Frage zu Verpolungsschutz und Masse

Gast #6282411
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Guten Abend zusammen,

ich möchte den Verpolungsschutz mit dem N-Kanal Mosfet aufbauen, den ich 
auf der folgenden Homepage gefunden habe:

http://www.lothar-miller.de/s9y/

Wenn ich das richtig verstanden habe, dann darf in der kompletten 
Schaltung kein GND Bezug mehr auftauchen. Sonder nur noch dort, wo ich 
das in die Abbildung gezeichnet habe.

MfG
Angehängte Dateien:
Gast #6282477
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In der Schaltung darf es keinen Bezug mehr auf dem Ground der 
Spannungsversorgung geben.

Bezugspotential deiner Schaltung ist Source des Mosfets.
Mach den Verpolschutz besser in die Plus Leitung.
Gast #6282481
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Kaiser Nero schrieb:
> Wenn ich das richtig verstanden habe, dann darf in der kompletten
> Schaltung kein GND Bezug mehr auftauchen. Sonder nur noch dort, wo ich
> das in die Abbildung gezeichnet habe.

Das ist richtig. Weil der Transistor bei Verpolung abschalten soll, und 
das kann er nicht, wenn Du ein zusätzliches GND einfügst, weil er dann 
überbrückt wäre.

Beachte weiterhin, das der Transistor im Reversbetrieb arbeiten muss 
(wie oben gezeichnet), weil andernfalls seine Body Diode bei Verpolung 
immer noch Leiten würde.
So aber sperren bei Verpolung der Kanal des Transistors UND die Body 
Diode, wärend bei richtiger Polung die Body Diode zwar leitet, aber noch 
zusätzlich durch den Kanal des MOSFETS niederomig überbrückt wird. Somit 
stört Dich die Diodenschwellenspannung auch nicht mehr.

Aber wie gesagt, Du kannst Dir kein zusätzliches GND mehr leisten.
Gast #6282604
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Guten morgen zusammen,

vielen Dank für eure Antworten. Ich mache mir das einfacher und werde 
ein P-Kanal Mosfet in die positive Spannungsversorgungsleitung einbauen. 
Ein Beispiel ist ja auch auf der verlinkten Homepage angegeben inkl. der 
verwendeten Bauteile. Meine Schaltung wird von außen mit 24V gespeist. 
Intern auf 12V und 3,3V herunterregelt. Die Schaltung benötigt etwa 6A.

MfG
Gast #6283767
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Funkenschlosser K. schrieb:
> Ginge nicht einfach ein Gleichrichter?

Ein Verpolschutz ist nichts anderes als ein Einweggleichrichter, ein 
Gleichrichter mit Dioden hat i.d.R sehr viel höhere Verluste als ein 
Gleichrichter mit Mosfet.

Da an der Diode fallen immer 0,7V an Siliziumdioden und 0,4V an 
Schottkydioden ab. Bei 6A verheitzt man mindestens 6A*0,4V = 2,4W.
Bei einem Brückengleichrichter das doppelte.

Du musst zwischen Effizienz und Aufwand abwägen. Bei 6A würde ich klar 
die Mosfetvariante bevorzugen.
Gast #6283792
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Kaiser Nero schrieb:
> Meine Schaltung wird von außen mit 24V gespeist.
> Intern auf 12V und 3,3V herunterregelt. Die Schaltung benötigt etwa 6A.

Das macht eine Leistung von ca. 150 W aus, ....

Frederic S. schrieb:
> Da an der Diode fallen immer 0,7V an Siliziumdioden und 0,4V an
> Schottkydioden ab. Bei 6A verheitzt man mindestens 6A*0,4V = 2,4W.
> Bei einem Brückengleichrichter das doppelte.

dagegen die 2,4 W Verlust durch die Dioden, die könnte man in dem Fall 
sicher verschmerzen ...
die 2,4 Watt werden dabei auch sicherlich nicht verheiTzt ...
Gast #6283799
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Kaiser Nero schrieb:
> Guten morgen zusammen,
>
> vielen Dank für eure Antworten. Ich mache mir das einfacher und werde
> ein P-Kanal Mosfet in die positive Spannungsversorgungsleitung einbauen.
> Ein Beispiel ist ja auch auf der verlinkten Homepage angegeben inkl. der
> verwendeten Bauteile. Meine Schaltung wird von außen mit 24V gespeist.
> Intern auf 12V und 3,3V herunterregelt. Die Schaltung benötigt etwa 6A.
>
> MfG

Ja, jetzt müsstest Du noch ein Power Schaltnetzteil haben das 10 mal in 
einer Sekunde die Polarität umschaltet. Und das eine Stunde lang.

Dann erst weißt Du ob deine Schaltung funktioniert.

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