CMOS-Eingänge über Dioden steuern

Gast #6012119
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Ich möchte CMOS-Eingänge über Dioden steuern (siehe Skizze). Nur wären 
dabei die Eingänge im Low-Zustand doch offen?

Die Skizze ist nur Beispielhaft. Konkret handelt es sich um eine 
Diodenmatrix mit 10 Eingängen und 12 Ausgängen. Im extremen Fall werden 
also 12 CMOS-Eingänge gleichzeitig angesteuert. Da komme ich mit 
einfachen Pull-Down Widerständen nicht mehr hin. Der sich summierende 
Strom wäre irre.

Ich könnte die Eingänge mit einem FET auf Low schalten, aber dann 
bräuchte ich mindestens 2 Transistoren und ein paar Widerstände je 
Eingang (zweites Bild). Also eine Menge Bauteile.

Ich würde den Aufwand gerne gering halten. Aus der Matrix kann ich max. 
10mA entnehmen.
Angehängte Dateien:
#6012125
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Power schrieb:
> Die Skizze ist nur Beispielhaft.

Zeige doch konkret um was es geht, und bitte nicht in Salamitaktik.


Power schrieb:
> Konkret handelt es sich um eine
> Diodenmatrix mit 10 Eingängen und 12 Ausgängen.

Auch die solltest Du mal zeigen.


Power schrieb:
> Da komme ich mit einfachen Pull-Down Widerständen nicht mehr hin. Der sich > 
summierende Strom wäre irre.

Geraten, geschätzt oder woher kommt die Annahme „irre“?
Gast #6012130
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Ich glaube da hat einer das Prinzip von CMOS nicht ganz verstanden?

Wie bereits erwähnt ist der Leckstrom von den CMOS Eingängen lächerlich 
klein. Wenn du nicht vor hast die Gatter mit super "irren" Frequenzen 
anzusteuern um mal bei deiner Notation zu bleiben dann kannst du 
Pulldowns im Megaohm Bereich nehmen und in reihe zum Gate noch 10K oder 
mehr um den Gate Strom zu begrenzen.
Gast #6012148
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Guest schrieb:
> Wenn du nicht vor hast die Gatter mit super "irren" Frequenzen
> anzusteuern ... dann kannst du Pulldowns im Megaohm Bereich
> nehmen und in reihe zum Gate noch 10K oder mehr

Für quasistatische Ansteuerung unbedingt... Aber vollst. Schaltplan
und Anwendungsbeschreibung zu liefern wäre hier auf jeden Fall gut.

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