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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Mosfetschalter, geht es schneller?


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von Peter K. (peter_k970)


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Hallo,
habe einen Schalter für ein Punktschweißgerät gebaut, da fließen etwa 
400 A durch. Mit dem Einschalten bin ich fast zufrieden, bis auf die 
kleine Unsauberkeit die vom NE555 kommt, das scheint unter 1 µS 
aubzulaufen, das Ausschalten der Mosfets geht mir aber zu langsam, das 
sind mehr als 5 µs, das scheint der Grund warum es warm wird. Die 
ursprünglich vorgesehenen 5 Mosfet hab ich auf 3 reduziert, die schalten 
die Ströme locker und der RDS on liegt bei 1 mOhm, ausserdem wird es mit 
5 dann noch langsamer.
Was kann man da machen?
Gruß und Dank
Peter

von Matthias S. (Firma: matzetronics) (mschoeldgen)


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Schneller die Gates ausräumen. Am besten wäre m.E. ein Gegentakttreiber, 
in dem R1 durch einen NPN Transistor ersetzt wird.
Die zweitbeste Lösung ist, R1 kleiner zu machen und damit T6 zwar 
stärker zu belasten, aber die Gates schneller auszuräumen. T6 könnte ja 
auch ein BC640 werden, ohne das es allzuviel kostet.

von Andrew T. (marsufant)


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Peter K. schrieb:
> Die
> ursprünglich vorgesehenen 5 Mosfet hab ich auf 3 reduziert, die schalten
> die Ströme locker und der RDS on liegt bei 1 mOhm, ausserdem wird es mit
> 5 dann noch langsamer.
> Was kann man da machen?

Du benötigst einne Gegentaktteiber mit mind. 1,5A Ausschaltstrom (pull 
down).
Die Gatewiderstände (ca. 20 Ohm) je Mosfet einer sind nachzurüsten.


Das ganze Geschalte  mal kurz in LTSpice zeigt Dir, das die G-S 
Kapazitäten der Grund sind, warum in Deiner Schaltung das Schalten noch 
nicht wunschgemäß funktioniert.

Da kannst Du auch sehr schön ausprobieren,
wie schnell Du schalten solltest und welche (noch fehlende) Transsil 
Diode am Ausgang das Zerstören Deiner FET verhindert.
Die 60V am FET sind nämlich schnell überschritten, sobald man die 
Schaltung mit Zuleitungen aufbaut.

von MaWin (Gast)


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Peter K. schrieb:
> Was kann man da machen?

Den Quatsch wegmachen.

Du hast einen NE555 der 200mA liefert, und 'verstärkst' ihn mit BC556 
der nur 100mA schafft und 274 Ohm, was an 9V zu 32mA führt.

Was für ein Quatsch.

Wenn du den Quatsch weglässt, wird die Schaltung schneller, nutzt du 
einen MOSFET-Treiber, (selbst gebaut oder als IC) wird es noch 
schneller.

Aber vorher ist die Frage, was der gesamte Quatsch soll. Ein

Peter K. schrieb:
> Punktschweißgerät

geht andrs.

http://www.dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm#F.21.11

von Peter K. (peter_k970)


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das ging ja flott, einen BC640 hatte ich schon im Einsatz und den R1 auf 
200 Ohm reduziert, leider kein großer Gewinn, auch ist der BC 640 nicht 
so schnell wie ein BC 556,  Für R1 einen NPN einsetzen, das scheint mir 
logisch, werde ich gleich mal testen.

von Peter K. (peter_k970)


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Matthias S. schrieb:
> Schneller die Gates ausräumen. Am besten wäre m.E. ein Gegentakttreiber,
> in dem R1 durch einen NPN Transistor ersetzt wird.
> Die zweitbeste Lösung ist, R1 kleiner zu machen und damit T6 zwar
> stärker zu belasten, aber die Gates schneller auszuräumen. T6 könnte ja
> auch ein BC640 werden, ohne das es allzuviel kostet.

von hinz (Gast)


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Andrew T. schrieb:
> welche (noch fehlende) Transsil
> Diode am Ausgang das Zerstören Deiner FET verhindert.
> Die 60V am FET sind nämlich schnell überschritten, sobald man die
> Schaltung mit Zuleitungen aufbaut.

IRFB3206:

Benefits
* Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dV/dt Ruggedness
* Fully Characterized Capacitance and
Avalanche SOA

von hinz (Gast)


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Peter K. schrieb:
> Für R1 einen NPN einsetzen, das scheint mir
> logisch, werde ich gleich mal testen.

Nö, unten einen PNP, oben einen NPN, und beide in Kollektorschaltung.

von hinz (Gast)


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hinz schrieb:
> Peter K. schrieb:
>> Für R1 einen NPN einsetzen, das scheint mir
>> logisch, werde ich gleich mal testen.
>
> Nö, unten einen PNP, oben einen NPN, und beide in Kollektorschaltung.

Und dann wenigstens BC327/337.

von Peter K. (peter_k970)


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MaWin schrieb:
> Peter K. schrieb:
>> Was kann man da machen?
>
> Den Quatsch wegmachen.
>
> Du hast einen NE555 der 200mA liefert, und 'verstärkst' ihn mit BC556
> der nur 100mA schafft und 274 Ohm, was an 9V zu 32mA führt.
>
> Was für ein Quatsch.
>
> Wenn du den Quatsch weglässt, wird die Schaltung schneller, nutzt du
> einen MOSFET-Treiber, (selbst gebaut oder als IC) wird es noch
> schneller.
>
> Aber vorher ist die Frage, was der gesamte Quatsch soll. Ein
>
> Peter K. schrieb:
>> Punktschweißgerät
>
> geht andrs.
>
> http://www.dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm#F.21.11

MaWin schrieb:
> Den Quatsch wegmachen.

Was du da schreibst ist auch ziemlicher Quatsch, das Einschalten ist in 
Ordnung und hat mit dem NE555 und den Strömen und Verstärkung nix zu 
tun.
Das Gate schneller ausräume ist die Lösung für schnelles Ausschalten, 
die ganz Schaltung links von den Mosfet hat das wenig mit zu tun,,,

von hinz (Gast)


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Peter K. schrieb:
> MaWin schrieb:

>> Du hast einen NE555 der 200mA liefert, und 'verstärkst' ihn mit BC556
>> der nur 100mA schafft und 274 Ohm, was an 9V zu 32mA führt.
>>
>> Den Quatsch wegmachen.
>
> Was du da schreibst ist auch ziemlicher Quatsch, das Einschalten ist in
> Ordnung und hat mit dem NE555 und den Strömen und Verstärkung nix zu
> tun.
> Das Gate schneller ausräume ist die Lösung für schnelles Ausschalten,
> die ganz Schaltung links von den Mosfet hat das wenig mit zu tun,,,

Lies dir nochmal durch was MaWin geschrieben hat.

von Ach Du grüne Neune (Gast)


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hinz schrieb:
> Und dann wenigstens BC327/337.

Genau so (oben BC337 und unten BC327).
T6 sollte aber als Treiberstufe für die Push-Pull-Stufe drin bleiben. 
Sonst muss nochmal invertiert werden.

von hinz (Gast)


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Ach Du grüne Neune schrieb:
> hinz schrieb:
>> Und dann wenigstens BC327/337.
>
> Genau so (oben BC337 und unten BC327).
> T6 sollte aber als Treiberstufe für die Push-Pull-Stufe drin bleiben.
> Sonst muss nochmal invertiert werden.

T6+T7 weglassen, Versorgungsspannung des 555 auf 12V erhöhen.

von Ach Du grüne Neune (Gast)


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hinz schrieb:
> T6+T7 weglassen, Versorgungsspannung des 555 auf 12V erhöhen.

Ja, noch besser  :)

von Sven S. (schrecklicher_sven)


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So könnte das dann aussehen.
Geeignete Transistortypen wurden schon genannt.
Ein Widerstand mit ~10 Ohm vor jedem Gate wäre kein Fehler.

von mark space (Gast)


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Ein integrierter gate-Treiber ist um Klassen besser als dieses 
antiquierte diskrete Gemurkse.

von Peter D. (peda)


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Peter K. schrieb:
> das Ausschalten der Mosfets geht mir aber zu langsam

Dann nimm die Verlangsamungsstufen T6, T7 raus und geh direkt an den 
schnellen 555.
Mit dem 7555 (CMOS) kommst Du auch bis an VCC ran.

von 123 (Gast)


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Es soll ja inzwischen auch voll integrierte Gatetreiber geben. Dann 
erspart man sich ein paar Probleme die in der Zukunft mit so eine 
diskreten Push-Pull-Stufe auftreten werden ...

von MiWan (Gast)


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Peter D. schrieb:
>> das Ausschalten der Mosfets geht mir aber zu langsam
>
> Dann nimm die Verlangsamungsstufen T6, T7 raus und geh direkt an den
> schnellen 555.

...zusätzlich "Ausschalttransitor" (=PNP zwischen Gate und Masse) 
verwenden:

https://d3i71xaburhd42.cloudfront.net/8e71744b92ac83f0fba043fc41a41c43ee9e55fa/20-Figure13-1.png

von hinz (Gast)


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mark space schrieb:
> Ein integrierter gate-Treiber ist um Klassen besser als dieses
> antiquierte diskrete Gemurkse.

Ist aber für diese Anwendung völlig übertrieben.

von hinz (Gast)


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123 schrieb:
> Es soll ja inzwischen auch voll integrierte Gatetreiber geben.
> Dann
> erspart man sich ein paar Probleme die in der Zukunft mit so eine
> diskreten Push-Pull-Stufe auftreten werden ...

Quatsch.

von Jens G. (jensig)


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Sven S. (schrecklicher_sven)

>So könnte das dann aussehen.
>Geeignete Transistortypen wurden schon genannt.

Was sollen T6 und T7 bringen? Die zwei Treiberendstufen macht man direkt 
an den 555 ran.

>Ein Widerstand mit ~10 Ohm vor jedem Gate wäre kein Fehler.

Nur wo bekommt man negative Widerstände her? ;-)


Peter D. (peda)

>Mit dem 7555 (CMOS) kommst Du auch bis an VCC ran.

Ja, dann biste mit den CMOS-Varianten aber wieder genau so schnell wie 
vorher.

von Thomas O. (kosmos)


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gehören die 2 Transistoren nicht von oben nach unten vertauscht?

von Ach Du grüne Neune (Gast)


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Thomas O. schrieb:
> gehören die 2 Transistoren nicht von oben nach unten vertauscht?

Nein, weil sonst beim Umschaltvorgang kurzzeitig beide Transistoren 
gleichzeitig durchschalten und so einen Kurzschluss erzeugen würden.

von Peter K. (peter_k970)


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Sven S. schrieb:
> So könnte das dann aussehen.
> Geeignete Transistortypen wurden schon genannt.
> Ein Widerstand mit ~10 Ohm vor jedem Gate wäre kein Fehler.

So werde ich machen wie im Bild, vielen Dank auch für deinen Vorschlag.
Mein erster Entwurf mit T6,T7 war darin begründet, das der NE555 nicht 
genug Spannung für die Mosfet liefert. Der ist nämlich zur entkopplung 
der Akkuspannung, welche starken Störungen beim Schalten unterliegt, mit 
einer 9V Zener Diode stabilisiert, damit die Schaltzeiten halbwegs 
konstant bleiben. Den einfach mit der Akkuspannung versorgen, wie auch 
vorgeschlagen wurde, halte ich für nicht gut. Der NE555 schaltet 
wirklich sehr schnell und Strom genug liefert der auch. Da der T10 nun 
als Emitterfolger arbeitet, kann die Spannung für die Gates auch kaum 8 
V erreichen. Die Fet schalten zwar durch, bei höhere Spannung wird der 
RDS aber kleiner. Mal sehen wie hoch ich die Spannung bei dem NE555 noch 
erhöhen kann, ohne das es zu Störungen kommt.

von hinz (Gast)


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Peter K. schrieb:
> Mal sehen wie hoch ich die Spannung bei dem NE555 noch
> erhöhen kann, ohne das es zu Störungen kommt.

Den nötigen Kerko direkt am 555 hast du dran?

von Sven S. (schrecklicher_sven)


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Die Z-Diode kannst Du weglassen, R11 und C4 haben genug Filterwirkung.

von Dieter (Gast)


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Der Ausschnitt zeigt, dass der NE555 dann doch nicht so ideal wäre den 
Mosfet direkt anzusteuern (Ausschaltvorgang).

Dass der Mosfet heiß wird, liegt vielleicht gar nicht so sehr an der 
Abfallzeit. Entlaste diese durch zusätzliche Freilaufdioden. Bei 200A 
macht das schon was aus.

Auch vor den Mosfets kann durch die Induktion bei 200A eine 
Spannungsspitze auftreten. Möglich wäre ein Snubber oder ein 
Überspannungsableiter (schnelle Supressor-Diode oder Varistor). 
Insgesamt wird dadurch die Verlustleistung beim Abschalten nicht 
verringert, verteilt sich aber auf diese zusätzlichen  Komponenten.

von Dieter (Gast)


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Datenblatt von TI habe ich noch vergessen zu erwähnen.

von Sven S. (schrecklicher_sven)


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Und noch was: R2 ist viel zu groß.
Einfach weglassen.

von Dieter (Gast)


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Wenn man es besser machen will, ersetzt man R2 durch eine 
Serienschaltung mit zwei Widerständen. Parallel zu einem der Widerstände 
ist ein Kondensator ergänzt.

von comm (Gast)


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Dieter schrieb:
> Der Ausschnitt zeigt, dass der NE555 dann doch nicht so ideal wäre den
> Mosfet direkt anzusteuern (Ausschaltvorgang).

nimm den 7555 (CMOS-Version) mit 12 oder 15 Volt, der schaltet bis ca 
0.4 Volt an VDD bzw. GND

von Peter D. (peda)


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Peter K. schrieb:
> da fließen etwa 400 A

Peter K. schrieb:
> RDS on liegt bei 1 mOhm

Peter K. schrieb:
> das Ausschalten der Mosfets geht mir aber zu langsam, das
> sind mehr als 5 µs, das scheint der Grund warum es warm wird.

Nö.
400A² * 1mΩ sind satte 160W. Da muß ein richtig dicker Kühlkörper ran.
Bei 3 FETs parallel sind noch 53W zu verheizen, die Zuleitungen nicht 
mit einberechnet.
Schonmal ne 60W Glühbirne angefaßt?

Mit Fußschalter wirst Du kaum Frequenzen >1Hz erreichen, d.h. die 
Schaltzeiten sind völlig vernachlässigbar.

: Bearbeitet durch User
von Peter K. (peter_k970)


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Peter D. schrieb:

>
> Nö.
> 400A² * 1mΩ sind satte 160W. Da muß ein richtig dicker Kühlkörper ran.
> Bei 3 FETs parallel sind noch 53W zu verheizen, die Zuleitungen nicht
> mit einberechnet.
> Schonmal ne 60W Glühbirne angefaßt?
>
> Mit Fußschalter wirst Du kaum Frequenzen >1Hz erreichen, d.h. die
> Schaltzeiten sind völlig vernachlässigbar.

Deine Überlegungen sind leider nicht korrekt. Es geht hier um Impulse 
von max. 200 ms. mit 150 ms konnte ich schon satte Verbindungen 
herstellen. Dass bedeutet die Dauerleistung ist überhaupt kein Maß. Wenn 
alle 2 sek einmal geschaltet wird, und zwar 150 ms lang, gibt das eine 
reziproke Dauerleistung von weniger als 12 Watt für die 3 Mosfet, ganz 
grob. Das ist für die Schaltung kein Problem. Das mit dem Fußschalter 
verstehe ich nicht ganz, der ersetzt den Taster weil ich keine 3 Hände 
habe..

es folgen noch Neuigkeiten zu den empfohlenen Schaltungen welche sich 
als unbrauchbar erweisen.

von Axel S. (a-za-z0-9)


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comm schrieb:
> Dieter schrieb:
>> Der Ausschnitt zeigt, dass der NE555 dann doch nicht so ideal wäre den
>> Mosfet direkt anzusteuern (Ausschaltvorgang).
>
> nimm den 7555 (CMOS-Version) mit 12 oder 15 Volt, der schaltet bis ca
> 0.4 Volt an VDD bzw. GND

Dafür treibt er bei einem H am Ausgang mit bestenfalls 50mA. 
Spezifiziert ist der Ausgang gar nur bei 1mA. Ohne nachgesetzten Treiber 
geht da gar nichts.

Bezüglich seiner Ausgangstreiberleistung ist der 7555 in etwa auf dem 
Niveau der ersten 4000er (ungepufferte A Serie).

von Peter K. (peter_k970)


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Das Ergebnis meiner letzten Schaltung, siehe oben, zeigt Bild (Aus 
2.png), hier ist der Ausgang die blaue Linie. Die Schaltung sorgt für 
einen sanften Ausschaltvorgang, welcher aber nicht erwünscht ist. Ich 
verstehe auch nicht warum diese Schaltung so oft zu finden ist. Die 
Gates können hierbei nicht unter der Ube von dem Entladetransistor 
entladen werden und das zum Ende auch noch verzögert, so wie es 
aussieht.
Also hab ich meinen ersten Entwurf mal wieder hergenommen und etwas 
verändert.  (Mosfetschalter 3a).
Das Einschalten (Ein3.png) ist in Ordnung wie auch zuvor, wenn ich die 
Schwingungen beim Ausschalten (Aus3.png) noch wegbekomme, ist das 
ebenfalls wesentlich besser als alles zuvor, der erste Anstieg liegt 
deutlich unter 1 µs.
Ich befürchte die Schwingungen haben etwas mit dem Platinenlayout zu 
tun. Die max. Spannung liegt bei etwa 25 Volt, sodaß die Fets noch nicht 
gefährdet sind und ich das wohlmöglich so lasse, wenn ein Kondensator 
oder auch 2 nicht helfen.

von hinz (Gast)


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Du solltest Kollektorschaltung nehmen, nicht Emitterschaltung.

von Peter K. (peter_k970)


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hinz schrieb:
> Du solltest Kollektorschaltung nehmen, nicht Emitterschaltung.

Das hatten wir doch schon, ergab sanftes Ausschalten,,,

von Ach Du grüne Neune (Gast)


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Warum nimmst du nicht diese Schaltung vom schrecklichen Sven?

Beitrag "Re: Mosfetschalter, geht es schneller?"

R1 auf 470R vergrößern und noch die drei 10R Widerstände vor die Gates 
und dann ist es doch perfekt.
Die Entkopplung vom Lastkreis ist dann auch noch durch deine 9V Z-Diode 
erhalten geblieben.

(C6 kann entfallen und R9 kann auf 2k2 vergrößert werden).

von hinz (Gast)


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Peter K. schrieb:
> hinz schrieb:
>> Du solltest Kollektorschaltung nehmen, nicht Emitterschaltung.
>
> Das hatten wir doch schon, ergab sanftes Ausschalten,,,

Offensichtlich nur bei dir. Bei allen anderen funktioniert das bestens.

von Dieter (Gast)


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Peter K. schrieb:
> Ich befürchte die Schwingungen haben etwas mit dem Platinenlayout zu
> tun. Die max. Spannung liegt bei etwa 25 Volt, sodaß die Fets noch nicht
> gefährdet sind

Dieter schrieb:
> Auch vor den Mosfets kann durch die Induktion bei 200A eine
> Spannungsspitze auftreten. Möglich wäre ein Snubber oder ein
> Überspannungsableiter (schnelle Supressor-Diode oder Varistor).

Das ist der Flyback der parasitären Induktivität der Last, 
bzw.Leitungen. Der Peak ist meist nur in der Simulation noch so 
niedlich.

von Peter K. (peter_k970)


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Ach Du grüne Neune schrieb:
> Warum nimmst du nicht diese Schaltung vom schrecklichen Sven?
>

Worin siehst du da den großen Unterschied zu der Schaltung die ich 
getestet habe und die nichts brachte?
https://www.mikrocontroller.net/attachment/450081/Mosfetschalter_neu.png

von Thom Lab (Gast)


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Es gibt da auch die Möglichkeit einen Mosfet-Treiber zu nehmen, z.B. 
MCP1406 oder MCP1407

von Ach Du grüne Neune (Gast)


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Peter K. schrieb:
> Worin siehst du da den großen Unterschied

Ganz einfach: Die 7,6 Volt haben vermutlich nicht ganz ausgereicht die 
MOSFET's ganz durchzusteuern. 9V minus 0,7 V im NE555 minus 0,7V vom 
BC337 = 7,6 Volt.

Normalerweise sind Kollektorschaltungen nämlich sehr niederohmig und 
ermöglichen gerade deshalb ein schnelles Umladen der Gatekapazitäten. 
Und sie lassen sich ohne Totzeiten einfach ansteuern.

Mit der Schaltung vom schrecklichen Sven hast du das niedrige 
Spannungsproblem erst gar nicht. Im Gegenteil die 24 Volt vom Lastkreis 
sind wahrscheinlich jetzt sogar schon wieder etwas zu hoch?

von Peter K. (peter_k970)


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Ach Du grüne Neune schrieb:
> Peter K. schrieb:
>> Worin siehst du da den großen Unterschied
>
> Ganz einfach: Die 7,6 Volt haben vermutlich nicht ganz ausgereicht die
> MOSFET's ganz durchzusteuern. 9V minus 0,7 V im NE555 minus 0,7V vom
> BC337 = 7,6 Volt.
>
> Normalerweise sind Kollektorschaltungen nämlich sehr niederohmig und
> ermöglichen gerade deshalb ein schnelles Umladen der Gatekapazitäten.
> Und sie lassen sich ohne Totzeiten einfach ansteuern.
>
> Mit der Schaltung vom schrecklichen Sven hast du das niedrige
> Spannungsproblem erst gar nicht. Im Gegenteil die 24 Volt vom Lastkreis
> sind wahrscheinlich jetzt sogar schon wieder etwas zu hoch?

Das Einschalten war doch nicht das Problem, selbst 7 V steuern die 
Mosfets durch, es geht um das Ausschalten, also das Freiräumen der 
Gates. Bei meiner ersten Schaltung und nun bei der letzten kann ich 
nicht erkennen, das eine höhere Gate-Spannung für ein besseres 
Ausschalten sorgt.

von MaWin (Gast)


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Peter K. schrieb:
> Das Ergebnis meiner letzten Schaltung

Irre, wie kann man so merkbefreit sein.

Ach Du grüne Neune schrieb:
> Nein, weil sonst beim Umschaltvorgang kurzzeitig beide Transistoren
> gleichzeitig durchschalten und so einen Kurzschluss erzeugen würden.

von qwertzuiopü+ (Gast)


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Peter K. schrieb:
> Deine Überlegungen sind leider nicht korrekt. Es geht hier um Impulse
> von max. 200 ms.

200 ms sind für die thermische Kapazität des MOSFET-Gehäuses doch schon 
quasi Dauerbelastung. Irgendeine Form von Kühlkörper als "thermischer 
Klotz" ist da schon nötig, zumindest wenn es zuverlässig werden soll.

von Stephan (Gast)


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Warum eigentlich einen FET mit 10V Vgs? Es ist ja nicht verboten einen 
LL FET mit 10V anzublasen. Ich habe für Fahrtenregler gern IRL3803 
benutzt. Allerdings NUR 30V.

von Dieter (Gast)


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Irgendetwas anzublasen, das schlag Dir im Zeitalter des Coronas aus dem 
Kopf.


Wenn genügend Spannung vorhanden ist, nimmt man keinen LLMosfet.

Mit einem zweiten NE555 könnte sich der TO doch noch eine kleine 
negative Hilfsspannung erzeugen um den Mosfet besser auszuräumen.

von Stephan (Gast)


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Dieter schrieb:
> Wenn genügend Spannung vorhanden ist, nimmt man keinen LLMosfet.

Dafür hätte ich doch gern mal eine Begründung.

von Stephan (Gast)


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Dieter schrieb:
> Irgendetwas anzublasen, das schlag Dir im Zeitalter des Coronas aus dem
> Kopf.

Da müssen ja wohl alle U-Boote unten bleiben? Is ja nix mit Anblasen 
:-)))

von Dieter (Gast)


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Die niedrigere Gate-Spannung wird erkauft damit, dass dafür ein paar 
andere Daten halt schlechter sind. Das ist schnell zu sehen beim 
Vergleich von Datenblättern.

von Sven S. (schrecklicher_sven)


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Peter K. schrieb:
> Das Ergebnis meiner letzten Schaltung, siehe oben, zeigt Bild (Aus
> 2.png), hier ist der Ausgang die blaue Linie. Die Schaltung sorgt für
> einen sanften Ausschaltvorgang, welcher aber nicht erwünscht ist.

Selber schuld, wenn Du da fahrlässigerweise einen Widerstand verbaust, 
der den Basisstrom für die Transistoren minimiert. So bleibt deren 
Potential ungenutzt. Meine Hinweise würden durchaus mehr Beachtung 
verdienen:

Sven S. schrieb:
> Und noch was: R2 ist viel zu groß.
> Einfach weglassen.

von Dieter (Gast)


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Du würdest bei der Schaltung vom Beitrag 27.03.2020 12:00 den R2 ganz 
weglassen. Ob das so eine gute Idee ist, wenn der NE555 Ausgang auf Vss 
hochspringt?

Sinnvollerweise wird R2 so ausgelegt, dass im maximalen Fall zwischen 
5...10mA durch diesen fließen.

von Dieter (Gast)


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Der TO möge bei seiner Simulation dort wo im Schaltplan "blau" 
27.03.2020 12:00 steht, den Strom plotten lassen.

von Peter K. (peter_k970)


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Sven S. schrieb:
> Selber schuld, wenn Du da fahrlässigerweise einen Widerstand verbaust,
> der den Basisstrom für die Transistoren minimiert. So bleibt deren
> Potential ungenutzt. Meine Hinweise würden durchaus mehr Beachtung
> verdienen:

Das man Schalttransistoren nicht übermäßig in die Sättigung treiben soll 
ist ja wohl auch bekannt, für die Basis bleiben mehr als 2 mA übrig, mal 
300 gibt 600 mA, damit kann man bei den bekannten Kapazitäten an den 
Fets die Zeitkonstante ungefähr ermitteln, ich meine das reicht.
Wenn ich deine Schaltung nich genug gewürdigt habe, tut es mir leid, es 
gibt hier aber sehr unterschiedliche Meinunghen die sich oft 
widersprechen und auch nicht zielführend sind, das ist meine pers. 
Meinung ohne jemandem zu nahe treten zu wollen.

von Peter K. (peter_k970)


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Dieter schrieb:
> Der TO möge bei seiner Simulation dort wo im Schaltplan "blau"
> 27.03.2020 12:00 steht, den Strom plotten lassen.

Was ist mit Simulation? Da kann ich nix bieten, alles ist aufgebaut und 
wird gemessen.

von Dieter (Gast)


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Peter K. schrieb:
> Schalttransistoren nicht übermäßig in die Sättigung treiben soll

Dafür gibt es den Kniff einer Diode zwischen Basis und Kollektor.

Siehe hier:
https://de.wikipedia.org/wiki/Schottky-TTL
https://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0208031.htm

von Sven S. (schrecklicher_sven)


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Peter K. schrieb:
> Das man Schalttransistoren nicht übermäßig in die Sättigung treiben soll

Als Spannungsfolger geraten sie nicht in die Sättigung.

von Wolfgang (Gast)


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Jens G. schrieb:
>>Ein Widerstand mit ~10 Ohm vor jedem Gate wäre kein Fehler.
>
> Nur wo bekommt man negative Widerstände her? ;-)

Setz mal die Brille auf ...

von Peter K. (peter_k970)


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Dieter schrieb:
> Dafür gibt es den Kniff einer Diode zwischen Basis und Kollektor.

Ja das ist mir bekannt, die Schaltzeiten der Transistoren liegen ja aber 
schon im Nanosekunden Bereich, ob es was bringt da nochmal 50 ns 
rauszuholen weiß ich nicht. Hier meine letzte Analyse zum Bild.
Ab einen gewissen Wert der Gatespannung schalten Die Mosfets sehr 
schnell aus, auf den ersten Blick, dann schwingt es. Gelingt es mir die 
Schwingungen zu beseitigen, wäre alles bestens. Die Wellen bei Violett, 
Gelb und Blau, sind nicht die Ursache für die Schwingungen, sondern das 
Resultat daraus,, so sehe ich das, wirkt auf den ganzen Aufbau.

von Jens G. (jensig)


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Peter K. schrieb:

>Das man Schalttransistoren nicht übermäßig in die Sättigung treiben soll
>ist ja wohl auch bekannt, für die Basis bleiben mehr als 2 mA übrig, mal
>300 gibt 600 mA, damit kann man bei den bekannten Kapazitäten an den
>Fets die Zeitkonstante ungefähr ermitteln, ich meine das reicht.


Dieter (Gast) schrieb:

>Peter K. schrieb:
>> Schalttransistoren nicht übermäßig in die Sättigung treiben soll

>Dafür gibt es den Kniff einer Diode zwischen Basis und Kollektor.

Nix Kniff - ein Emitterfolger geht nicht in Sättigung.

@ Peter K.
Laß den R2 weg (oder max. wenige 10Ohm), der stört nur, und begrenzt 
sinnlos die Ströme.
Und Beta=300 hat der ohnehin nicht, wir wollen den Transistor ja nicht 
nur bei 100mA betreiben, wo dieser Wert gelten könnte, sondern möglichst 
bis in den A-Bereich für schnelles Umladen der Gates.

Jedenfalls bekommt man mit einem 555 und einer solchen simplen 
Treiberschaltung und dicken Mosfets lässig Umschaltzeiten um/unter 
100ns, wenn man für entsprechende Niederohmigkeit sorgt, und 
logischerwiese auch keine kurzangebundene Abblock-Cs fehlen, und der 555 
mit 12V betrieben wird (also laß die Z-Diode weg - stört nur, und 
braucht der 555 nicht.
Daß es bei Dir reichlich an Kondensatoren im Lastkreis fehlt, ist 
ziemlich offensichtlich. Deswegen die Schwingungen.
Was sind das überhaupt für komische Teile an den Gatewiderständen? 
Kondensatoren über dieselben? Dann kannste die Gatewiderstände auch 
gleich ganz weglassen.

von mark space (Gast)


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Sehe ich das richtig dass da mit 100us/div gemessen wurde? Das wären ja 
unterirdisch miserable Schaltzeiten.

von Jens G. (jensig)


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Wolfgang (Gast) schrieb:

>Jens G. schrieb:
>>>Ein Widerstand mit ~10 Ohm vor jedem Gate wäre kein Fehler.
>>
>> Nur wo bekommt man negative Widerstände her? ;-)

>Setz mal die Brille auf ...

Ohh tatsächlich - das ist ja ein krummes Minus ...

von Jens G. (jensig)


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mark space (Gast) schrieb:

>Sehe ich das richtig dass da mit 100us/div gemessen wurde? Das wären ja
>unterirdisch miserable Schaltzeiten.

Auf Anraten von Wolfgang habe ich mir jetzt mal die Brille aufgesetzt - 
da ist eindeutig ein Punkt zw. 1 und 00 ...
Wobei der TO uns wohl noch nicht komplett erklärt hat, für welche 
Meßpunkte die einzelnen Farben stehen.

: Bearbeitet durch User
von Peter K. (peter_k970)


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Jens G. schrieb:
> Auf Anraten von Wolfgang habe ich mir jetzt mal die Brille aufgesetzt -
> da ist eindeutig ein Punkt zw. 1 und 00 ...
> Wobei der TO uns wohl noch nicht komplett erklärt hat, für welche
> Meßpunkte die einzelnen Farben stehen.

Es sind eindeutig 1µs/Div, was anderes hätte ich mir nicht erlaubt zu 
veröffentlichen, die Farben sind wie im erste Bild geblieben, hier 
nochmal.
Zwischen X1 und X2 sind für die Tests 10 mOhm geschaltet.

von Dieter (Gast)


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Für die Schwingungen sind auch maßgeblich die Gate-Drain und Gate-Source 
parasitären Kapazitäten verantwortlich.

Dass diese bei lila größer ist als bei blau liegt an der langen Strecke 
von rechts oben nach links unten zwischen den Transistoren. Das ist ein 
echter Layoutfehler, wie aus dem Bilderbuch.

von Peter K. (peter_k970)


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Dieter schrieb:
> Dass diese bei lila größer ist als bei blau liegt an der langen Strecke
> von rechts oben nach links unten zwischen den Transistoren. Das ist ein
> echter Layoutfehler, wie aus dem Bilderbuch.

Das sehe ich anders, parasitäre Kapazitäten ist schon klar, dass die 
Schwingungen bei Violett viel größer sind, liegt doch wohl eher an den 
Innenwiderständen an diese Punkten, bei Violett ist der min. 10 mal 
größer als bei blau.

von Jens G. (jensig)


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eter K. (peter_k970)

>Jens G. schrieb:
>> Auf Anraten von Wolfgang habe ich mir jetzt mal die Brille aufgesetzt -
>> da ist eindeutig ein Punkt zw. 1 und 00 ...
>> Wobei der TO uns wohl noch nicht komplett erklärt hat, für welche
>> Meßpunkte die einzelnen Farben stehen.

>veröffentlichen, die Farben sind wie im erste Bild geblieben, hier
>nochmal.

Stimmt - wieder nicht die richtige Brille aufgehabt.
Aber auch ohne Brille glaube ich sehen zu können, daß keinerlei C den 
Laststromkreis auf der Platine puffert - mit den langen Zu-/Ableitungen 
und den parasitären Cs ergeben sich damit schöne Schwingkreise 
(reichlich 1MHz haste ja schonmal damit). Da ist die Leiterplatte mit 
den halb-fliegenden Teilen wohl eher noch das kleinere Übel.

: Bearbeitet durch User
von Dieter (Gast)


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Die Platine hast Du bereits und kannst also nur noch etwas nachbessern. 
Layoutfehler sind damit nicht mehr zu ändern. 400A und die Schwingungen 
haben nicht unkräftige elektromagnetische Felder. Die haben solche lange 
Wege zum Knuddeln gerne.

Ein Überspannungsableiter für den ersten Überschwinger der grünen Kurve 
bleibt da nur zum Nachbessern auf der Liste ganz oben.

von Jens G. (jensig)


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>Ein Überspannungsableiter für den ersten Überschwinger der grünen Kurve
>bleibt da nur zum Nachbessern auf der Liste ganz oben.

Die Transistoren werden den Überschwinger schon überleben, da die 
durchaus eine gewisse (Avalanche-)Energie aushalten. Abblock-Cs mit 
niedrigem ESR würde ich daher als allererstes ganz oben auf der Liste 
platzieren.

von Peter K. (peter_k970)


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Jens G. schrieb:
> Die Transistoren werden den Überschwinger schon überleben, da die
> durchaus eine gewisse (Avalanche-)Energie aushalten. Abblock-Cs mit
> niedrigem ESR würde ich daher als allererstes ganz oben auf der Liste
> platzieren.

Hab ich soeben gemacht, 10000 µF mit sehr kleinem ESR, direckt auf die 
Platine gelötet, das haut mir die Fets kaputt, fast 70 V, das kann nicht 
die Lösung sein, der Wurm liegt woanders,

von Dieter (Gast)


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Setze noch mal die Brille auf und schaue Dir das Schaltzeichen genau an.

Abblock Cs erhöhen aber die Verluste beim Einschaltvorgang.

von Jens G. (jensig)


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Dieter (Gast) schrieb:

>Setze noch mal die Brille auf und schaue Dir das Schaltzeichen genau an.

Welches Schaltzeichen?

>Abblock Cs erhöhen aber die Verluste beim Einschaltvorgang.

Nöö - die sorgen nur dafür. daß die Schaltung die Ströme bekommt, die 
sie verlangt.


Peter K. (peter_k970) schrieb:

>Hab ich soeben gemacht, 10000 µF mit sehr kleinem ESR, direckt auf die
>Platine gelötet, das haut mir die Fets kaputt, fast 70 V, das kann nicht
>die Lösung sein, der Wurm liegt woanders,

Mich wundert es, was Deine Oszillogramme für Verögerungszeiten zeigen. 
Und vor allem, daß der Ausgangsschwinger sich voll auf die Eingangseite 
legt. Wo hast Du denn den C angebunden? Sieht nach Mißachtung von 
Masseführung aus, wo der Laststrom die Teile vorm Gate überlagert.

von Dieter (Gast)


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Jens G. schrieb:
> Welches Schaltzeichen?

Symbol Transistor, Symbol MOSFET, Symbol IGBT.

Jens G. schrieb:
> Nöö - die sorgen nur dafür. daß die Schaltung die Ströme bekommt, die
> sie verlangt.

Probiere es noch mal mit Gleitsichtbrille. Heute ist Freitag, und die 
Brille im Abfluss, (Reihnard Mey).

Guck mal wo die Masse am MOSFET ist.

von Peter K. (peter_k970)


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Jens G. schrieb:
> Mich wundert es, was Deine Oszillogramme für Verögerungszeiten zeigen.
> Und vor allem, daß der Ausgangsschwinger sich voll auf die Eingangseite
> legt. Wo hast Du denn den C angebunden? Sieht nach Mißachtung von
> Masseführung aus, wo der Laststrom die Teile vorm Gate überlagert.

C war genau zwischen Plus und Masse, die Gatewiderstände sind min. 5 mm 
über  der Masseleiterbahn. Die Leiterbahn für die Gatewiderstände unter 
der Masse wurde noch nicht genutzt, das wurde zunächst mit der losen 
Verdrahtung gemacht. Eine neue Platine hab ich schnell gemacht, jedoch 
muss das auch Sinn machen und nicht wegen jedem neuen Widerstand.
Was meinst du mit den Verzögerungen?

von Jens G. (jensig)


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Dieter (Gast) schrieb:

>Symbol Transistor, Symbol MOSFET, Symbol IGBT.

>Guck mal wo die Masse am MOSFET ist.

Ich kann mit Prosa nicht viel anfangen - werd' mal konkreter ...

von Jens G. (jensig)


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Peter K. (peter_k970)

>Was meinst du mit den Verzögerungen?

Na Dein Oszillogramm zeigt doch etliche µs zwischen den Flanken der 
Oszi-Kanäle ....

von Dieter (Gast)


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Jens G. schrieb:
>  werd' mal konkreter ...
Nicht alle dreipinnige sind Transistoren.

Bei Dir ist heute Freitag oder ein Coronasmptom.

von Sven S. (schrecklicher_sven)


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Dieses Platinchen hat mit 400 Ampere nichts zu tun.
Da könntest Du vielleicht noch ein Zehntel davon drüberschicken.

Bei dem Strom wirken sich die Leiterbahnwiderstände, die ich mit "R" 
markiert habe, schon aus. Zeichne das mal auf, ich wette, das ist ein 
Oszillator. Du kannst ja mal das Oszi da dran halten, wo die Pfeile 
sind, um das zu überprüfen.
Daß nennenswert Wärme in den Mosfets entsteht, hast Du selbst schon 
festgestellt. Ohne Kühlkörper geht da nichts, besonders wenn 
Schaltverluste dazugerechnet werden. Und die werden da sein, denn die in 
den Leitungsinduktivitäten gespeicherte Energie muß irgendwo hin. Die 
Kabel sind auch frei verlegt und bilden schöne Luftspulen.

Du hast die Wahl:
Langsam schalten, und die Wärmeentwicklung in den Transistoren in Kauf 
nehmen, oder schnell schalten, und die dabei auftretenden Effekte in den 
Griff kriegen.

von Dieter (Gast)


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Die Angabe 1us bezieht sich entweder auf eine Kaestchenbreite oder auf 
den ganzen Bildschirm von 14 Kaestchen. Was wurde bei den Einstellungen 
denn gewaehlt fuer die Anzeige?

von Peter K. (peter_k970)


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Sven S. schrieb:
> Dieses Platinchen hat mit 400 Ampere nichts zu tun.
> Da könntest Du vielleicht noch ein Zehntel davon drüberschicken.
>
> Du hast die Wahl:
> Langsam schalten, und die Wärmeentwicklung in den Transistoren in Kauf
> nehmen, oder schnell schalten, und die dabei auftretenden Effekte in den
> Griff kriegen.

Vielen Dank für deine Mühe, deine Anmerkungen treffen für gewisse Punkte 
auch zu, du kennst halt nicht die ganze Wahrheit.
Die Leiterbahnen sind natürlich über die 70µ Kupferbahn hinaus 
verstärkt, mit 2 mal 1mm CU Draht und dann halt noch der Lötzinn. Der 
Widerstand von links angefangen zum ersten MOSFET beträgt 320 µOhm, zum 
2. 640 µOm zum dritten 920 µOhm. Der max. Strom fließt ja auch nur über 
den ersten Widerstand von 320 µOhm. Wenn man sich die Beinchen der FETs 
ansieht, kann man auch nicht glauben, dass dieser Typ 120 A als 
Dauerstrom schalten soll, (Wire Bond Limit), 150 A (Silicon Limit) und 
die Widerstände bis zum Silizium kriegt man auch nicht verringert. Der 
Pulsstrom ist sogar mit 840 A genannt, das hält die Leiterbahn dann auch 
locker aus, die anderen Probleme, Induktion usw. lösen dicke 
Leiterbahnen allerding auch nicht unbedingt komplett.

Ich denke das ich einen Kompromiss zwischen langsameren Schalten, also 
mehr Wärme, anstatt den unberechenbaren Schwingungen anstrebe.

von Peter K. (peter_k970)


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Jens G. schrieb:
> Peter K. (peter_k970)
>
>>Was meinst du mit den Verzögerungen?
>
> Na Dein Oszillogramm zeigt doch etliche µs zwischen den Flanken der
> Oszi-Kanäle ....

Erwartest du, dass alles gleizeitig von a nach b stattfindet? Das sind 
Elektonen, keine Quanten. Wie weit die Anstiegszeiten des Oszi da noch 
mitspielen, darüber hab ich mir noch keine Gedanken gemacht, das sollen 
weniger als 4 ns sein.

von Jens G. (jensig)


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Peter K. (peter_k970)

>Jens G. schrieb:
>> Peter K. (peter_k970)
>>
>>>Was meinst du mit den Verzögerungen?
>>
>> Na Dein Oszillogramm zeigt doch etliche µs zwischen den Flanken der
>> Oszi-Kanäle ....

>Erwartest du, dass alles gleizeitig von a nach b stattfindet? Das sind
>Elektonen, keine Quanten. Wie weit die Anstiegszeiten des Oszi da noch
>mitspielen, darüber hab ich mir noch keine Gedanken gemacht, das sollen
>weniger als 4 ns sein.

Nein, aber innerhalb weit unter 1µs sollte der Impuls durch alle Stufen 
schon durch sein, nicht wie bei Dir innerhalb mehrerer µs.
Da spielt auch die Anstiegszeit des Oszis keine Rolle, denn die ist ja 
bei allen Kanälen gleich.
Man sieht sehr schön, daß Deine "Treiberstufe" alles andere als treibend 
ist. Ein Gegentaktemitterfolger (npn/pnp) direkt zw. 555 und Mosfets 
sollte da weit besser aussehen.

Daß jetzt  ein massiver Überschwinger entsteht, liegt einfach daran, daß 
jetzt wirklich ein hoher Strom fließt (aus dem C zumindest für's erste), 
der ohne C bei weitem nicht erreicht wurde, und weil Dein Lastkreis 
offensichtlich schwer induktivitätsbehaftet ist. Also entweder ein 
gewickelter Lastwiderstand, oder die Zuleitungen zu diesem bilden eine 
schöne Leiterschleife. Schön eng parallel sollten die beiden 
Ausgangsleitungen liegen, damit wenigstens deren L-Anteil sich 
weitgehend auslöscht.


Dieter (Gast) schrieb:

>Jens G. schrieb:
>>  werd' mal konkreter ...
>Nicht alle dreipinnige sind Transistoren.

>Bei Dir ist heute Freitag oder ein Coronasmptom.

Du sprichst immer noch in Rätseln - war vielleicht schon zu spät für 
Dich, daß Du Dich nicht mehr klar ausdrücken kannst.
Vielleicht hast Du aber auch noch nicht ganz mitgeschnitten, daß auch 
Mosfets Transistoren sind, und selbst IGBT als solche bezeichnet werden. 
Vielleicht war ja das Dein Problem, welches Du mir mitteilen wolltest 
...

: Bearbeitet durch User
von Stromberg B. (Gast)


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Jens G. schrieb:
> Schön eng parallel sollten die beiden Ausgangsleitungen liegen, damit
> wenigstens deren L-Anteil sich weitgehend auslöscht.

Genau, denn bei niederohmigen Lasten im Milliohm Bereich, genügen schon 
geringste Induktivitäten für eine negative Auswirkung. Auch bei 
Kabelquerschnitten von 35 oder 70 qmm.

von Dieter (Gast)


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Jens G. schrieb:
> Mosfets Transistoren sind, und selbst IGBT als solche bezeichnet werden.

Dir war der Bug unterlaufen, Mosfets sind auch Transistoren und hast 
beim Mosfet einen Effekt herangezogen, der für npn/pnp gilt, aber nicht 
für Mosfets.

Ein paar parasitäre Elemente habe ich eingezeichnet. Das müßte die 
Überschwinger mit verursachen. Zusätzlich wurde noch eine andere 
Begrenzungsmethode für den positven Überschwinger ergänzt. Hier ist eine 
Variante nicht mit Überspannungsableiter.

von Peter K. (peter_k970)


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Jens G. schrieb:

>>Erwartest du, dass alles gleizeitig von a nach b stattfindet? Das sind
>>Elektonen, keine Quanten. Wie weit die Anstiegszeiten des Oszi da noch
>>mitspielen, darüber hab ich mir noch keine Gedanken gemacht, das sollen
>>weniger als 4 ns sein.
>
> Nein, aber innerhalb weit unter 1µs sollte der Impuls durch alle Stufen
> schon durch sein, nicht wie bei Dir innerhalb mehrerer µs.
> Da spielt auch die Anstiegszeit des Oszis keine Rolle, denn die ist ja
> bei allen Kanälen gleich.
> Man sieht sehr schön, daß Deine "Treiberstufe" alles andere als treibend
> ist. Ein Gegentaktemitterfolger (npn/pnp) direkt zw. 555 und Mosfets
> sollte da weit besser aussehen.
>
Wenn ein Elektriker nicht mehr weiter weiß, fängt er an zu rechnen, 
alter Spruch eines Dozenten.
Also hab ich mal etwas gerechnet, bezogen auf eine  Aufzeichnung des 
Ausschaltvorganges.
Gelb ist der Ausgang vom NE555, Violett am Kollektor des nachfolgenden 
Transistors. Die Verzögerung spielt keine Rolle, weil Violett -- Blau 
schaltet, kaum verzögert, und Blau (Gate) dann Grün (Drain).  Nach 
meinen Berechnungen sind die Vorgänge absolut korrekt, bis auf die blöde 
Schwingung danach.
Die Eingangskapazität der MOSFETs sind mit 6,5 nF ziemlich hoch, ist 
halt so wegen dem hohen Strom und der großen Gate Fläche,  mal 3 macht 
19,6 nF.  Bei einer Gate Spannung von  8 V ergibt das eine Energie von 
157 nC, gerundet. Wenn dieser Kondensator mit 200 mA entladen wird, 
ergibt das eine Zeitkonstante von 784 ns für Vollentladung. Diese muss 
nicht erreicht werden, da der FET schon vorher wieder öffnet, 500 ns 
sind es aber noch in jedem Fall. Auch  gegen diese Verzögerungen ist 
nichts einzuwenden, weil Grün beim ersten Anstieg steil genug ist.

von Dieter (Gast)


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Dummerweise ist oft der Zustand beim Einschalten des NE555, dass dieser 
erst mal den Ausgang High werden läßt und die Schaltung dahinter 
invertieren muss. Beim dieser Schaltung ist/war das aber kein Problem.

Theoretisch könnte der NE555 die Mosfets direkt treiben in den 
On-Zustand. Für das Ausräumen in den Off-Zustand wird aber Verstärkung 
benötigt. Der angehängte Schaltplan trägt dem Rechnung.
(D8 wird benötigt, wenn an dieser Stelle auch noch ein Boost mit 
Bootstrapping für den positiven Impuls ergänzt würde.)

von Peter K. (peter_k970)


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Dieter schrieb:
> Theoretisch könnte der NE555 die Mosfets direkt treiben in den
> On-Zustand. Für das Ausräumen in den Off-Zustand wird aber Verstärkung
> benötigt. Der angehängte Schaltplan trägt dem Rechnung.
> (D8 wird benötigt, wenn an dieser Stelle auch noch ein Boost mit
> Bootstrapping für den positiven Impuls ergänzt würde.)

Das könnte ich ja mal probieren, ob der Basisstrom von 50 mA durch den 
BC 548 dem noch bekommt, ist allerdings fraglich. De NE555 brauch nicht 
direkt einschalten, das hat bisher mit jeder Variante gut funktioniert.
Simulationen sind Theorie, wenn es keinen Unterschied zwischen Theorie 
und Praxis gäbe, wäre eine Disziplin überflüssig.

von Dieter (Gast)


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Wenn die Flanken zu flach sein sollten, empfiehlt es sich zu dem 
Wiederstand einen Kondensator mit mindestens ca. 10x der parasitären 
Kapazität der Transistoren (in Reihe mit 1/10 des Widerstandswertes) 
parallel zu schalten.

Welcher Strom gebraucht wird, musst Du halt zurückrechnen, dann den 
passenden Transistor wählen oder mehrere BC parallel mit jeweils einem 
Basisvorwiderstand zur halbwegsbrauchbaren Symmetrierung. Ein FZT491 
verträgt zum Beispiel mehr.

Zum Beispiel habe das Gate 12V, 20nF. 1V/us wären dann 20mA, wären bei 
12V in 1us dann 240mA.
Wenn beta, bzw. hfe da noch 50 hätte, dann würden 5mA Basistrom reichen, 
nimmt man besser fast 10 mA. Der andere Transistor habe beta 100. Also 
würden 0,1mA gerade reichen. Da nimmt man aber besser fast 1mA. usw...

von hinz (Gast)


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Wenn ich mir

https://www.mikrocontroller.net/attachment/450243/P1010944_01.JPG

ansehen, dann wundern mich Artefakte kein bisschen.

von voltwide (Gast)


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hinz schrieb:
> Wenn ich mir
>
> https://www.mikrocontroller.net/attachment/450243/P1010944_01.JPG
>
> ansehen, dann wundern mich Artefakte kein bisschen.

Und dazu die Beiträge einiger Möchtegern-Experten hier...

von Dieter (Gast)


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voltwide schrieb:
> Und dazu die Beiträge einiger Möchtegern-Experten hier...

Insgesamt kommen dadurch überraschend häufig die verschiedenen Aspekte 
zu Tage an die man gar nicht gedacht hatte.

Auf jeden Fall kommt der TO über die Leitungen mindstens auf eine 
Induktivität von etwa 1µH. Beim Einschalten wäre das eine Stromsteilheit 
bei 12V von ungefähr 12A/µs, sofern keine zusätzlchen C in der Nähe der 
Mosfet angeschlossen sind. Die Spannungssteilheit beim Einschalten ist 
natürlich höher. Die Resonanzfrequenz in Verbindung mit den parasitären 
Kapazitäten der Mosfets liegt damit im Bereich von 1-10 Mhz.

Beim Ausschalten gibt es den Flyback. Die dadurch entstehenden 
Schwingungen sind gut zu sehen. Der TO sollte den linken Teil der 
Schaltung vom 28.03.2020 17:25 ergänzen und dann noch einmal messen.

Als kleiner Tip sei noch genannt, dass man über den Widerstand R4 noch 
eine Schaltung einer LED hängen könnte.

(Geändert auf einen kleineren Kondensator, einer schnellen Diode und 
Widerstand, so dass nur ein unbedeutender Teil der Energie entnommen 
wird, kann man sich mittels der LED oder Messung des Spannungsanstieges 
am C schön vergleichend sehen, ob sich etwas verbessert oder 
verschlechtert hat.)

Das Layout hat natürlich sichbare Mängel. Aber alles hat der TO dabei 
nicht falsch gemacht. Zum Beispiel sei hier die Verteilung des Ein- zum 
Ausgang des Stromes über den MOSFET genannt, so dass die parallelen 
Ströme insgesamt die gleiche Strecke auf der Platine haben.

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