Hallo, ich habe folgendes Problem. Ich habe eine Schaltung (die auch funktioniert) und möchte diese gerne mittel LT Spice nachvollziehen. Dazu habe ich den Trafo wie hier beschreiben erstellt. https://www.analog.com/en/technical-articles/ltspice-basic-steps-for-simulating-transformers.html gegeben ist ist hier die primär unduktivität von 42µH und das Wicklungsverhältniss von 1:67. Mit offenem Ausgang funltioniert das ganze auch noch erwartungsgemäß, jedoch sobald ich die Kaskade + Gleichrichtung anschliße ist Feierabend. Hat hier evtl jemand nen Tip was ich falsch mache bzw. was ich besser machen könnte? Vielen Dank schon mal.
Du musst für die Halbleiter konkrete Typen raussuchen. Leider ist da LTspice mager ausgestattet, was nicht LT/AD ist. Da musst du nach einem möglichst ähnlichen Typ schauen. Aber ich kann dir sagen, dass gerade Trafos (und auch Induktivitäten) nur rudimentär modelliert sind und deshalb gerade NICHT der Realität entsprechen. Wenn, dann müsstest du dir ein aufwändigeres/genaueres Trafomodell selber zusammen bauen. Oder dein realer Trafo wäre nahezu ideal. - Kopplungsfaktor? (<1 !) - parasitäre Wicklungskapazitäten! Messung? - Serienwiderstand deiner Induktivitäten! - die Induktivitäten haben anscheinend keine Sättigungscharakteristik! Die Simulation wirst du warscheinlich kaum mit dem tatsächlichen Verhalten zusammenbringen können. Und wenn, dann nur für einen Betriebspunkt.
hinz schrieb: > Mit welchen realen Bauteilen hast du das aufgebaut? Beim Trafo handelt es sich um einen CTX210655-R.
Teste doch erstmal deinen Trafo mit einer Sinusspannung auf der Primärseite.
Miki schrieb: > Beim Trafo handelt es sich um einen CTX210655-R. Der ist nicht das einzige Bauteil. Mit den "Standard" MOSFETs und Dioden wird das jedenfals nichts, und die 1kOhm Basiswiderstände sind indiskutabel für die 100kHz Schaltfrequenz.
Bei mir simuliert dein File. Allerdings sehr, sehr langsam. Und es dauert sehr lange, bis er auf die Endspannung kommt, nicht nur 10ms; eher 1s. Bei mir ist der alternative Solver aktiv und ich habe einen der hinterlegten MOSFETs genommen (zufällig den BSC014N03MS). Zudem habe ich die Gatewiderstände deutlich kleiner gemacht (100Ω ... 10Ω). Was mir noch auffällt: Die 5Ω Innenwiderstand der Quelle erscheint mir hoch, den kannst du kaum mit 4µ7 ausreichend puffern. Ich kenne mich da nicht so aus: passt den die Induktivität auf der Sekundärseite? Die kommt mir viel zu hoch vor, die Verhältnisse sind doch L3=L1*ü²? Mit 21µH*63² gäbe das doch nur rund 83000µH ... Du hast hundert mal mehr in der Schaltung. Dann erreicht die Spannung auch nach einigen zehn ms ihren Endwert sekundärseitig.
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