Gate-Kapazität vom (Leistungs-) MOSFET

Hallo,

die Gatekapazität (Ciss) setzt sich aus zwei Anteilen zusammen:
Ciss=Cgs+Cds, dabei ist vorallem die Kapazität Cds stark nichtlinear von 
der anliegenden Spannung abhängig. Die Änderung ist dabei stetig, sie 
tritt beim Millerplateau auf, weil beim Erreichen von diesem die 
Spannung Uds sich ändert.

Gruß Mosfet

Jo T. schrieb:

> ist es so, die Gate-Kapazität vom (Leistungs-)
> MOSFET sich beim Umschalten verändert?

Nein.
Das Dielektrikum ist i.d.R. SiO2; dessen DK ist nicht
spannungsabhängig.


> Hat dies mit dem sogenannten Miller Plateau zu tun?

Nein. Du zäumst das Pferd vom Schwanz her auf.

Die (statische) Gate-Kapazität ist eine Bauteileigenschaft,
die sich nicht ändert.

Für die Ansteuerung ist aber nicht die (statische) Gate-
Kapazität interessant, sondern die Eingangskapazität
der gesamten Transistorstufe.
Die wirksame Eingangskapazität der MOSFET-Schaltstufe
ist NICHT identisch mit der statischen Gate-Kapazität,
die man mit dem Multimeter messen kann.

Die wirksame Eingangskapazität der MOSFET-Schaltstufe
wird zu weiten Teilen von der Rückwirkung der geschalteten
Drainspannung über die Drain-Gate-Kapazität auf den
Eingang (den Gate-Anschluss) bestimmt -- und das ist
tatsächlich der Miller-Effekt.

Falk hat in dem Punkt Recht, dass es sinnvoller ist,
die notwendige Ladung anzugeben als die statische
Gate-Kapazität, die nicht sehr aussagekräftig ist.
Man sollte aber beachten, dass der Miller-Effekt von
der Höhe der geschalteten Spannung abhängt.