Hallo,
was soll man von den Werten im Datenblatt zum maximalen Strom halten?
202A kontinuierlich
808A gepulsed
also ich weiß das dort steht das es sich um einen berechneten Wert
handeln, aber die Frage die sich mir stellt ist, wieviel Strom könnte
ich tatsächlich impulsweise schalten z.b. Kondensator kurzschließen alle
3 Sekunden?
Ich meine wenn ich 800A durch das dünne Source-Beinchen für nur 1 ms
jage schmilzt das doch sofort ?!?!
Was schätzt ihr? Danke für jede Anregung :-)
Erstens steht im DB sicherlich eine Bemerkung, daß das nur für den Chip
gilt, und das Package selbst eine andere Grenze hat.
Und zweitens macht das DB sicherlich an ǵaben zm SOA-Bereich des Teils,
und dessen thermal Impedanz, womit sich alle möglichen Pulsvarianten
einschätzen lassen.
880A für 1ms werden aber sicherlich nicht reichen, das Beinchen
verdampfen zu lassen.
MaWin (Gast) schrieb:
>Marketinggeschwafel, hatten wir hier schon öfters.
Von Dir kam früher auch schon mal Fundierteres. Aber was soll man auch
erwarten von einem unechten MaWin ...
Ah ok danke für den Hinweis.
>Und zweitens macht das DB sicherlich an ǵaben zm SOA-Bereich des Teils,>und dessen thermal Impedanz, womit sich alle möglichen Pulsvarianten>einschätzen lassen.
kannst du mir einen Hinweis geben wo erklärt wird wie dieser Graph zu
lesen ist ? Bzw wie man das ein schätzen kann? Danke
Hier schreibt der andere Dieter. Im Datenblatt sieht man, dass die 808A
für die Body-Diode gilt.
Damit ist das Marketinggeschwafel nach MaWin zutreffend. In der letzten
Zeit vergißt er öfters das Stichwort für den Hintergrund und fährt sich
unnötig Kritik ein.
Dieter schrieb:> Ich meine wenn ich 800A durch das dünne Source-Beinchen für nur 1 ms> jage schmilzt das doch sofort ?!?!
Zuerst würde der Bonddraht verdampfen und den Transistor sprengen.
Es ist nicht empfehlenswert, die "Maximum Ratings" auszureizen.
Bist Du sicher, daß wirklich 800A fließen werden?
Jens G. schrieb:> Von Dir kam früher auch schon mal Fundierteres. Aber was soll man auch> erwarten von einem unechten MaWin ...
Du hast schnell und richtig erkannt, dass das ein Beitrag vom
Psychopathen war, Respekt.
Dieter (Gast)
>Ah ok danke für den Hinweis.>>Und zweitens macht das DB sicherlich an ǵaben zm SOA-Bereich des Teils,>>und dessen thermal Impedanz, womit sich alle möglichen Pulsvarianten>>einschätzen lassen.>kannst du mir einen Hinweis geben wo erklärt wird wie dieser Graph zu>lesen ist ? Bzw wie man das ein schätzen kann? Danke
Das SOA-Diagramm sagt Dir für diskrete Pulsbreiten, ausgehend von einem
Transistor mit gleichmäßigen 25°C, wie hoch die Kombination von Strom
und Spannung während des Pulses sein darf, bis sich (Bereiche der)
"Sperrschicht" auf die angegebene Temperatur aufgeheizt hat. Das gilt
nur für Einzelpulse, zw. denen sich der gesamte T wieder auf 25°C
abkühlen kann. Ist damit also eher theoretischer Natur, mit den Werten
läßt sich aber rechnen, bzw. abschätzen.
Die thermal Impedanz dagegen gibt den Wärmewiderstand des T in
Abhängigkeit von der Pulsfrequenz und -breite an. Wie man sieht, wird
die thermal Impedanz kleiner, je höher die Frequenz ist, bzw. je kleiner
der Dutyfaktor ist. Dadurch kann man dem T mehr Leistung pro Puls
zumuten.
Das sind natürlich nur Grenzwerte, idR. auf eine Gehäusetemperatur von
25°C, die man auch permanent sicherstellen muß (daselbe Prinzip wie bei
einer normalen statischen Ptot-Angabe), aber man kann damit auf seine
realen Bedingungen umrechnen, so wie mit den sonst üblichen statischen
Rth-Angaben.
Dieter schrieb:> kannst du mir einen Hinweis geben wo erklärt wird wie dieser Graph zu> lesen ist ? Bzw wie man das ein schätzen kann? Danke
Jens G. hat ja schon eine Erklärung gegeben. Hier als ergänzende
Erklärung zur SOA: du musst immer unterhalb der jeweilige Grenzkurve
bleiben, damit dein FET überlebt.
Für einen 1ms-Puls (rote Kurve) bedeutet das, dass du maximal 400A
fließen lassen darfst. Und die auch nur, wenn der FET voll aufgesteuert
ist (linke obere Ecke der roten Kurve). Wenn er der FET nicht voll
aufgesteuert ist, so dass mehr Spannung an ihm abfällt, ist der
Grenzstrom entsprechend geringer (z.B. nur 80A bei 1ms-Puls und 10V an
V_DS).
Bei einem 100µs-Puls dürfen die 800A fließen, wenn der FET voll
aufgesteuert ist (oberes Ende der grünen Kurve).
Wie Jens schon richtig geschrieben hat:
Jens G. schrieb:> Das gilt> nur für Einzelpulse, zw. denen sich der gesamte T wieder auf 25°C> abkühlen kann. Ist damit also eher theoretischer Natur, mit den Werten> läßt sich aber rechnen, bzw. abschätzen.
Wenn du also praktisch mal einen 100µs-Puls von 800A durchjagen willst
und eine Kleinigkeit in deinem Aufbau nicht ideal ist, dann kann der FET
auch schon bei diesem ersten Puls zerstört werden.
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