https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A100/DS_BCV47_NXP.pdf Hallo zusammen, ich habe eine ziemlich blöde Frage aber ist stehe gerade auf dem Schlauch. Die VBE sat Spannung dieses Transistors beträgt maximal 1,5V. Ist das der Wert, ab dem der Transistor auf jeden Fall übersteuert ist, oder darf man schlicht und ergreifend nicht mehr als 1,5V auf die Basis geben?
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Nic schrieb: > Die VBE sat Spannung dieses Transistors beträgt > maximal 1,5V. Ist das der Wert, ab dem der Transistor auf jeden Fall > übersteuert ist, oder darf man schlicht und ergreifend nicht mehr als > 1,5V auf die Basis geben? BE ist ne Diode! Die ~1,5V fallen an dieser ab, wenn der max. zulässige Strom in o. aus (npn;pnp) der Basis fließt.
Das ist die Spannung, die sich an der Basis-Emitter-Strecke einstellt, wenn man einen solchen Strom in die Basis einspeist, dass der Transistor bei der Meßbedingung z.B. (Ic=50mA, Ib =5mA) an der Kollektor-Emitter-Strecke gesättigt ist.
ArnoR schrieb: > dass der Transistor > bei der Meßbedingung Das trifft's dann doch genauer, statt einfach I-max anzunehmen. :/
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Nic schrieb: > oder darf man schlicht und ergreifend nicht mehr als 1,5V auf die Basis > geben? Du darfst sosieso nicht harte 1.5V an die Basis geben. Es fliesst dann je nach Temperatur und Exemplar mehr Strom von B nach E als der Transistor überlebt. 1.5V heisst, die Spannung an B wird nicht mehr als 1.5V über der von E liegen, wenn ein zur Sättigung ausreichender (also C/10, z.B. 50mA für 500mA Kollektorstrom) nötige Strom hineinfliesst. Der muss aber aus einer Stromquelle stammen oder per Vorwiderstand begrenzt werden.
MaWin schrieb: > Du darfst sosieso nicht harte 1.5V an die Basis geben. > ..... Hast Recht, da fehlt wirklich noch viel Wissen. Falls Dioden kein Rätsel mehr sind, dann hier anfangen: https://www.grund-wissen.de/elektronik/bauteile/transistor.html Ansonsten hier: https://www.grund-wissen.de/elektronik/bauteile/diode.html Und keine Scheu, das is nich soo kompliziert... solange man sie nur als Schalter nutzt.
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ArnoR schrieb: > Das ist die Spannung, die sich an der Basis-Emitter-Strecke einstellt, > wenn man einen solchen Strom in die Basis einspeist, dass der Transistor > bei der Meßbedingung z.B. (Ic=50mA, Ib =5mA) an der > Kollektor-Emitter-Strecke gesättigt ist. Laut Datenblatt VBEsatbase-emitter saturation voltageIC=100mA; IB=0.1mA−−1.5V
michael_ schrieb: > ArnoR schrieb: >> Das ist die Spannung, die sich an der Basis-Emitter-Strecke einstellt, >> wenn man einen solchen Strom in die Basis einspeist, dass der Transistor >> bei der Meßbedingung z.B. (Ic=50mA, Ib =5mA) an der >> Kollektor-Emitter-Strecke gesättigt ist. > > Laut Datenblatt > > VBEsatbase-emitter saturation voltageIC=100mA; IB=0.1mA−−1.5V Das passt schon da der BCV27 ein Darlingtontransistor ist. Bei Darlington-Transistoren hat man zwei Ube-Strecken da diese aus zwei hintereinander geschalteten Transistoren bestehen.
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