Hallo wir suchen einen Ersatz für den NE25139 Ich habe mich umgesehen und den CE3514M4 gefunden Leider geht er nicht Der Drain Source Kanal ist immer niederohmig Muss die Gate Spannung vor der Drain Spannung anliegen?
Volker W. schrieb: > Hallo > wir suchen einen Ersatz für den NE25139 > > Ich habe mich umgesehen und den CE3514M4 gefunden > > Leider geht er nicht Das wundert nicht, zähl mal die Gates. > Der Drain Source Kanal ist immer niederohmig Das ist bei Vgs=0V bei selbstleitenden MOSFETs immer so. > Muss die Gate Spannung vor der Drain Spannung anliegen? Nein. Und dass die GaAs Biester ziemlich ESD-sensibel sind, ist dir bekannt?
Volker W. schrieb: > wir suchen einen Ersatz für den NE25139 > Ich habe mich umgesehen und den CE3514M4 gefunden > Leider geht er nicht Und darüber wunderst du dich? Der hat doch vollkommen andere Eigenschaften. Der eine ist ein Dual-Gate, der andere nicht. Udsmax, Idss, Ugsoff...
Stimmt da steht nichts das es ein GaAs Fet ist Ich bin wegen der guten Rauschwerte davon ausgegangen
Volker W. schrieb: > Stimmt da steht nichts das es ein GaAs Fet ist > Ich bin wegen der guten Rauschwerte davon ausgegangen Und Du hast Dir nichts dabei gedacht, das der Hersteller den Typ wohl aus gutem Grund in seine "GAAs FET Suchliste" aufgenommen hat (schau mal auf die Zeile "product selector....") http://www.cel.com/parts.do?command=load&idRootPart=2609 Und die Warnhinweise auf der Seite 8 des Datenblattes hast Du auch nicht gelesen: "this product uses GaAs...toxic.. .etc." RTFM
https://www.rf-microwave.com/en/siemens/cf-739/dual-gate-low-noise-gaas-mesfet/cf-739/ "CF 739 can replace:...NEC NE25139..." Die Gegend um Milano ist aber derzeit schwer gebeutelt.
Wir haben einen ESD Arbeitsplatz mit ESD Fussboden, ESD Schuhen, ESD Jacke, ESD Armband und ESD Lötkolben Wir wollen die FET's weder verbrennen noch Puder machen sie auch nicht abschlecken oder in den Mund nehmen
Jetzt noch mal zum Problem Die Schaltung besteht aus 2 Teilen Ein Cryogener Teil (4K) und ein Teil bei Raumtemperatur Die Fet's sind die NE25139, die Gates sind zusammengeschaltet Im Moment kommt man an den Kalten Teil nicht ran Ich habe es nachgebaut Es geht im Warmen und im Kalten Die NE25139 gibt es leider nicht mehr Deswegen suchen wir eine Alternative Ich bin auf den CE3514M4 gestossen deswegen der Vorschlag Die Schaltung ist schon seit Jahren im Einsatz ich habe sie nicht entwickelt Über den Detector weiß man nichts es soll eine Stromquelle sein Der Testpuls ein Rechteck rise fall 1ns width 1ms wird über ein C 1pF auf das Gate eingekoppelt
> Ich bin auf den CE3514M4 gestossen deswegen der Vorschlag
Der ist für ein TIA-Frontend nicht geeignet, wenn es auf kleinen
Leckstrom ankommt. Ich kann mir nicht vorstellen, dass du da 1uA
Leckstrom tolerieren kannst.
Aus dem Datenblatt:
Gate current 0,4uA typ, 10uA max
Die Anwendung bei so niedrigen Temperaturen ist schon ungewöhnlich. Da verhalten sich die Fets schon deutlich anders als bei Raumtemperatur. Die Threshold-spannung kann sich deutlich verschieben. Verschiedene Typen / Chargen können sich bereits verschieden verhalten. D.h. auch wenn es bei RT als Vergleichstype passt heißt das nicht dass es auch bei 4 K noch passt. Als positiver Effekt kann man hoffen, dass auch der Leckstrom deutlich zurück geht. Passende FETs für niedrige Temperatur sind nicht so leicht zu finden. Wenn sowieso beide Gates verbunden sind braucht man keine dual Gate typen. Das spricht auch etwas dafür das die FETs nicht so kritisch sind von den Eigenschafen, denn mit nur einem Gate wäre es wohl besser.
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