Hallo zusammen, ich möchte mit einem Arduino NANO LEDs ansteuern (12V bis zu 2 Ampere) Dazu würde ich am liebsten einen Mosfet verwenden. Habt ihr zufällig einen passenden Mosfet im Hinterkopf, der mit 3,3V auszusteuern ist (100mOhm wären noch OK) Und, diese Mosfets sollte es möglichst bei Reichelt, Conrad Amazon und Konsorten bestellbar sein, damit es nicht so lange dauert. (also kein Import aus China oder so) Ich danke schon mal und viele Grüße Karli
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mir gefällt immer ein Photomos Relais besser, trennt die 12V vom Arduino und https://www.jameco.com/Jameco/Products/ProdDS/991220.pdf macht 2,5A bei 5mA an der IR
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Joachim B. schrieb: > mir gefällt immer ein Photomos Relais besser, > trennt die 12V vom Arduino Ich kenne und nutze PhotoMOS-Relays, aber: Wenn der Arduino-User nicht weiß was er tut, ist ein PhotoMOS die sichere Lösung. Wenn man unklare oder getrennte Massebezüge hat, ist PhotoMOS die beste oder einzig sinnvolle Lösung. In der Masse aller Anwendungen brauche ich die nicht, als LowSide-Schalter bin ich mit einem IRF3708 gut bedient, 14,5..29 mOhm @ 2,8 Volt UGS. Muss ich HighSide schalten, tut es ein fast beliebiger P-MOSFet mit einem BC_irgendwas davor - beides mehrfach aufgebaut. Karl-alfred R. muß bitte mal definieren, ob er Plus oder Ground schalten will.
Beitrag #5978178 wurde vom Autor gelöscht.
Hm, PhotoMOS macht hier wenig Sinn. Galvanische Trennung braucht man nicht, Wechselspannung auch nicht. Man findet wahrscheinlich passende Fets, aber nicht von Hause aus die guten alten npn-Transistoren aus den Augen verlieren. Ehemals Zetex, jetzt Diodes hat da einiges Interssantes im Programm. Niedrige Restspannung in Kombi mit hoher Stromverstärkung. Verfügbarkeit bei den genannten Versendern habe ich aber nicht überprüft :-)
H.Joachim S. schrieb: > Hm, PhotoMOS macht hier wenig Sinn. Galvanische Trennung braucht man > nicht, Wechselspannung auch nicht genauer DU brauchst das nicht, das gilt aber NICHT für JEDEN der anfängt zu Basteln, genug gestorbene Hardware sagt was anderes.
Das nennt sich dann Lernen und in der Folge Erfahrung :-)
Für die 2A tut es auch wunderbar ein IRLD024. DIL-Gehäuse lässt sich gut verarbeiten.
Brain 2.0 schrieb: > Für die 2A tut es auch wunderbar ein IRLD024. Der ist aber nur für Vgs=4,0V und Id=1,3A @Tj=25°C spezifiziert. Der Rest ist hoffen...
Dietrich L. schrieb: > Brain 2.0 schrieb: > Für die 2A tut es auch wunderbar ein IRLD024. > > Der ist aber nur für Vgs=4,0V und Id=1,3A @Tj=25°C spezifiziert. Der > Rest ist hoffen... Ok, sollte ich mich so getäuscht haben, das Datenblatt bei Reichelt (aus der Erinnerung) sagt was anderes. Ich setze den schon seit einigen Jahren für meine Led-Steuerung bei 2A ein. Mag sein, das es knapp ist, dann sollte der TO eine andere Wahl treffen.
Guten Morgen! Erst mal vielen Dank für Eure Antworten. Bis heute morgen dachte ich, diese Mosfets würden unterhalb einer gewissen Spannung gar nicht durchschalten und oberhalb einer bestimmten etwas höheren Spannung fast schon sprungartig auf den angebebenen RDSon springen. Und ich dachte Logic Level wäre 5V. Also müsste ein Logic-Level Mosfet meiner alten Meinung nach bis vielleicht 4,5V voll sperren und bei 5V voll durchschalten. Wenn ich die Datenblätter der verlinkten Transistoren richtig verstanden habe, scheinen die Transistoren schon bei sehr viel geringeren Spannung anzufangen kontinuierlich ihren RDSon zu reduzieren. Ich habe auch noch IRF540N hier liegen. Aber aus dem Datenblatt kann ich den RDS für eine Ansteuerspannung von 3V leider nicht herauslesen. Wenn dieser unter sagen wir mal 200 Milliohm wäre, könnte ich den verwenden. Ansonsten würde ich den oben vorgeschlagenen IRF3708 wählen, denn den habe ich gerade bei Reichelt für 99 Cent gefunden. Der ist zwar hoffnungslos überdimensioniert aber mir gefällt die Bauform To220 und für die paar Stück, die ich brauche, ist der Preis auch nebensächlich. Danke nochmals und viele Grüße Karl
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Karl-alfred R. schrieb: > Und ich dachte Logic Level wäre 5V. So viel ich weiß ist "Logic Level" bei MOSFEts gar nicht verbindlich definiert. > Also müsste ein Logic-Level Mosfet > meiner alten Meinung nach bis vielleicht 4,5V voll sperren und bei 5V > voll durchschalten. Nein. Die "Schaltschwellen" gibt es in dem Sinne gar nicht und ... > Wenn ich die Datenblätter der verlinkten Transistoren richtig verstanden > habe, scheinen die Transistoren schon bei sehr viel geringeren Spannung > anzufangen kontinuierlich ihren RDSon zu reduzieren. ...genau das ist der Fall. Und diese Kurven sind stark exemplarabhängig. Das sieht man z.B. an der "Gate Threshold Voltage" (das ist die Spannung am Gate, bei der der Transistor sicher sperrt) und ihrem großen Streubereich von "min" bis "max". > Ich habe auch noch IRF540N hier liegen. Aber aus dem Datenblatt kann ich > den RDS für eine Ansteuerspannung von 3V leider nicht herauslesen. Da kannst du aber herauslesen, dass er bei 3V nicht sicher einschaltet: "Gate Threshold Voltage max. = 4,0V". Sicheres Einschalten erkennt man (fast) nur an der Spezifikation von Rds(on). Daten für andere Arbeitspunkte kann man so halbwegs herausinterpretieren, wenn man die angegebenen Kurven (typische Werte!) entsprechend der Exemplarstreuung verschiebt.
Karl-alfred R. schrieb: > Wenn ich die Datenblätter der verlinkten Transistoren richtig verstanden > habe, scheinen die Transistoren schon bei sehr viel geringeren Spannung > anzufangen kontinuierlich ihren RDSon zu reduzieren. Fast richtig. Sie lassen am Ausgang einen gewissen Strom fließen, dessen Höhe von der Steuerspannung abhängt. mehr Spannung = mehr Strom. Die Angabe "Vgs Threshold" ist die Spannung, wo der Transistor so gerade eben beginnt, leitend zu werden. Wegen Exemplarstreuungen ist das immer ein Bereich von-bis, meistens mit ca. 1V Spannweite. In beinahe jedem Datenbaltt gibt es ein Diagramm, das auf der X-Achse Vgs darstellt und und der Y-Achse Ids. An diesem Diagramm kannst du ablesen, wie viel Laststrom der Transistor bei einer bestimmten Steuerspannung typischerweise fließen lässt. "typischerweise" bezieht sich auf die mittlere "Vgs Threshold". Die maximale Angabe für "Vgs Threshold" sagt Dir, wie viel Volt mehr eventuell nltig sind, als das Diagramm zeigt. Wenn da zum Beispiel steht: Vgs Threshold min=2V max=3V, dann bezieht sich das besagte Diagramm auf die Mitte dazwischen, also 2,5V. Nehmen wir mal an, du liest am Diagramm ab, dass du für den gewünschten Laststrom typischerweise 2,8V brauchst. Dann musst du noch 0,5V addieren, damit es auch im "max" Fall funktioniert. Mehr Spannung ist auf jeden Fall immer besser, um den Innenwiderstand RDSon zu senken.
Wieso überhaupt Nano und 3,3 Volt ?? Der Nano arbeitet üblicherweise (Datenblatt) mit 5 Volt, also auch eine Ansteuerung des Mosfet von 5 Volt.
Ups, arbeitet der Nano wirklich mit 5V? Irgendwo habe ich gelesen, er würde mit 3,3V arbeiten. Aber habe gerade bei Reichelt ins Datenblatt geschaut. Dort steht tatsächlich auch 5V als Versorgungsspannung. Demnach könnte ich ja wirklich meine IRF540N verwenden. Dennoch habe ich sehr viel über Mosfets in diesem Thread gelernt und kenne auch gleich einen geeigneten leicht verfügbaren, falls ich doch mal einen für 3,3V benötige. Danke an Euch alle!
Karl-alfred R. schrieb: > Ups, arbeitet der Nano wirklich mit 5V? Irgendwo habe ich gelesen, er > würde mit 3,3V arbeiten. Der USB-Port liefert fast 5V, der USB-UART liefert 5V Signale an RxD und TxD, und zumindest der Bootloader wird mit 16MHz getaktet, was mindestens 4V erfordert, wenn man sich an das Datenblatt hält. Wobei die Arduino Gemeinde das mit den 3,3V versus 5V sehr oft nicht so genau nimmt, besonders bei den Signalen. Stattdessen wird sich dann gewundert, warum die im Tutorial hoch gelobte Schaltung zum verrecken nicht funktionieren will. Oder je nach Mondphase mal gut, mal nicht.
Karl-alfred R. schrieb: > Demnach könnte ich ja wirklich meine IRF540N verwenden. Nein, auch bei Vgs=+5V bist du immer noch in Bereich "hoffen und beten".
Dietrich L. schrieb: > Nein, auch bei Vgs=+5V bist du immer noch in Bereich "hoffen und beten". Zumal aus einem Arduino selten wirklich volle 5V geliefert werden.
Dietrich L. schrieb: > Karl-alfred R. schrieb: > Demnach könnte ich ja wirklich meine IRF540N verwenden. > > Nein, auch bei Vgs=+5V bist du immer noch in Bereich "hoffen und beten". Ganz so ist es nicht. Der steuert u.U. nicht komplett durch, was zur Folge hat, der Mosfet wird warm, evtl. sehr warm und die Leds kommen nicht zu vollen Helligkeit. Hier wäre ein LogicLevel Mosfet deutlich besser.
Brain 2.0 schrieb: > Ganz so ist es nicht. > Der steuert u.U. nicht komplett durch, was zur Folge hat, der Mosfet > wird warm, evtl. sehr warm und die Leds kommen nicht zu vollen > Helligkeit. Ich weise auf das "u.U." hin. Genau das habe ich gemeint: Dietrich L. schrieb: > Nein, auch bei Vgs=+5V bist du immer noch in Bereich "hoffen und beten". Du weißt also nicht, wie genau das Verhalten sein wird. Bei Einzelanwendungen kann man das ausprobieren und eventuell feststellen: mit diesen Exemplar des MOSFET funktioniert es. Aber bei jedem Nachbau stellt sich die Frage erneut.
Sind nur 4 identische Schaltungen. Wenn da mal ein Transistor mehr Widerstand haben sollte, als die anderen, ist das auch nicht sooo schlimm. Der absolute Worstcase wäre ja, dass die volle Differenzspannung zwischen LED- und Batteriespannung am Transistor abfallen würde und das bei 2 Ampere. Dann müsste das Ding 10 Watt verbraten. Aber das ginge ja auch nur dann, wenn ich keinen Vorwiderstand davor hätte. Dann wird die Leistung nochmal dadurch halbiert, dass die LEDs blinken, als 50% der Zeit an und aus sind. Wie viel Wärmeleistung kann ein TO220 Gehäuse ohne Kühlung eigentlich los werden?
Karl-alfred R. schrieb: > Demnach könnte ich ja wirklich meine IRF540N verwenden. Vergiss ganz schnell, dass es einen IRF540 gibt. Wieso, verdammt und zugenäht, taucht der ständig bei den Hobbybastlern auf? Du musst im Datenblatt schauen, bei welcher Spannung Gate-Source ein bestimmter Drain-Source-Widerstand garantiert wird, die Ansprechspannung ("Threshold") ist für Anwendungen als Schalter uninteressant. Beim IRF540 geht das ab 10V UGS los, die hast Du nicht. Für den IRF3708 benennt das Datenblatt Werte ab 2,8 Volt UGS. In einem 5V-System hast Du mehr Wahlfreiheit, da käme ein IRLZ44 in Frage. Ich denke aber auch, dass Du mit dem IRF3708 recht universell bedient bist, habe ich hier in der Schublade, das ist kein Zufall. ------- Zum IRF540: Die Dinger haben wir früher in Audio-Leistungsverstärkern in Serie verbaut, im Gegensatz zu den LogicLevel-Typen ist der für Analoganwendungen gut geignet. Ich habe IRF540 in meinem Akkutester eingesetzt, in einem Bereich etwa 3,5..4,5V UGS als einstellbaren Widerstand. Um den bei höheren Lastströmen zu entlasten, schalte ich Leistungswiderstände dazu, das machen ein paar IRLZ44 - weil mein A*Nano die sauber definiert durchgesteuert bekommt.
Karl-alfred R. schrieb: > Wie viel Wärmeleistung kann ein TO220 Gehäuse ohne > Kühlung eigentlich los werden? Offen auf dem Tisch: ca 1W In einem Gehäuse eher weniger.
Ich verwende den ZXM61N02 für alle meine 3.3V Projekte. RDS(on) 0.24 Ω VGS=2.7V, ID=0.47A https://www.mouser.at/Search/Refine?Keyword=ZXM61N02 Für größer Ströme kann mit FET's parallel schalten.
GEKU schrieb: > mit FET's parallel schalten. >--------^--------------------- Siehe auch: http://www.deppenapostroph.info/
Stefanus F. schrieb: > Karl-alfred R. schrieb: >> Wie viel Wärmeleistung kann ein TO220 Gehäuse ohne >> Kühlung eigentlich los werden? > > Offen auf dem Tisch: ca 1W > > In einem Gehäuse eher weniger. Man kann bei TO220 mit ca. 65K/W Wärmewiderstand rechnen, also 1W geht auch im geschlossenen Gehäuse ;)
Stefanus F. schrieb: > M. K. schrieb: >> also 1W geht auch im geschlossenen Gehäuse > > Bis sich die Wärme darin gestaut hat. Nehmen wir mal an im Gehäuse wirds 60 Grad warm und wir verheizen 1W, bei den 65K/W wird die Sperrschicht dann grad mal 125 Grad heiß, das hält doch jeder Mosfet aus.
M. K. schrieb: > Nehmen wir mal an im Gehäuse wirds 60 Grad warm und wir verheizen 1W, > bei den 65K/W wird die Sperrschicht dann grad mal 125 Grad heiß, das > hält doch jeder Mosfet aus. Ja, MOSFET vertragen mehr Wärme, als bipolare Transistoren. Ich würde allerdings auch bedenken, wie sich die Wärme auf benachbarte Teile auswirkt - auch auf passive Kunststoffteile. Was ich baue, soll in der Regel länger als 2 Jahre halten.
Stefanus F. schrieb: > M. K. schrieb: >> Nehmen wir mal an im Gehäuse wirds 60 Grad warm und wir verheizen 1W, >> bei den 65K/W wird die Sperrschicht dann grad mal 125 Grad heiß, das >> hält doch jeder Mosfet aus. > > Ja, MOSFET vertragen mehr Wärme, als bipolare Transistoren. Ich würde > allerdings auch bedenken, wie sich die Wärme auf benachbarte Teile > auswirkt - auch auf passive Kunststoffteile. > > Was ich baue, soll in der Regel länger als 2 Jahre halten. Ach, jetzt sind auf einmal die benachbarten Bauteile das Problem und nicht mehr das TO220-Gehäuse an sich? Sorry, aber das klingt jetzt ein wenig danach, als ob du dich rausreden wolltest, denn ob ich die 1W am TO220-Gehäuse direkt umsetze oder auf das TO220-Gehäuse noch nen KK mit 15K/W schraube ist völlig wumpe. Man heizt dann trotzdem noch mit 1W. Und die Frage war schlichtweg wieviel Leistung man auf dem TO220-Gehäuse ohne KK verbraten kann. Mit den rund 1W bin ich ja bei dir, aber das würde ich nicht nur auf den offenen Tisch beschränken, das geht auch locker im Gehäuse. Einfach mal vergegenwärtigen: 10-20 Widerstände/Dioden/Transistoren/ICs/ die so 50-100 mW Verlustleitung verbraten machen unterm Strich auch 1W Heizleistung aus und da störts dich sicher auch nicht die in ein Gehäuse zu packen.
Ich hatte inzwischen doch Bedenken bekommen und mir bei Reichelt die IRF3708 bestellt. Sollten morgen ankommen.
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