Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik MOSFET 24V schalten nicht invertierend.


von Simon D. (evil-knevil)


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Hallo zusammen,

nach x Tagen rumprobieren und "experimenteller 
Problembehebungsversuchen", wende ich mich nun an die 
mikrocontroller-Gemeinde in der Hoffnung etwas schlauer zu werden.

Folgendes Poblem:
Ich will das PWM-Signal eines Arduino mit MOSFET's auf 24V verstärken. 
die Last soll über einen p-Channel MOSFET geschaltet werden. Da ich 
allerdings kein invertiertes Signal gebrauchen kann will ich den 
p-Channel MOSFET mit einem n-Channel MOSFET auf Ground ziehen, um so die 
Invertierung aufzuheben.

Nun zum großen Problem: An sich funktioniert die Schaltung. Jedoch nur, 
wenn ich an der Versorgungsspannung keine 24V sondern lediglich 3V 
anlege. Sobald ich über die 3 Volt gehe liegen am Drain des p-Channel 
MOSFETS dauerhaft die eingestellte Versorgungsspannung an.

Meine Vermutung: über 3V Versorgungsspannung sorgen für eine zu geringe 
Spannungsdifferenz (Gate-Source) am n-Channel).

Hat jemand eine Idee wie ich dieses Problem in den Griff bekommen kann?

viele Grüße
Simon

: Verschoben durch Moderator
von Christian M. (Gast)


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Q1 verkehrt herum!

Gruss Chregu

Edit: Beide!

von Simon D. (evil-knevil)


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Hi Chregu,

der doppelte Post war ein versehen. Sorry dafür.

Danke für den Hinweis mit dem verdrehten Q1/Q2. Werde das schleunigst 
ausprobieren :)

Gruß Simon

von Vervielfältiger (Gast)


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Es müssen alle 6 Transistoren gedreht werden.

von Bernd K. (bmk)


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Abgesehen davon, dass die FETs verkehrt rum drinsitzen (-> Dauerstrom 
durch die Body-Diode), muss bei PWM-Betrieb das Gate niederohmig geladen 
und auch entladen werden. Das geht nicht mit Widerständen im zig Kiloohm 
Bereich.

Eine bewährte Schaltung:
https://www.mikrocontroller.net/attachment/34752/P_FET.png

von Harald W. (wilhelms)


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Bernd K. schrieb:

> Eine bewährte Schaltung:
> https://www.mikrocontroller.net/attachment/34752/P_FET.png

Hmm, aber nicht alle FETs werden die 36V Gatespannung vertragen.

von Peter D. (peda)


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Harald W. schrieb:
> Hmm, aber nicht alle FETs werden die 36V Gatespannung vertragen.

Nö, es sind nur 13V.
(5 - .7)/.33

von Bernd K. (bmk)


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Peter D. schrieb:
>
> Nö, es sind nur 13V.
> (5 - .7)/.33

So ist es. Wer sich für die weiteren Erläuterungen interessiert:
Beitrag "Re: Wie Ugs (p-FET) sinnvoll begrenzen?"

von Lothar M. (Firma: Titel) (lkmiller) (Moderator) Benutzerseite


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Bernd K. schrieb:
> Abgesehen davon, dass die FETs verkehrt rum drinsitzen (-> Dauerstrom
> durch die Body-Diode)
Das sieht man auch schön an diesem Pfeil im Diodensymbol: in 
Pfeilrichtung sind Dioden für die technische Stromrichtung (die geht von 
plus nach minus) durchgängig. An diesem Pfeil kann man auch ganz leicht 
sehen, ob z.B. eine Schaltung mit bipolaren Transistoren prinzipiell 
funktionieren kann. Oder ob eine LED leuchten wird.

von GEKU (Gast)


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Simon D. schrieb:
> Sobald ich über die 3 Volt gehe liegen am Drain des p-Channel MOSFETS
> dauerhaft die eingestellte Versorgungsspannung an.

Die Versorgungsspannung oder Versorgungsspannung  - 3 V ?

von Name: (Gast)


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Die MOSFET-Symbole ein echtes Ärgernis. Oft sind die Dioden nämlich 
nicht eingezeichnet (z.B. bei den Symbolen, die unser ECAD verwendet).

Ich möchte nicht wissen, wieviele Redesigns dieser Mist schon auf dem 
Gewissen hat.
Seien wir ehrlich: Speziell bei PMOS hat das jeder schon mal übersehen.

Wer sich die ausgedacht hat, gehört nackt ausgepeitscht.

von Lothar M. (Firma: Titel) (lkmiller) (Moderator) Benutzerseite


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Name: schrieb:
> Die MOSFET-Symbole ein echtes Ärgernis. Oft sind die Dioden nämlich
> nicht eingezeichnet (z.B. bei den Symbolen, die unser ECAD verwendet).
Doch klar, die Bulkdiode ist als Pfeil als mittlerer Anschluss bei 
jedem Mosfet eingezeichnet (wie gesagt: Pfeilrichtung beachten). Nur 
manchmal ist sie sogar zweimal eingezeichnet, nämlich dann wenn aussen 
rum noch eine gemalt ist. Ich komm mit beiden Versionen problemlos 
klar...  ;-)

Name: schrieb:
> Wer sich die ausgedacht hat, gehört nackt ausgepeitscht.
Man könnte natürlich noch beliebige konstruktive Details in das 
Schaltzeichen aunehmen, aber wenn man angesichts der Funktion und des 
physikalischen Aufbaus die Anzahl der Striche auf das Nötige reduziert, 
dann kommt genau das raus, was wir jetzt haben.

: Bearbeitet durch Moderator
von Jens G. (jensig)


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Harald W. (wilhelms) schrieb:

>> Eine bewährte Schaltung:
>> https://www.mikrocontroller.net/attachment/34752/P_FET.png

>Hmm, aber nicht alle FETs werden die 36V Gatespannung vertragen.

Eher wird der P-Kanal in der Schaltung des TO sterben, wenn er beide 
Mosfets einmal richtig herum drin hat, weil kein effektiver 
spannungsbegrenzender Spannungsteiler zw. beiden ist - 100k zu 4,7k 
reduziert da nicht wirklich was von den 24V ...

: Bearbeitet durch User
von Manfred (Gast)


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Simon D. schrieb:
> n-Channel: IRF520N

Es gibt noch weitaus unpassendere Typen, aber der genügt schon, um nicht
zu funktionieren.

Da kommt ein beliebiger NPN wie BC_fünfhundertirgendwas oder
achthundertsonstwas oder 2N2222 rein, fertig. Der braucht zwar etwas
Basisstrom, ist im Gegensatz zum IRF520 aber bei geringer Spannung voll
auf.

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