Hallo,
ich habe irgendwie ein Brett vor dem Kopf!
Wenn ich eine Kaskode aus sagen wir 2 NPN-Transistoren habe, dann ist
das Kollektorpotential des unteren Transistors in Emitterschaltung fest.
Und zwar direkt einsichtig, weil der obere Transistor eine feste
Basisspannung hat und sein Emitter ja 0.6V darunter sitzt. (Was ja die
Kollektorspannung des unteren ist)
Wenn ich aber jetzt 2 Mosfets habe, dann stehe ich auf dem Schlauch. Da
gibt es doch analog gar keinen fixen Bezug zwischen Gatespannung und
Source Spannung? Wie kann denn das Source des oberen Transistors dann
einen festen Bezug zu dessen Gatepotential haben?
Hi,
das ist analog wie bipolar, im Prinzip stellt sich die zum Strom
passende Gate-Source-Spannung ein. Auch die Basis-Emitter-Spannung ist
nicht konstant, sondern eine Exponential-Funktion des Emitterstroms.
Meist ist das im Arbeitspunkt ca. 0,6V je nach Strom.
LG Jörg
JohnDoe schrieb:> Wenn ich aber jetzt 2 Mosfets habe, dann stehe ich auf dem Schlauch. Da> gibt es doch analog gar keinen fixen Bezug zwischen Gatespannung und> Source Spannung?
Denk das einfach mal mit bipolaren Transistoren durch, die erst ab einer
Basis-Emitterspanung von 2..4V (statt 0,5..0,7V) anfangen zu leiten...
Ok also der untere Transistor (die Emitter Schaltung) würde durch die
Ansteuerung einen bestimmten Strom benötigen und dadurch stellt sich
dann eine gate-source Spannung ein.
Ist erst mal für mich überhaupt nicht intuitiv zu begreifen, woher der
Transistor das 'weiß'.
Normalerweise stellt man sich ja eher den Kanal vor der DURCH die Ugs
geformt wird und einen Strom durchlässt.
Ist es dann so, dass bei Fet eine größere Varianz der Drain
Spannung(verglichen mit Bipolar) herrst, weil der nicht so steil ist?
JohnDoe (Gast)
>Ok also der untere Transistor (die Emitter Schaltung) würde durch die>Ansteuerung einen bestimmten Strom benötigen und dadurch stellt sich>dann eine gate-source Spannung ein.>Ist erst mal für mich überhaupt nicht intuitiv zu begreifen, woher der>Transistor das 'weiß'.
Na von der Gate-Sourcespannung Ugs, die den Strom durch ihn bestimmt.
Wenn der unter T mehr Strom zieht, dann zieht es seinen C, und S des
Mosfet runter, damit erhöht sich die Ugs, und damit macht er seinen
Kanal niederohmiger, und zieht damit sein S und damit C des unteren T
entsprechend hoch, bis sich ein Gleichgewicht aus beiden ergibt.
>Ist es dann so, dass bei Fet eine größere Varianz der Drain>Spannung(verglichen mit Bipolar) herrst, weil der nicht so steil ist?
Wie steil der ist, sagt das DB über den Wert der Steilheit, in dId/dUgs.
Damit kannste dann ausrechnen, wie die Varianz ist.
Gilt natürlich alles nur, sobald der Mosfet anfängt zu leiten (Ugs über
Ugs_thres)
Jens G. schrieb:> Na von der Gate-Sourcespannung Ugs, die den Strom durch ihn bestimmt.> Wenn der unter T mehr Strom zieht, dann zieht es seinen C, und S des> Mosfet runter, damit erhöht sich die Ugs, und damit macht er seinen> Kanal niederohmiger, und zieht damit sein S und damit C des unteren T> entsprechend hoch, bis sich ein Gleichgewicht aus beiden ergibt.
Das heisst aber, der MOSFET arbeitet im Linearbetrieb. Das mögen
aber viele "moderne" MOSFETs nicht. Sie sind nur für den reinen
Schaltbetrieb geeignet.
Harald W. (wilhelms) schrieb:
>> Na von der Gate-Sourcespannung Ugs, die den Strom durch ihn bestimmt.>> Wenn der unter T mehr Strom zieht, dann zieht es seinen C, und S des>> Mosfet runter, damit erhöht sich die Ugs, und damit macht er seinen>> Kanal niederohmiger, und zieht damit sein S und damit C des unteren T>> entsprechend hoch, bis sich ein Gleichgewicht aus beiden ergibt.>Das heisst aber, der MOSFET arbeitet im Linearbetrieb. Das mögen
Ja klar, was sonst? Ok, kannst das Ding natürlich auch als Schaltstufe
benutzen, aber dann wird der Zusammenhang der Spannungen nicht mehr so
ganz klar.
>aber viele "moderne" MOSFETs nicht. Sie sind nur für den reinen>Schaltbetrieb geeignet.
Ich glaube nicht, daß der TO über Leistungselektronik spricht, sondern
erstmal nur allgemein.
