Hallo zusammen, ich habe gerade auf Lochraster zwei Super-Zener-Dioden mit zwei gleichen Z-Dioden und zwei unterschiedlichen MOSFETs aufgebaut. Einmal N-Kanal IRFB 4110 und einmal P-Kanal IRF 5210. Der Grund für die Auswahl war einfach, was da ist. Die Zener-Diode wurde natürlich immer zwischen Drain und Gate geschaltet. Getestet wurde mit einem Vorwiderstand von 2,7 Ohm an 0...50 V mit ausreichend langen Abkühlphasen. Was mir auffiel: Die Spannungsbegrenzung liegt bei beiden FETs in etwa gleich (6,3 V), allerdings bleiben bei 50V über 2,/ Ohm am IRFB 4110 nur schlappe 6,5 V (bei kaltem FET), beim IRF 5210 aber satte 7,2 V. Vom RdsOn sind beide Werte meilenweit entfernt. Deshalb meine Frage: Von welchem Parameter des FETs hängt der differentielle Widerstand dieses Gebildes ab?
>Getestet wurde mit einem Vorwiderstand von 2,7 Ohm an 0...50 V mit >ausreichend langen Abkühlphasen. >Was mir auffiel: Die Spannungsbegrenzung liegt bei beiden FETs in etwa >gleich (6,3 V), allerdings bleiben bei 50V über 2,/ Ohm am IRFB 4110 nur >schlappe 6,5 V (bei kaltem FET), beim IRF 5210 aber satte 7,2 V. Du testest mit an die 20A im Analogbetrieb? Wie soll das gut gehen? >Vom RdsOn sind beide Werte meilenweit entfernt. Was hat das mit RdsOn zu tun? Die werden ja nie im Schaltbetrieb betrieben. >Deshalb meine Frage: Von welchem Parameter des FETs hängt der >differentielle Widerstand dieses Gebildes ab? Steilheit
Hallo, bei 2 mA wirkt die Zenerdiode noch nicht richtig. Vertausche doch mal Widerstand und Z-Diode. MfG
Jens G. schrieb: > Du testest mit an die 20A im Analogbetrieb? Wie soll das gut gehen? Kurzzeitig geht das gut. Wegen der immensen Wärmeentwicklung teste ich das allerdings nicht so lange. roehrenvorheizer schrieb: > bei 2 mA wirkt die Zenerdiode noch nicht richtig. Stimmt, ich bin noch nicht im Knick. Aber da die Last ja rein kapazitiv ist, sollte das ja nichts ausmachen. Über den Widerstand würde ich das Feintuning machen. roehrenvorheizer schrieb: > Vertausche doch mal > Widerstand und Z-Diode. Warum? Die Schaltung im Elektronik-Kompendium ist für PNP.
Walter T. schrieb: > ich habe gerade auf Lochraster zwei Super-Zener-Dioden Also "Super" ist da nichts dran. OK, "super ungenau" paßt. Z-Dioden für 3V haben eine gräßliche Steilheit und Serienstreuung. Oben drauf noch die Serienstreuung von V_gs_th. Und dann noch die nur mäßig steile Steuerkennlinie eines FET ... > Getestet wurde mit einem Vorwiderstand von 2,7 Ohm an 0...50 V mit > ausreichend langen Abkühlphasen. > > Was mir auffiel: Die Spannungsbegrenzung liegt bei beiden FETs in etwa > gleich (6,3 V), allerdings bleiben bei 50V über 2,/ Ohm am IRFB 4110 nur > schlappe 6,5 V (bei kaltem FET), beim IRF 5210 aber satte 7,2 V. Der Satz ergibt keinen Sinn. Was meinst du mit "Spannungsbegrenzung", wenn nicht die Spannung über dem FET? > Vom RdsOn sind beide Werte meilenweit entfernt. Klar. Ist ja auch Linearbetrieb. > Deshalb meine Frage: Von welchem Parameter des FETs hängt der > differentielle Widerstand dieses Gebildes ab? Von der Steilheit delta(I_d) / delta(U_gs). Der Wert ist für p-FET üblicherweise schlechter. Deswegen braucht der p-FET auch mehr Spannung am Gate für (annähernd) den gleichen Drainstrom.
Weil Du mittels der Reihenschaltung aus Diode und Widerstand ihre Kennlinie linearisierst. MfG
Mit BJT und Zenerdiode für etwa 5.6 - 6.5 V kann schon ganz gut gehen. Die -2 mV/K von der Basisspannung kompensieren sich ggf. der üblicherweise leicht positiven Temperaturabhängigkeit bei Zenerdiode in dem Spannungsbereich.
Warum wird bei dem Elektronik-Kompendium die erste Stufe PNP gewählt? In NPN-Logik müßte doch ein einziger BD649 oder ein anderer Darlington-Transistor ausreichen.
Walter T. schrieb: > Warum wird bei dem Elektronik-Kompendium die erste Stufe PNP > gewählt? In > NPN-Logik müßte doch ein einziger BD649 oder ein anderer > Darlington-Transistor ausreichen. Wegen der Temperaturabhängigkeit der Basis-Emitterstrecke. Bei einem Darlington gibt es zwei davon.
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