Hey Leute, ich würde gerne parallel verschaltete N-FET "langsam" einschalten. Mit langsam meine ich einstellbar zwischen 0,1-1,0ms zwischen sperrend und leitend bzw. umgekehrt. Wie stelle ich das am besten an? Nur mit dem spielen des Gate-Vorwiderstands zwischen Treiber (z.B. MIC4424 o.Ä.) und FET wird es sicherlich nicht zuverlässig funktionieren! Ich denke ich muss da sicherlich einen "Treiber" selber kreieren. Auch das ich vermutlich für jeden FET der Parallelschaltung einen eigenen Treiber vorsehen muss, da ich ihn ja zunächst linear treibe und das nunmal nicht parallel klappt. Hat da jemand eine Idee für mich, wie die Treiberstufe idealerweise aussehen sollte? Ich kann für die Zeitvorgabe eine analoge Spannung per DAC vorgeben, das eigentliche Ein- bzw. Abschalten soll aber rein digital erfolgen. Spezial für die Zeiteinstellung habe ich keine Idee. Analoge Treiber habe ich ansonsten schon für el. Lasten mit IRFP240 gebaut, die selbst nach Jahren noch funktionieren.
1,36 PS schrieb: > ich würde gerne parallel verschaltete N-FET "langsam" einschalten. Mit > langsam meine ich einstellbar zwischen 0,1-1,0ms zwischen sperrend und > leitend bzw. umgekehrt. Ganz blöde Idee, das erfordert erhebliche Sourcewiderstände zur einigermaßen gleichmäßigen Aufteilung des Stroms. Weshalb willst du so langsam schalten?
hinz schrieb: > Ganz blöde Idee, das erfordert erhebliche Sourcewiderstände zur > einigermaßen gleichmäßigen Aufteilung des Stroms. Ich weiß, darum sagte ich ja schon, das jeder FET einen Treiber benötigen wird. hinz schrieb: > Weshalb willst du so langsam schalten? Weil ich gigantöse Induktivitäten habe, die schnelles zu- und abschalten einen mit netten Spannungsspitzen bedanken
1,36 PS schrieb: > Weil ich gigantöse Induktivitäten habe, die schnelles zu- und abschalten > einen mit netten Spannungsspitzen bedanken Irgendwann habe ich mal beigebracht bekommen, dass das beim EINschalten genau nicht passiert. wendelsberg
1,36 PS schrieb: > hinz schrieb: >> Weshalb willst du so langsam schalten? > > Weil ich gigantöse Induktivitäten habe, die schnelles zu- und abschalten > einen mit netten Spannungsspitzen bedanken Du hast noch vergessen zu erwähnen, warum die günstige Standardlösung "Diode" nicht funktioniert.
Jemand schrieb: > Du hast noch vergessen zu erwähnen, warum die günstige Standardlösung > "Diode" nicht funktioniert. Ich muss um die 200A schalten... Wenn die Induktivität abschaltet bekomme ich irrsinnige Ströme und Spannungen zustande ich habe Dioden drin aber die will ich schonen. Die Dioden sind MBR20100CT die reichen zumeist nicht und schlagen durch.
Und Du meinst, die NFETs können die Induktionsenergie besser absorbieren als die Dioden? was für NFETs für 200A sollen das eigentlich sein?
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1,36 PS schrieb: > Ich muss um die 200A schalten... Wenn die Induktivität abschaltet > bekomme ich irrsinnige Ströme Der Strom wird nicht höher. Er sucht sich halt seinen Weg. Die in der Induktivität gespeicherte Energie im Schalttransistor zu vernichten, ist nicht der beste Weg.
Hallo, > 1,36 PS schrieb: > ich würde gerne parallel verschaltete N-FET "langsam" einschalten. Mit > langsam meine ich einstellbar zwischen 0,1-1,0ms zwischen sperrend und > leitend bzw. umgekehrt. Ja, aber auf was soll sich das langasm beziehen? -> Flankensteilheit Steuersigan U_gs oder -> Übergangsbereich auf Lastseite (Innenwiderstand Drain-Source)? > Wie stelle ich das am besten an? Nur mit dem spielen des > Gate-Vorwiderstands zwischen Treiber (z.B. MIC4424 o.Ä.) und FET wird es > sicherlich nicht zuverlässig funktionieren! Einfachste Möglichkeit ist immer ein Tiefpass (R-C-Glied). Für das C sollte gelten C >> C_gate, damit Typ und Expamplarschwankungen keinen relevanten Einfluß bekommen. Das gibt aber üblicherweise eine Exponentialfunktion als Flanke. https://www.elektronik-kompendium.de/sites/grd/0205301.htm Für eine FET-Steuerung sollte das aber kein so großes Problem sein, weil der Übergangsbereich im mittleren Bereich der Kennlinie (20...80%) nicht so stark nichtlinear ist. > Ich denke ich muss da sicherlich einen "Treiber" selber kreieren. "Treiber" ist an dieser Stelle ein großes Wort. Was soll es den werden? Ist mal geheim! > Auch > das ich vermutlich für jeden FET der Parallelschaltung einen eigenen > Treiber vorsehen muss, da ich ihn ja zunächst linear treibe und das > nunmal nicht parallel klappt. Warum nicht? Bei FET gleichen Typs und möglichst gleicher Charge sehe ich da kein so großes Problem. Eine Entkopplung der Gates ist aber auch nicht verkehrt. > Hat da jemand eine Idee für mich, wie die Treiberstufe idealerweise > aussehen sollte? Ich kann für die Zeitvorgabe eine analoge Spannung per > DAC vorgeben, das eigentliche Ein- bzw. Abschalten soll aber rein > digital erfolgen. Und wozu brauchst du den DAC. Soll die Flankenanstiegszeit einstellbar sein? Dann nimm den DAC als Sollwertgeber, um damit eine Stromquelle zu steuern, welche einen Kondensator auflädt bzw. auch entlädt. Dann kannst du mit dem Konstantstrom eine linear ansteigende Spannung erzeugen und diese sehr gut steuern. https://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/dreieckg.htm Gruß Öletronika
Dass die FETs das eher weniger mögen wurde ja schon gesagt. Ansonsten hilft alles, was die Spulenspannung auf einen akzeptablen Wert beschränkt. Ideen: * eine Z-Diode zwischen Gate und Drain. * Eine Miller-Kapazität zwischen Gate und Drain. (Zusammen mit dem Gate-Treiber kannst du so dU/dT kontrollieren) * ein extra FET mit Widerstand, den man etwas später abschaltet.
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1,36 PS schrieb: > Die Dioden sind MBR20100CT die reichen > zumeist nicht und schlagen durch. Du brauchst sowas, siehe Bild.
Sven S. schrieb: > Die in der Induktivität gespeicherte Energie im Schalttransistor zu > vernichten, ist nicht der beste Weg. Es muss natürlich heißen: Mit der gespeicherten Energie den Transistor zu vernichten....
Hallo, leider habe ich die Antworten nicht erst gelesen, sonst hätte ich auch gleich andere Lösungen vorgeschlagen. > Sven S. schrieb: >> Die Dioden sind MBR20100CT die reichen >> zumeist nicht und schlagen durch. Einerseits weiß er, dass er "gigantöse" Induktivitäten hat, aber dann sollen so puppsige Diödchen die Energie abfangen. Als Alternative jetzt die FET im Linearbetrieb zu verheizen ist dann wohl eher keine Lösung. > Du brauchst sowas, siehe Bild. Eben, da gibt es dann auch Dioden, die er überhaupt nicht kaputt bekommen kann weil die für die paar ms auch 10kA und mehr aushalten können. Gruß Öletronika
1,36 PS schrieb: > Ich muss um die 200A schalten... Wenn die Induktivität abschaltet > bekomme ich irrsinnige Ströme und Spannungen zustande ich habe Dioden > drin aber die will ich schonen. Die Dioden sind MBR20100CT die reichen > zumeist nicht und schlagen durch. Entsprechend ausgelegt gehen auch Dioden i.d. Regel nicht kaputt. MBR20100CT hat einen repetitive Peak Current von 20A. Du hast 200A. Was hast du getan, um diesen Strom auf mehrere Dioden zu verteilen? Die analoge Überlegung gilt natürlich auch für die FETs. Da will der Strom auch irgendwie verteilt werden. "Kräftig überdimensionieren und hoffen" hilft, garantiert aber nichts.
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