Hallo, ich habe bisher immer einen Bogen um PNP gemacht, jetzt habe ich
aber einen Anwendungsfall das ich auf der High side schalten muss. Kann
diese Schaltung unten funktionieren oder schaltet der T2 nicht voll
durch weil am T1 0,7V hängen bleiben oder sieht er hier eine zu hohe
Spannung an seiner Basis? R2 sollte doch beide Basisströme begrenzen
oder sollte man hier zw. T1 und T2 einen weiteren Widerstand einfügen?
Über ein paar Tips wäre ich sehr dankbar.
Die Schaltung wird zwar funktionieren, aber da der BD650 ein Darlington
ist, schaltet er nicht richtig durch (also nicht auf die übliche Ucesat
von ~0,2V, sondern es bleibt etwa 1V Ucesat) und muss bei 3,6A gekühlt
werden.
Jörg R. schrieb:> newbie schrieb:>> Über ein paar Tips wäre ich sehr dankbar.>> Weshalb nicht Lowside mit einem N-Channel Mosfet?
Darum:
>> ...jetzt habe ich aber einen Anwendungsfall das ich auf der High side>> schalten muss.
newbie schrieb:> Kann diese Schaltung unten funktionieren
Ja.
Die Schaltung ist sogar recht pfiffig, weil man nur 1 Widerstand braucht
und 5mA Basisstrom für den Darlington anliegen egal wie hoch die
Heizspannung ist.
Der BD650 Darlington kann aus den 5mA Basisstrom die Last mit 3.6A
durchschalten, muss aber gekühlt werden weil der Spannungsabfall über 2V
liegen dürfte, das Datenblatt sichert erst bei 12mA unter 2V zu.
Insofern würde ich den Widerstand auf 390 Ohm verringern, die 0.35W hält
der BC547 aus.
Pummliger Wolf schrieb:> Jörg R. schrieb:>> newbie schrieb:>>> Über ein paar Tips wäre ich sehr dankbar.>>>> Weshalb nicht Lowside mit einem N-Channel Mosfet?>> Darum:>>> ...jetzt habe ich aber einen Anwendungsfall das ich auf der High side>>> schalten muss.
Sorry, übersehen;-)
@TO
Weshalb muss ein Heizwendel High Side geschaltet werden? Vermutlich ist
das Teil schon verbaut und mit GND verbunden. Oder gibt es noch einen
Grund?
Jörg R. schrieb:> Weshalb nicht Lowside mit einem N-Channel Mosfet?> Nur ein Transistor, Verlustleistung am Transistor ca. 200mW
Weshalb nicht HighSide (wie gewünscht) mit einem pMOSFET? So, z.B.:
1
36V S D
2
o--------o----+^+-----.
3
| ||| |
4
.-. === |
5
| | | |
6
10k | | | |
7
'-' | |
8
| | |
9
o----' |
10
| |
11
.-. |
12
| | |
13
22k | | |
14
'-' |
15
| .-. Heizung
16
5k | ( ~ )
17
___ |/ '-'
18
o-|___|--| BC547 |
19
|> |
20
| |
21
0V | |
22
o---------o------------' GND
23
(created by AACircuit v1.28.6 beta 04/19/05 www.tech-chat.de)
Gut, diese Variante benötigt dann zwei Widerstände mehr, aber das kann
nicht der Hauptgrund sein. Hat aber dafür so gut wie keine
Verlustleistung im FET und auch weniger in T1.
Und wieso überhaupt einen Emitterfolger für T1 an der Stelle?
Und es gäbe auch noch die Smartswitches (BTSxxxx) ...
HildeK schrieb:> Gut, diese Variante benötigt dann zwei Widerstände mehr
Geht auch mit insgesamt nur 2 Widerständen.
1. Emitterwiderstand so wie vom TO vorgesehen für konstanten Strom.
2. Widerstand zwischen Gate und Source für konstante Ugs.
Der Ewige schrieb:> Egon D. schrieb:>> newbie schrieb:>>>>> R2,750>>>> OH GOTT!>> Was gibt es, Egon?
HErr, strafe die Verbrecher, die zwischen zwei Zahlen
nicht wenigstens ein Wort schreiben!
HildeK schrieb:> Und wieso überhaupt einen Emitterfolger für T1> an der Stelle?
Weil der in seinem Ausgangskreis (Kollektorkreis)
als KONSTANTSTROMSENKE wirkt!
ArnoR schrieb:> Geht auch mit insgesamt nur 2 Widerständen.
Ja, aber dann bist du von der Ansteuerspannung abhängig. Wenn sie
bekannt ist, wie hier, kann man das machen.
Egon D. schrieb:> Weil der in seinem Ausgangskreis (Kollektorkreis)> als KONSTANTSTROMSENKE wirkt!
Du musst nicht schreien. Das weiß ich schon. Und auch, warum ich das
nicht machen würde; siehe meine Antwort direkt darüber.
HildeK schrieb:> Egon D. schrieb:>> Weil der in seinem Ausgangskreis (Kollektorkreis)>> als KONSTANTSTROMSENKE wirkt!>> Du musst nicht schreien. Das weiß ich schon. Und auch,> warum ich das nicht machen würde; siehe meine Antwort> direkt darüber.
Naja.
Wegen 180mW würde ich mir da keinen Kopf machen.
Kannst ja eine Z-Diode in die Kollektorleitung
schalten, die einen Teil der Verlustleistung
übernimmt.
Die Konstantstrommethode hat den Vorteil, dass
man damit nahezu beliebige Potenzialdifferenzen
überwinden kann.
Egon D. schrieb:> Naja.> Wegen 180mW würde ich mir da keinen Kopf machen.
Die Aussage "weniger Verlustleistung" bezog sich auf die Ansteuerung
eines PNP als Highsideschalter. Die Ansteuerung eines pMOSFET ist das
leistungsä.rmer. Mir ist schon klar, dass es nur um 100-200mW geht.
Deutlicher ist der Vorteil beim Schalter. Der Darlington BD650 mit 2V
UCE bei 3A muss da schon 6W los werden.
Egon D. schrieb:> Die Konstantstrommethode hat den Vorteil, dass> man damit nahezu beliebige Potenzialdifferenzen> überwinden kann.
Der Transistor muss diese beliebige Potenzialdifferenz trotzdem
aushalten. Das ist jetzt kein Unterschied zu meiner Schaltungsvariante.
wieso high side, weil es eine gemeinsame Masse ist und diese nicht
unterbochen werden darf.
Die einzigen PNP die ich da hätte wären, einige BC557, BD650 und 2SA1943
letzerer kann zwar mehr ab hat aber eine nicht so hohe Verstärkung,
ddeswegen habe ich mich für den BD650 entschieden.
Wenn ich jetzt getrennte Basiswiderstände nehme z.B. 250 Ohm für T1 =
20mA Basisstrom, welchen Basiswiderstand kann ich für T2 nehmen um
diesen möglichst weit durchzusteuern, T2 erlaubt zwar 300mA Basistrom
aber T1 kann ja nur 100mA, würde es da mal mit 360 Ohm probieren um das
auf 100 mA zu begrenzen.
Wie berechnet sich dieser oben genannte Spannungsabfall von 2V sind das
die 0,7V die an CE des NPN hängen bleiben und die 2 Übergänge des
Darlingtons?
Ich habe schon etwas Hühnerfutter (Bauteile) hier würde auch eine andere
Schaltung nachbauen es muss eben nur high side mit den vorhandenen
Bauteilen geschaltet werden.
Egon D. schrieb:> Wegen 180mW würde ich mir da keinen Kopf machen.
Eeinen Kopf machen kann man sich eher, ob Du den Thread komplett
angesehen hast.
Einen Kopf machen muß man sich aber um den BD650, der in dieser
Anwendung eine sehr ungeschickte Wahl ist: Datenblatt Seite 2
"Collector-Emitter saturation voltage".
Ich vertrete immer die Meinung, nicht für jeden Sch*** einen FET nehmen
zu müssen - aber hier wäre der sehr sinnvoll.
HildeK schrieb:> Weshalb nicht HighSide (wie gewünscht) mit einem pMOSFET?
Leider hast Du keinen Typ genannt.
Ich ergänze noch den Hinweis, die zulässige UGS nicht zu überschreiten -
das hast Du mit dem Teiler am Gate berücksichtigt.
newbie schrieb:> Wie berechnet sich dieser oben genannte Spannungsabfall von 2V sind das> die 0,7V die an CE des NPN hängen bleiben und die 2 Übergänge des> Darlingtons?
So in etwa. Man schaut in das Datenblatt. Auf jeden Fall musst Du vom
BD650 rund 7 Watt Wärme abführen, das ist unhandlich.
Würdest Du einen P-FET FDD4141 verwenden, hätte der um 13 Millohm. Also
gerundet 0,013 x 3,6 = 50 mV = 170 Milliwatt Verluste.
Das steckt der ohne Kühlung weg und vereinfacht den realen Aufbau
deutlich, ist sogar billiger als der Kühlkörper. Der FDD4141 kann 'nur'
40V UDS, hat also wenig Reserve, vielleicht kommen hier hoch bessere
Vorschläge.
Manfred schrieb:> Auf jeden Fall musst Du vom> BD650 rund 7 Watt Wärme abführen, das ist unhandlich.
Das ist im Extremfall so, typischerweise ist die Ucesat nur ~1V wie ich
oben schrob. Aber egal, es kommt ja eh ein Mosfet rein.
Manfred schrieb:> Egon D. schrieb:>> Wegen 180mW würde ich mir da keinen Kopf machen.>> Eeinen Kopf machen kann man sich eher, ob Du den> Thread komplett angesehen hast.
Sei versichert: Um mich musst Du Dir keinen Kopf
machen.
Und -- nicht alles, was Du nicht verstehst, ist
automatisch falsch.
Manfred schrieb:> HildeK schrieb:>> Weshalb nicht HighSide (wie gewünscht) mit einem pMOSFET?>> Leider hast Du keinen Typ genannt.
Einfach deshalb, weil ich die vorhandene Typenvielfalt nicht auswendig
kenne. Auf den einschlägigen Seiten der Hersteller oder auch bei den
Lieferanten kann man schnell fündig werden.
Inzwischen wurden ja welche genannt!
newbie schrieb:> Die einzigen PNP die ich da hätte wären, einige BC557, BD650 und 2SA1943> letzerer kann zwar mehr ab hat aber eine nicht so hohe Verstärkung,> ddeswegen habe ich mich für den BD650 entschieden.
Lasse ich als Grund nicht gelten, vielleicht noch, wenn du es bereits
anfangs gesagt hättest. Antwort: ja geht, den BD650 musst du kühlen.
Und dann noch:
newbie schrieb:> ja da kommt sowieso ein p-Mosfet
Warum kam auch das nicht schon oben?
HildeK schrieb:> Egon D. schrieb:>> Naja.>> Wegen 180mW würde ich mir da keinen Kopf machen.>> Die Aussage "weniger Verlustleistung" bezog sich> auf die Ansteuerung eines PNP als Highsideschalter.
Und ich bezog mich auf die Floskel "... und auch
weniger in T1". Damit ist ja wohl der Treiber
gemeint.
> Die Ansteuerung eines pMOSFET ist das leistungsärmer.> Mir ist schon klar, dass es nur um 100-200mW geht.> Deutlicher ist der Vorteil beim Schalter. Der> Darlington BD650 mit 2V UCE bei 3A muss da schon 6W> los werden.
???
Die konkrete Wahl des High-Side-Schalters ist doch
völlig unabhängig davon, ob der Treiber als
Open-Collector geschaltet ist oder als Stromsenke.
Wenn der Leistungsschalter ein FET ist, braucht man
so oder so eine Begrenzung für die Gate-Spannung.
> Egon D. schrieb:>> Die Konstantstrommethode hat den Vorteil, dass>> man damit nahezu beliebige Potenzialdifferenzen>> überwinden kann.>> Der Transistor muss diese beliebige Potenzialdifferenz> trotzdem aushalten.
Selbstverständlich.
Die Schaltung als Stromsenke hat aber den Vorteil, dass
man sie sehr leicht gegen diverse Misshandlungen härten
kann. Das finde ich bei Versuchsaufbauten immer recht
nützlich. Ich hasse nämlich Fehlersuche.
YMMV.
>Die Schaltung als Stromsenke hat aber den Vorteil, dass>man sie sehr leicht gegen diverse Misshandlungen härten>kann. Das finde ich bei Versuchsaufbauten immer recht>nützlich. Ich hasse nämlich Fehlersuche.
Bezüglich Spannungsfestigkeit kann man die natürlich härten, indem man
einfach einen entsprechend spannungsfesten T nimmt.
Wenn es aber um Leistungsumsatz in diesem T geht, dann muß man schon ein
bißchen nachrechnen, wenn man mit höheren Spannungen/Treiberströmen
operieren will.
Und bei der Eingangsspanung braucht man dann auch ein bißchen Disziplin.
Wenn das Design für Ue=5V vorgesehen ist, dann sollte man im
vorgesehenen Toleranzband auch dabei bleiben, wenn diesem Treiber ein
P-Kanal mit simplem Gatespannungsteiler folgt.
Aber bei der Variante des TO hat man durchaus eine gewisse Reserve, bis
auf den Fakt, daß die Endstufe bei knapp 4A ein bißchen Leistung
umsetzen muß - also Kühlkörper. Insofern sind die Einwände von HildeK
berechtigt, sich nach einem anderen Konzept umzusehen (also z.B. einen
P_Kanal statt PNP-Darlington)
...mal ganz wertfrei bez. der anderen Kommentare:
Wenn man eine Komplementär-Darl.-Schaltung baut oder bauen möchte, weil
man schnell "mal was zimmern möchte", kann man sich z.B. auch mal
informieren, wie so etwas geht:
http://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/kdarl1.htm
newbie schrieb:> ja da kommt sowieso ein p-Mosfet> https://www.mouser.de/datasheet/2/196/Infineon-IPB110P06LM-DS-v02_00-EN-1578763.pdf> rein. Wollte nur mal auf die schnelle etwas zimmern um ein paar Versuche> machen zu können.
Dann brauchst du unbedingt einen zweiten Widerstand, ansonsten
überschreitest du (bei 36V Highside) dessen maximal zulässige Spannung
zwischen G und S:
ArnoR schrieb:> 1. Emitterwiderstand so wie vom TO vorgesehen für konstanten Strom.> 2. Widerstand zwischen Gate und Source für konstante Ugs.
Egon D. schrieb:> Der Ewige schrieb:>>> Egon D. schrieb:>>> newbie schrieb:>>>>>>> R2,750>>>>>> OH GOTT!>>>> Was gibt es, Egon?>> HErr, strafe die Verbrecher, die zwischen zwei Zahlen> nicht wenigstens ein Wort schreiben!
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Angemeldet seit 20.08.2018 02:15
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Fast 2 Jahre im Forum, 1614 Beiträge...und trotzdem ein Troll.
Kann mich nicht erinnern von Dir mal was Sinnvolles gelesen zu haben?
HildeK schrieb:> Weshalb nicht HighSide (wie gewünscht) mit einem pMOSFET? So, z.B.:
Ja, hast ja Recht. Ich hatte ja geschrieben dass ich das mit dem High
Side überlesen habe. Ich würde es auf jeden Fall mit einem Mosfet lösen,
auch wenn viele andere Vorschläge funktionieren.
newbie schrieb:> ja da kommt sowieso ein p-Mosfet
Das freut die die helfen möchten am meisten? Erst einmal zeigen wie es
dann doch nicht gemacht wird.
2 Cent schrieb:> Dann brauchst du unbedingt einen zweiten Widerstand, ansonsten> überschreitest du (bei 36V Highside) dessen maximal zulässige Spannung> zwischen G und S:
Deine Antwort ist noch nicht mal 1 Cent wert!
Bereits 11.04.2020 17:53 hat HildeK eine Schaltskizze gebracht, die
genau das berücksichtigt.
Einen Hinweis auf UGS habe ich 11.04.2020 19:29 eingeflochten, aber gut,
dass Du es nochmal wiederholst.
Manfred schrieb:> Bereits 11.04.2020 17:53 hat HildeK eine Schaltskizze> gebracht, die genau das berücksichtigt.
Das ändert nichts an der Tatsache, dass die von einigen
so vehement abgelehnte Stromsenke universeller ist.
Aber gut -- das ist nicht mein Problem. Wer nicht will,
der hat schon. Niemand ist VERPFLICHTET, dazuzulernen.
Manfred schrieb:> Einen Hinweis auf UGS habe ich 11.04.2020 19:29 eingeflochten, aber gut,> dass Du es nochmal wiederholst.
Lagerkoller? Eins Cent? Ich wollte dir bestimmt nicht zu nahe treten,
und habe deinen Beitrag nicht überlesen, wollte dem aber nicht direkt
widersprechen. Es ist sinnlos alle suboptimalen Lösungen aufzugreifen
und zu kommentieren.
Und nein: Es ist keine Wiederholung, es ist ein völlig anderer
Lösungsansatz, Spannungsteiler versus Stromsenke.
Ich halte deine angesprochene Lösung nicht für optimal. Am Ende kann
(wird!) eine Basisschaltung die beste Lösung sein, darauf basierte mein
Beitrag. Deswegen die Zustimmung zu ArnoR.
Egon D. schrieb:> Niemand ist VERPFLICHTET, dazuzulernen
Egon, du bist ein Chaot wie er im Lehrbuch steht. Säufzt du zuviel?
Prost!
2 Cent schrieb:> Egon D. schrieb:>> Niemand ist VERPFLICHTET, dazuzulernen>> Egon, du bist ein Chaot wie er im Lehrbuch steht.
Danke für die Blumen.
Magst Du mir auch erklären, an welchen Beobachtungen
Du Dein Urteil festmachst?
> Säufzt du zuviel? Prost!
Naja... :)
Sagen wir so: Wenn ich Fachfragen beantworte -- wie hier
im Thread -- bin ich garantiert nüchtern.
Egon D. schrieb:> 2 Cent schrieb:>>> Egon D. schrieb:>>> Niemand ist VERPFLICHTET, dazuzulernen>>>> Egon, du bist ein Chaot wie er im Lehrbuch steht.>> Danke für die Blumen.
:D
> Magst Du mir auch erklären, an welchen Beobachtungen> Du Dein Urteil festmachst?
Zum Beispiel an solchen Beiträgen:
Egon D. schrieb:> Der Ewige schrieb:>>> Egon D. schrieb:>>> newbie schrieb:>>>>>>> R2,750>>>>>> OH GOTT!>>>> Was gibt es, Egon?>> HErr, strafe die Verbrecher, die zwischen zwei Zahlen> nicht wenigstens ein Wort schreiben!>> Säufzt du zuviel? Prost!>> Naja... :)> Sagen wir so: Wenn ich Fachfragen beantworte -- wie hier> im Thread -- bin ich garantiert nüchtern.
Ohh.
Ächts.
Seuftz.
https://i.ebayimg.com/00/s/NTY1WDgwMA==/z/pEoAAOSwGdtclJEm/$_116.JPG
Egon D. schrieb:> Magst Du mir auch erklären, an welchen Beobachtungen> Du Dein Urteil festmachst?
Dazu muss man nur einige Beiträge in verschiedenen Threads von dir
lesen, nahezu alle überflüssig.
Hatte ich auch schon in diesem Thread hier bemerkt:
Beitrag "Re: Kann man das so machen? PNP Schaltung"
2 Cent schrieb:>> Magst Du mir auch erklären, an welchen Beobachtungen>> Du Dein Urteil festmachst?> Zum Beispiel an solchen Beiträgen:> Egon D. schrieb:>> Der Ewige schrieb:>>>>> Egon D. schrieb:>>>> newbie schrieb:>>>>>>>>> R2,750>>>>>>>> OH GOTT!>>>>>> Was gibt es, Egon?>>>> HErr, strafe die Verbrecher, die zwischen zwei Zahlen>> nicht wenigstens ein Wort schreiben!
Verstehe ich nicht ganz. War das wirklich so schwer
verständlich?
In der Schaltung des TO kommt ein einziger Widerstand
vor. Es ist also nicht verwunderlich, wenn dieser eine
Widerstand mit "R" bezeichnet ist. Gewundert hatte ich
mich nur darüber, dass:
1. ein Emitterwiderstand auf drei Stellen nach dem
Komma angegeben wird und
2. ein Kleinsignaltransistor mit einem Emitterwiderstand
von nicht einmal 3 Ohm benutzt wird.
Es hat eine Weile gedauert, bis der Groschen fiel:
Gemeint war "R2: 750 Ohm" und nicht "R: 2,750 Ohm".
Man schreibt deshalb vernünftigerweise auch nicht:
"Es fehlen in Modul 4 75 Widerstände", sondern: "In
Modul 4 fehlen 75 Widerstände."
Also: Zwischen zwei Zahlen gehört ein Wort -- nicht nur ein
Leer- oder Sonderzeichen.
Vergleiche dazu: Prof. Albrecht Beutelspacher, "Das ist
o.b.d.A. trivial".
Jörg R. schrieb:> Dazu muss man nur einige Beiträge in verschiedenen> Threads von dir lesen, nahezu alle überflüssig.
Ignoriere mich doch bitte einfach -- genauso, wie
ich es in der Regel mit Dir mache.
Danke.
Egon D. schrieb:> Jörg R. schrieb:>>> Dazu muss man nur einige Beiträge in verschiedenen>> Threads von dir lesen, nahezu alle überflüssig.>> Ignoriere mich doch bitte einfach -- genauso, wie> ich es in der Regel mit Dir mache.
Kannst Du für Dich halten wie Du willst. Ich werde Deine unnützen
Kommentare weiterhin kommentieren, wenn ich auf einen stoße.
Egon D. schrieb:> Es hat eine Weile gedauert, bis der Groschen fiel:> Gemeint war "R2: 750 Ohm" und nicht "R: 2,750 Ohm".
Merkst du es schon, oder seufzt du noch?
Genau das isses.
Egon D. schrieb:> Jörg R. schrieb:>>> Dazu muss man nur einige Beiträge in verschiedenen>> Threads von dir lesen, nahezu alle überflüssig.>> Ignoriere mich doch bitte einfach -- genauso, wie> ich es in der Regel mit Dir mache.
Egon, Jörg: Bitte Stop!!!
Was bringt euch/uns ein Krieg?
Mal abgesehen davon +offtopic+gezanke+...
Bier und Chips sind -neben Klopapier- hier immer reichlich gebunkert.
Allerdings: Kriege kennen keinen Gewinner. Also: bitte stoppt dies, es
bringt doch nix.
2 Cent schrieb:> Egon, Jörg: Bitte Stop!!!> Was bringt euch/uns ein Krieg?
Hast ja recht, wobei Krieg ist es noch nicht.
Ich finde es halt unnötig und überflüssig wenn einsilbige Kommentare wie
der von Egon kommen. Eine kurze Erläuterung wäre doch wesentlich
hilfreicher.
Diese Art von Kommentar sind genauso hilfreich wie wenn jemand fragt
„Google kaputt“?
Egon D. schrieb:> newbie schrieb:>>> R2,750>> OH GOTT!Egon D. schrieb:> Es hat eine Weile gedauert, bis der Groschen fiel:> Gemeint war "R2: 750 Ohm" und nicht "R: 2,750 Ohm".>> Man schreibt deshalb vernünftigerweise auch nicht:> "Es fehlen in Modul 4 75 Widerstände", sondern: "In> Modul 4 fehlen 75 Widerstände."
Dann erkläre doch direkt was Du meinst anstatt so einen Kommentar
abzugeben? Kommentare dieser Art sind bei Dir leider keine Ausnahme. Du
kannst es doch besser.
Jörg R. schrieb:> 2 Cent schrieb:>> Egon, Jörg: Bitte Stop!!!>> Was bringt euch/uns ein Krieg?>> Hast ja recht, wobei Krieg ist es noch nicht.
Naja, es stört diesen Faden. Du hast es gut gemeint. Wobei selbst diese
Aussage hier -so nicht- hingehört.
> Egon D. schrieb:>> newbie schrieb:>>>>> R2,750>>>> OH GOTT!>> Egon D. schrieb:>> Es hat eine Weile gedauert, bis der Groschen fiel:>> Gemeint war "R2: 750 Ohm" und nicht "R: 2,750 Ohm".>>>> Man schreibt deshalb vernünftigerweise auch nicht:>> "Es fehlen in Modul 4 75 Widerstände", sondern: "In>> Modul 4 fehlen 75 Widerstände."
k
> Dann erkläre doch direkt was Du meinst anstatt so einen Kommentar> abzugeben
Das ist der Punkt.
> Kommentare dieser Art sind bei Dir leider keine Ausnahme.
Sehe ich auch so.
> Du kannst es doch besser.
Das unterschreibe ich! Zum "Durchschnitt" gehören wir alle drei nicht.
Jeder hat seine Stärken und Schwächen.
Sorry newbie, ich bin mir sicher: keiner von uns wollte deinen Thread
missbrauchen!
2 Cent schrieb:> Egon D. schrieb:>> Es hat eine Weile gedauert, bis der Groschen fiel:>> Gemeint war "R2: 750 Ohm" und nicht "R: 2,750 Ohm".>> Merkst du es schon, oder seufzt du noch?
???
Mir unterlaufen gelegentlich Fehlschaltungen, so wie
hier.
Trotzdem schreibt man besser "0.75k / R2" statt "R2,750".
Und jetzt ist genau das Riesenpalaver um eine Nebensache
da, das ich mit meinem skurrilen Zweizeiler eigentlich
vermeiden wollte. SOO wichtig ist das ja nicht, das ist
ja keine Staatsaffäre.
Egon D. schrieb:> Trotzdem schreibt man besser "0.75k / R2" statt "R2,750".
Die Schreibweise kennen bzw. benutzen viele noch nicht.
Wobei ich es auch so schreiben würde: 750R.
Die Schreibweise 0.75k würde ich dagegen nicht benutzen. Kommt mir auch
nicht geläufig vor.
Egon D. schrieb:> Trotzdem schreibt man besser "0.75k / R2" statt "R2,750".
Hmmm. Schlaf da mal drüber, bitte.
> Und jetzt ist genau das Riesenpalaver um eine Nebensache> da, das ich mit meinem skurrilen Zweizeiler eigentlich> vermeiden wollte.
Deine "skurrilen Zweizeiler" sind doch genau das, was hier angegriffen
wird.
Im Klartext: unbrauchbar als Hilfestellung. Niemand greift dich
absichtlich persönlich an, aber deine "zweizeiler" sind nicht angenehm.
Jörg R. schrieb:> Kommentare dieser Art sind bei Dir leider keine> Ausnahme.
Richtig. Aufwand und Nutzen und so.
Wen es interessiert, der fragt nach, und wenn es keinen
interessiert, lohnt sowieso keine längere Erklärung.
Ich schreibe auch immer unter demselben Namen; wer meine
Kommentare störend findet, soll sie halt ausblenden.
Egon D. schrieb:> Wen es interessiert, der fragt nach, und wenn es keinen> interessiert, lohnt sowieso keine längere Erklärung.
Nein. Schreibe doch einfach nicht in Rätseln. Ist dass so schwer zu
verstehen. Na ja, es hat wohl keinen Zweck weiter mit Dir zu
diskutieren. Du bist leider sehr uneinsichtig und scheinbar sehr von
Deinem Tun überzeugt.
2 Cent schrieb:> Bitte Stop!!!
Ist wohl das Beste?
2 Cent schrieb:> Sorry newbie, ich bin mir sicher: keiner von uns wollte deinen Thread> missbrauchen!
Der TO hat auch genug Lösungsansätze bekommen. Da sollte etwas dabei
sein.
also ich bedanke mich jetzt erstmal an alle die helfen wollten oder
geholfen habe.
Ich meinte natürlich R2 750 Ohm.
Mir war schon klar das ich nicht die gleiche Schaltung für den späteren
Wechsel auf den p-Mosfet nehmen kann, es ging mir nur darum da mal
schnell etwas zu basteln, bis ich mir ein Board mit dem p-MOSFET
anfertige um erstmal meine Regelung zu testen.
Schade das es immer so ausartet.
Thread beobachten
Seitenaufteilung abschalten