Hallo, Ich hätte eine Frage an euch: Schottky-Dioden besitzen ja üblicherweise eher eine höhere Kapazität als Si-Dioden. Wie verhält es sich aber im direkten Vergleich zwischen einer Si-Diode und einem Bipolar-Transistor, welcher als Diode beschaltet wird: Hat die "richtige" Diode oder der Transistor üblicherweise die niedrigere Kapazität - gehen wir einmal von "Wald und Wiesen"-Typen aus. Irgendwie bin ich hier etwas ratlos. Vielen Dank! Liebe Grüße, Lars
Eventuell hilft das schon mal weiter: Beitrag "Transistor als Kapazitätsdiode" http://www.b-kainka.de/bastel99.htm https://de.wikipedia.org/wiki/Kapazit%C3%A4tsdiode Die Kapazität der Diode hängt auch von der anliegenden Spannung ab.
Lars schrieb: > Wie verhält es sich aber im > direkten Vergleich zwischen einer Si-Diode und einem Bipolar-Transistor, > welcher als Diode beschaltet wird: Hat die "richtige" Diode oder der > Transistor üblicherweise die niedrigere Kapazität - Vor allem hat der so beschaltete Si-Transistor eine bescheidene Sperrspannung von gerade mal 6V. Mir ist auch nicht klar, was du mit der Frage und der Ansage, Schottky Dioden hätten größere Kapazitäten, bezweckst. Die schnellsten Dioden überhaupt sind Schottky Dioden, und sie funktionieren noch jenseits von 50GHz. Am anderen Ende gibt es PIN-Dioden, die zwar sehr kleine Kapazitäten haben, aber dennoch viel Ladung speichern können und als HF-Gleichrichter eher ungeeignet sind. Sie haben aber gerade wegen ihrer Langsamkeit bei HF ein ohmsches Verhalten und erzeugen kaum Verzerrungen. Deshalb verwendet man sie dort als Schalter und (über den Flußstrom) einstellbare Widerstände.
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