Hi, ich möchte denn richtigen Mosfet aus dreien auswählen, die ich ausgesucht habe. Die möchte ich nutzen um Heizbetts und Hotends bei 3D-Drucker (12V und 24V) anzusteuern. Ich rechne mit einer Höchstbelastung von 15A, ehr 10A, absoluter worst case 20A, das aber nur bei Spitzen, die eigentlich nie vorkommen sollten. Ich habe folgende Kandidaten ausgesucht: Teil ----------------------- Vdss -- Id ----- Preis HUF76639S3ST --------------- 100V -- 51A ---- € 0.92 HY4903B -------------------- 30V --- 290A --- € 0.55 SE30150 -------------------- 30V --- 150A --- € 0.43 Schalten tuen die alle bei 3V, da sie von einen STM32F103 angesteuert werden sollen. Was mein ihr? Welchen soll ich nehmen? Erster wäre schon ein bischen mein Favorit (einen etwas änlichen findet auf dem Ramps) aber er ist der teuerste. Die anderen beiden sind billiger, verkraften theoretisch mehr Strom wenn ich das richtig sehe, aber nur 30V, ein bischen Reserve wäre doch gut, oder? Was mein ihr?
DocRaptor schrieb: > Schalten tuen die alle bei 3V... Welchen Wert aus den DBs hast Du dafür zugrunde gelegt? Ich vermute den falschen.
DocRaptor schrieb: > Schalten tuen die alle bei 3V, da sie von einen STM32F103 angesteuert > werden sollen. Um einen FET sauber über eine 3,3V ansteuern zu können reichten eine Schaltschwelle von 3V nicht aus. Der FET sollte schon bei der halben Versorgungsspannung zu schalten beginnen. Genaueres, wieviel Strom bei welcher Gatespannung, sollte man aus denn Kurven der Datenblätter heraus lesen.
Beitrag #6051117 wurde vom Autor gelöscht.
Dablas zu Verlinken wäre äußerst höflich gewesen! DocRaptor schrieb: > Was mein ihr? Welchen soll ich nehmen? Keinen
Beim HUF... finden sich auf Seite 4 Diagramme (Figures 5, 6 und 9), bei denen man glauben könnte, bei V_GS > 2V würde der FET schon gut leiten. Sind jedoch (siehe oben links) "Typical Performance Curves" --- und typisch heißt nicht garantiert ... genau das, garantiert, will/braucht man aber Sie gelten nur für einen Bruchteil aller HUF..., und zwar denen mit rund 2V als Wert der V_GS(th). (th=threshold - was übrigens der Wert ist, ab welchem der FET ganz, ganz langsam/leicht bzw. nur ein bißchen... zu leiten beginnt, und nicht die empfohlene Ansteuerspannung(!).) Und sie kann zwischen 1V und 3V liegen (dort zu lesen). Da Du aber vermutlich etwas funktionales bauen willst, und kein reines Glücksspiel betreiben, ob es geht oder nicht, nimmst Du stattdessen die garantierten Werte. (Normalerweise die Werte für V_GS, welche in der Zeile des Wertes für R_DS dahinter als "Meßbedingung" stehen. [Dort kann man nicht versehentlich "typisch" aussuchen.] Hier im Datenblatt wurde scheinbar vergessen, zu der Zeile mit/für 10V noch eine zweite für 4,5V darunterzusetzen - der Typ ist aber definitiv mit 4,5V sauber einschaltbar, denn es ist ein Logic Level Typ (und etwas Inter-/Extra- Polation o. g. Kurven erlaubt den Rückschluß ebenfalls). Was Du brauchst, um mit 3V schalten zu können, ist ein Typ mit Spezifikation (o. g. Meßbedingung in g. Zeile) für z.B. 2,5V oder vielleicht 2,8V... (ich glaube daß es keine "3V" Typen gibt, ist aber egal). Die werden beworben mit: - "Ultra Logic Level" ...oder - "Low Logic Level" und man findet sie unter dieser Bezeichnung oder einfach mittels parametrischer Suche bei einem Distri: https://www.mouser.de/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/MOSFET/_/N-ax1sf?P=1z0y4ciZ1yzthbyZ1z0xumnZ1y9ie5uZ1y9f5anZ1yzulylZ1yzua41Z1z0xosyZ1z0yra8Z1yvsnzwZ1z0y182Z1z0xpddZ1yztbb5Z1yuk7vzZ1yw743xZ1yw70nlZ1y8v194Z1yw78dzZ1yvy1qjZ1yw76f5Z1yw75jhZ1yw73xuZ1yw78ezZ1yw71xgZ1ysobvwZ1yw8qn6Z1yw7258Z1yw8om3Z1yw8o1nZ1z0y3zr&Rl=ax1sfZgjdhozZ1yw76e3Z1yvixgtSGT&Ns=Pricing%7c0
Solche ultra-low-logic-level-Typen gehen aber kaum über 30V-Betriebsspannung hinaus.
Macht nix - 30V-Typen reichen ja vollkommen für sein Vorhaben aus.
DocRaptor schrieb: > HUF76639S3ST --------------- 100V -- 51A ---- € 0.92 27(eher 30-50)mR bei 15A: 15A x 15A x 0.03R = 6.75W Das wird schon gut warm. Drann denken... Wenn dieser FET mit "nur" 3.3V angesteuert wird, sollte man unbedingt im durchgeschaltetem Zustand die Spannung über FET kontrollieren. 30V ist knapp. richtig. Man könnte einen IRLZ34N probieren. Würde ich aber nur machen, wenn er zufällig in der Kiste liegen würde... Mal die parametrische Suche bei vishay probiert? http://www.vishay.com/mosfets/
Jens G. schrieb: > Macht nix - 30V-Typen reichen ja vollkommen für sein Vorhaben aus. Hätte ich bedenken, bei 24V Betriebsspannung, speziell bei raschen Abschalten der Last (du/dt)könnten schon hohe Spannungen jenseits der 30V auftreten. Da kostet am Ende der Schutz des FETs mehr an Material, Zeit und Aufwand, als einen 55 oder 75V Transistor zu verwenden, der obendrein aussreichend avalanche-fest ist.Den gibt es aber wiederum nicht mit 2.5V spezifierten V_Ugs.
DocRaptor schrieb: > aber nur 30V, ein bischen Reserve wäre doch gut, oder? Ich finde es auch recht spannend, mit einem 30V Mosfet eine Spannung von 24V zu schalten. Wenn da auch nur der Hauch einer Induktivität mitspielt (Stichwort Leitungsinduktivität), dann reichen die 6V "Reserve" nirgends hin und der Mosfet "klingelt" sich zu Tode... > Die anderen beiden sind billiger Nach dem ersten Tausch ist sogar der Teuerste allemal billiger ;-)
Könnte ich nicht auch ein Logikgatter aus der 74 Familie zu nutzen, um die 3.3V auf 5V für die Mosfets zu "boosten"? Hab grad gesehen, dass das beim Duet so gemacht wird. Dann muss es kein ULLL Mosfets sein, was die Auswahl an Mosfets erhöhen sollte, oder?
DocRaptor schrieb: > Könnte ich nicht auch ein Logikgatter aus der 74 Familie zu nutzen, um > die 3.3V auf 5V für die Mosfets zu "boosten"? Warum nimmst du dann nicht einfach einen oder zwei simple Transistoren und "boostest" die Ugs auf brauchbare 10V? Dann findest du Mosfets an jeder Ecke...
äxl (Gast) >Jens G. schrieb: >> Macht nix - 30V-Typen reichen ja vollkommen für sein Vorhaben aus. >Hätte ich bedenken, bei 24V Betriebsspannung, speziell bei raschen >Abschalten der Last (du/dt)könnten schon hohe Spannungen jenseits der >30V auftreten. Da kostet am Ende der Schutz des FETs mehr an Material, >Zeit und Aufwand, als einen 55 oder 75V Transistor zu verwenden, der >obendrein aussreichend avalanche-fest ist.Den gibt es aber wiederum >nicht mit 2.5V spezifierten V_Ugs. Nun, ich weis zwar nicht, wie Heizbetts und Hotends bei 3D-Druckern aufgebaut sind, aber so sehr induktiv klingt das nicht unbedingt. Und wenn es was primär induktives wäre, dann könnte man auch mit einem 50v oder 100V-Mosfet verlieren. Welchen Spannungswert willst du also jetzt hierfür ansetzen, ohne konkret das Szenario zu kennen? Sicher gehst Du letztendlich nur mit einer Freilaufdiode, und da isses eher egal, ob der Mosfet knapp kalkuliert ist. Wo siehst Du bei dieser Variante den von Dir angedeuteten Mehraufwand auser eben dieser einen Diode. Und grundsätzlich sind wohl alle Mosfets mehr oder weniger Übersppannungsfest, solange man gewisse Energien nicht übersteigt, auch wenn diese Avalanche-Verhalten vor allem bei älteren Typen nicht extra spezifiziert wurde.
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