Tranistor-Dimensionierung zum Schalten eines 12V Relais

bei einem zu erwartenden Spulenstrom um 25mA erwarte ich da keinerlei 
Probleme.

Stefan schrieb:
> Ich frage mich nur, warum sprut 2
> Transistoren zur Ansteuerung einplant:
> https://www.sprut.de/electronic/pic/grund/o4.gif

Weil er wohl offensichtlich High Side schalten möchte. Sonst könnte er 
sich den Zirkus sparen.

Stefan schrieb:

> Sieht für mich auch vernünftig aus. Ich frage mich
> nur, warum sprut 2 Transistoren zur Ansteuerung
> einplant:
> https://www.sprut.de/electronic/pic/grund/o4.gif

Weil er highside und OHNE INVERTIERUNG schalten
will.


> Es reicht doch auch so wie bei mir im Bild, oder?

Sicher. Du schaltest lowside.

OK. Danke für die Bestätigung!
Habe wohl wieder Probleme gesucht, wo es gar keine gibt :-)

Jörg R. schrieb:
> Passt, auch der „Abstand. R3 würde ich auf 100R verkleinern. Zusätzlich
> ein 100K vom Gate nach GND.
OK, 100 Ohm. Stimmt, R von Gate nach GND brauche ich auch noch.

Viele Grüße
Stefan

Stefan schrieb:
> Der IRLML6244 hat eine Drain-Source-Breakdown-Voltage von 20V. Ich bin
> mir nicht sicher, ob der "Abstand" ausreichend ist.

Die 20V sind nicht irgendeine Drain-Source-Breakdown-Voltage, sondern 
das ist die maximal zulässige Drain-Source Voltage.

Die Freilaufdiode ist arg fett. Eine 1N4148 tut's für die paar mA 
genauso.

Stefan schrieb:
> ich möchte mit einem  µC-Pin ein 12V Relais (400 Ohm) schalten

https://www.mikrocontroller.net/articles/Relais_mit_Logik_ansteuern

Den Artikel findet man ja über die Suche gar nicht...
Danke.

Stefan schrieb:
> Sind beide Varianten mit den verwendeten Transistoren ok?

nö,
bei beiden besteht die Gefahr daß während eines Resets das Relais 
angezogen wird. (Beim FET etwas mehr).

Es fehlt ein ordentlich dimensionierter Pull-Down am Ausgang des 
Prozessors.
(100 K reichen da nicht).

Gruß Anja

Anja schrieb:
> bei beiden besteht die Gefahr daß während eines Resets das Relais
> angezogen wird.

Ich schätze, dass der NPN Transistor im worst case einen Basis-Strom von 
50µA für mindestens 100ms braucht, damit das Relais anzieht.

Wo soll der Strom herkommen? Radiowellen können es nicht sein (weil AC) 
und elektrostatische Ladungen dieser Größenordung halte ich für 
unrealistisch und auch gefährlich für sämtliche CMOS Bauteile.

Was den MOSFET angeht:
> 100 K reichen da nicht

Warum nicht? Welche harmlose Ladung kann am 100kΩ Widerstand für 
mindestens 100ms mehr als 1V aufrecht erhalten?

Stefan ⛄ F. schrieb:
> Wo soll der Strom herkommen?

schon mal im Datenblatt nach den Pull-up Widerständen im Prozessor 
geschaut? Üblicherweise entsprechen die ca 20-50K Pull-up Widerstand.

Gruß Anja

Anja schrieb:
> bei beiden besteht die Gefahr daß während eines Resets das Relais
> angezogen wird. (Beim FET etwas mehr).

Wo soll sich der BJT einen Strom für seine Ansteuerung herzaubern?
Der ist und bleibt stromgesteuert - da halbwegs zivilen Leitungslängen 
ist die Chance für Störungen deutlich klein (Notfalls BE-Leitungen 
verdrillen ;-)

Anja schrieb:
> schon mal im Datenblatt nach den Pull-up Widerständen im Prozessor
> geschaut?

Wenn im Code des Prozessors der Pull-up fälschlicherweise aktiviert 
wird, liegt der Fehler nicht beim Ausgangstreiber.
Mit dem Argument wäre ein 100k Pull-down beim MOSFET auch schon 
grenzwertig groß.

Anja schrieb:
> schon mal im Datenblatt nach den Pull-up Widerständen im Prozessor
> geschaut? Üblicherweise entsprechen die ca 20-50K Pull-up Widerstand.

Und üblicherweise sind sie beim Startup zunächst nicht aktivert.