Guten Abend zusammen,
ich möchte den Verpolungsschutz mit dem N-Kanal Mosfet aufbauen, den ich
auf der folgenden Homepage gefunden habe:
http://www.lothar-miller.de/s9y/
Wenn ich das richtig verstanden habe, dann darf in der kompletten
Schaltung kein GND Bezug mehr auftauchen. Sonder nur noch dort, wo ich
das in die Abbildung gezeichnet habe.
MfG
In der Schaltung darf es keinen Bezug mehr auf dem Ground der
Spannungsversorgung geben.
Bezugspotential deiner Schaltung ist Source des Mosfets.
Mach den Verpolschutz besser in die Plus Leitung.
Kaiser Nero schrieb:> Wenn ich das richtig verstanden habe, dann darf in der kompletten> Schaltung kein GND Bezug mehr auftauchen. Sonder nur noch dort, wo ich> das in die Abbildung gezeichnet habe.
Das ist richtig. Weil der Transistor bei Verpolung abschalten soll, und
das kann er nicht, wenn Du ein zusätzliches GND einfügst, weil er dann
überbrückt wäre.
Beachte weiterhin, das der Transistor im Reversbetrieb arbeiten muss
(wie oben gezeichnet), weil andernfalls seine Body Diode bei Verpolung
immer noch Leiten würde.
So aber sperren bei Verpolung der Kanal des Transistors UND die Body
Diode, wärend bei richtiger Polung die Body Diode zwar leitet, aber noch
zusätzlich durch den Kanal des MOSFETS niederomig überbrückt wird. Somit
stört Dich die Diodenschwellenspannung auch nicht mehr.
Aber wie gesagt, Du kannst Dir kein zusätzliches GND mehr leisten.
Guten morgen zusammen,
vielen Dank für eure Antworten. Ich mache mir das einfacher und werde
ein P-Kanal Mosfet in die positive Spannungsversorgungsleitung einbauen.
Ein Beispiel ist ja auch auf der verlinkten Homepage angegeben inkl. der
verwendeten Bauteile. Meine Schaltung wird von außen mit 24V gespeist.
Intern auf 12V und 3,3V herunterregelt. Die Schaltung benötigt etwa 6A.
MfG
Funkenschlosser K. schrieb:> Ginge nicht einfach ein Gleichrichter?
Ein Verpolschutz ist nichts anderes als ein Einweggleichrichter, ein
Gleichrichter mit Dioden hat i.d.R sehr viel höhere Verluste als ein
Gleichrichter mit Mosfet.
Da an der Diode fallen immer 0,7V an Siliziumdioden und 0,4V an
Schottkydioden ab. Bei 6A verheitzt man mindestens 6A*0,4V = 2,4W.
Bei einem Brückengleichrichter das doppelte.
Du musst zwischen Effizienz und Aufwand abwägen. Bei 6A würde ich klar
die Mosfetvariante bevorzugen.
Kaiser Nero schrieb:> Meine Schaltung wird von außen mit 24V gespeist.> Intern auf 12V und 3,3V herunterregelt. Die Schaltung benötigt etwa 6A.
Das macht eine Leistung von ca. 150 W aus, ....
Frederic S. schrieb:> Da an der Diode fallen immer 0,7V an Siliziumdioden und 0,4V an> Schottkydioden ab. Bei 6A verheitzt man mindestens 6A*0,4V = 2,4W.> Bei einem Brückengleichrichter das doppelte.
dagegen die 2,4 W Verlust durch die Dioden, die könnte man in dem Fall
sicher verschmerzen ...
die 2,4 Watt werden dabei auch sicherlich nicht verheiTzt ...
Kaiser Nero schrieb:> Guten morgen zusammen,>> vielen Dank für eure Antworten. Ich mache mir das einfacher und werde> ein P-Kanal Mosfet in die positive Spannungsversorgungsleitung einbauen.> Ein Beispiel ist ja auch auf der verlinkten Homepage angegeben inkl. der> verwendeten Bauteile. Meine Schaltung wird von außen mit 24V gespeist.> Intern auf 12V und 3,3V herunterregelt. Die Schaltung benötigt etwa 6A.>> MfG
Ja, jetzt müsstest Du noch ein Power Schaltnetzteil haben das 10 mal in
einer Sekunde die Polarität umschaltet. Und das eine Stunde lang.
Dann erst weißt Du ob deine Schaltung funktioniert.
Niemand schrieb:> die 2,4 Watt werden dabei auch sicherlich nicht verheiTzt ...
Nein, die werden in die freie Energie des Universums rückgeführt...
Georg