) Warum soll ich so kompliziert machen! :/
michael_ schrieb: > Wenn es dich nicht gar so verwirrt, nimm einen Transistor. > Über den Basiswiderstand lässt es sich einfacher einstellen als über das > Spannungsgewusel beim FET. > Die Auswirkung ist gleich. Ich muss unbedingt diese bestimmte MOSFET's vom Toshiba verwenden!
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