Hi, ist es so, die Gate-Kapazität vom (Leistungs-) MOSFET sich beim Umschalten verändert? Hat dies mit dem sogenannten Miller Plateau zu tun? Jo
Jo T. schrieb: > ist es so, die Gate-Kapazität vom (Leistungs-) MOSFET sich beim > Umschalten verändert? Hat dies mit dem sogenannten Miller Plateau zu > tun? Ja und Ja. Deshalb ist die Angabe der total gate charge meistens sinnvoller.
Gast
#5969488
Hallo, die Gatekapazität (Ciss) setzt sich aus zwei Anteilen zusammen: Ciss=Cgs+Cds, dabei ist vorallem die Kapazität Cds stark nichtlinear von der anliegenden Spannung abhängig. Die Änderung ist dabei stetig, sie tritt beim Millerplateau auf, weil beim Erreichen von diesem die Spannung Uds sich ändert. Gruß Mosfet
Gast
#5969507
Jo T. schrieb: > ist es so, die Gate-Kapazität vom (Leistungs-) > MOSFET sich beim Umschalten verändert? Nein. Das Dielektrikum ist i.d.R. SiO2; dessen DK ist nicht spannungsabhängig. > Hat dies mit dem sogenannten Miller Plateau zu tun? Nein. Du zäumst das Pferd vom Schwanz her auf. Die (statische) Gate-Kapazität ist eine Bauteileigenschaft, die sich nicht ändert. Für die Ansteuerung ist aber nicht die (statische) Gate- Kapazität interessant, sondern die Eingangskapazität der gesamten Transistorstufe. Die wirksame Eingangskapazität der MOSFET-Schaltstufe ist NICHT identisch mit der statischen Gate-Kapazität, die man mit dem Multimeter messen kann. Die wirksame Eingangskapazität der MOSFET-Schaltstufe wird zu weiten Teilen von der Rückwirkung der geschalteten Drainspannung über die Drain-Gate-Kapazität auf den Eingang (den Gate-Anschluss) bestimmt -- und das ist tatsächlich der Miller-Effekt. Falk hat in dem Punkt Recht, dass es sinnvoller ist, die notwendige Ladung anzugeben als die statische Gate-Kapazität, die nicht sehr aussagekräftig ist. Man sollte aber beachten, dass der Miller-Effekt von der Höhe der geschalteten Spannung abhängt.
Egon D. schrieb: > Man sollte aber beachten, dass der Miller-Effekt von > der Höhe der geschalteten Spannung abhängt. https://de.wikipedia.org/wiki/Millereffekt